萧特基二极管及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种萧特基二极管和半导体装置。萧特基二极管包括：具有阳极区及阴极区的半导体基底；轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于半导体基底内；金属接触窗，位于轻掺杂区上方，且对应于阴极区以作为阴极；第一金属硅化物层，位于金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于金属接触窗正下方的第一金属硅化物层与轻掺杂区直接接触；以及重掺杂区，具有预定的导电型，位于轻掺杂区内，且对应于阳极区以作为阳极。本发明专利技术所公开的萧特基二极管及半导体装置，通过第一金属硅化物层与轻掺杂区/井区直接接触，能够实现有效的减轻制作接触窗期间因过蚀刻而造成金属/半导体界面的损害的目的，增大萧特基二极管和半导体装置的可靠度及稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体_■极管，特别是有关于一种具有娃化物的肃特基(Schottky) ニ极管。
技术介绍
萧特基ニ极管(或萧特基势鱼(barrier) ニ极管)为ー种熟习的半导体装置，且通常使用于电子应用中，例如电源电路或电压转换器。上述萧特基ニ极管通常是由金属-半导体接面所构成。举例来说，将势垒金属(例如，铝)沉积于轻掺杂(lightly doped)的η型或p型半导体的表面上，以形成萧特基ニ极管。与半导体接触的势垒金属构成萧特基ニ极管的阳极。再者，与轻掺杂的η型或P型半导体电性接触的重掺杂(heavily doped)的η型或p型半导体构成萧特基ニ极管的阴极。 相较于传统ρ-η接面ニ极管，萧特基ニ极管的特征在于具有低顺向电压(S卩，导通电压)。然而，在传统的萧特基ニ极管制造中，制作接触窗(contact)期间所进行的过蚀刻(overetching)会损害金属/半导体界面(interface),因而改变其物理性和/或电性特征。如此ー来，典型エ序的变异性(variability)会限制萧特基ニ极管的可靠度及稳定性。再者，由于制作防护环会増加制造成本及装置的尺寸，因而不符合现行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种萧特基二极管，其特征在于，包括：半导体基底，具有阳极区及阴极区；轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于所述半导体基底内；金属接触窗，位于所述轻掺杂区上方，且对应于所述阴极区以作为阴极；第一金属硅化物层，位于所述金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于所述金属接触窗正下方的所述第一金属硅化物层与所述轻掺杂区直接接触；以及重掺杂区，具有所述预定的导电型，位于所述轻掺杂区内，且对应于所述阳极区以作为阳极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨明宗，李东兴，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：