温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该器件包括第一半导体层，形成于一半导体衬底之上，具有第二导电类型；阴极接触区，形成于第一半导体层上，为重掺杂，具有第一导电类型；保护环，形成于第一半导体层上，形成一肖特基窗口，具有第二导电类型，并与一...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。