一种大功率半导体二极管制造技术

技术编号:12870908 阅读:81 留言:0更新日期:2016-02-13 21:49
本实用新型专利技术公开了一种大功率半导体二极管,包括引线、阴极端子、阳极端子、连接头、P型半导体、N型半导体、PN结、合金层和底座,所述合金层设置于所述底座上方,所述合金层内部设置有P型半导体和N型半导体,所述P型半导体和N型半导体之间设置有PN结,所述P型半导体与所述阳极端子相连接,所述N型半导体与所述阴极端子相连接,所述阴极端子和阳极端子上均设置有引线,所述连接头连接端子和引线。本实用新型专利技术的优点在于:该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,配合高导热效率的金属导热层,提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命,提高了使用稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及二极管领域,特别是一种大功率半导体二极管
技术介绍
半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(d1de)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。二极管具有阳极(anode)和阴极(cathode)两个端子(这些用语是来自于真空管),电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,不能从阴极流向阳极。这种作用就被称之为整流作用。而在真空管内,藉由电极之间加上的电压让热电子从阴极到达阳极,因而有整流的作用。半导体二极管中,有利用P型和N型两种半导体接合面的PN接合效应,也有利用金属与半导体接合产生的肖特基效应达成整流作用的类型。若是PN接合型的二极管,在P型侧就是阳极,N型侧则是阴极。发光二极管具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光,正向电流愈大,发光愈强。光电二极管是远红外线接收管,是一种光能与电能进行转换的器件。光电二极管的工作原理:它是利用PN结外加反向电压时,在光线照射下,改变反向电流和反向电阻,当没有光照射时,反向电流很小,反向电阻很大;当有光照射时,反向电阻减小,反向电流加大。大功率半导体二极管在工作过程中,散热是其需要解决的主要问题。从外部结构来看,也是管芯和散热器两部分,这是由于二极管工作时管芯中要通过强大的电流,而PN结又有一定的正向电阻,管芯要因此损耗而发热。为了管芯的冷却,必须配备散热器。一般200A以下的管芯采用螺旋式,200A以上的则采用平板式。但是,即使采用该设计的大功率半导体二极管仍存在散热问题,影响应用二极管设备整体的稳定性。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供的一种大功率半导体二极管,该二极管采用带有微槽散热结构的片状管芯,配合高导热效率的金属导热层,提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命,提高了使用稳定性。为了实现上述目的,本技术所设计的一种大功率半导体二极管,包括引线、阴极端子、阳极端子、连接头、P型半导体、N型半导体、PN结、合金层和底座,所述合金层设置于所述底座上方,所述合金层内部设置有P型半导体和N型半导体,所述P型半导体和N型半导体之间设置有PN结,所述P型半导体与所述阳极端子相连接,所述N型半导体与所述阴极端子相连接,所述阴极端子和阳极端子上均设置有引线,所述连接头连接端子和引线;所述合金层设置有微型凹槽,所述合金层外有高效导热涂层。更进一步的,一种大功率半导体二极管,所述连接头为球形铝合金。更进一步的,一种大功率半导体二极管,所述高效导热涂层外有耐高温漆层。本技术得到的一种大功率半导体二极管,该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,微槽散热结构增加了散热结构的表面积,便于更多热量从二极管的PN结传导出来,同时合金层表面设置的高效导热涂层可以更加快速地将合金层传导出的热量传递给空气,同时高效导热涂层外有耐高温漆层保证了二极管合金层表面高效导热涂层不会被氧化,以上结构配合使大功率二极管在高电压高电流的工作状况下有良好的散热表现,提高了产品的稳定性,延长了产品的使用寿命。本技术的优点在于:该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,配合高导热效率的金属导热层,提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命,提高了使用稳定性。【附图说明】图1是实施例的结构示意图。图中:引线1、阴极端子2、阳极端子3、连接头4、P型半导体5、N型半导体6、PN结7、合金层8、底座9。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。实施例:如图所示,一种大功率半导体二极管,包括引线1、阴极端子2、阳极端子3、连接头4、P型半导体5、N型半导体6、PN结7、合金层8和底座9,所述合金层8设置于所述底座9上方,所述合金层8内部设置有P型半导体5和N型半导体6,所述P型半导体5和N型半导体6之间设置有PN结7,所述P型半导体5与所述阳极端子3相连接,所述N型半导体6与所述阴极端子2相连接,所述阴极端子2和阳极端子3上均设置有引线1,所述连接头4连接阴极端子2、阳极端子3和引线1 ;所述合金层8设置有微型凹槽81,所述合金层8外有尚效导热涂层。所述连接头4为球形铝合金;所述高效导热涂层外有耐高温漆层。本实施例得到的一种大功率半导体二极管,该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,微槽散热结构增加了散热结构的表面积,便于更多热量从二极管的PN结传导出来,同时合金层表面设置的高效导热涂层可以更加快速地将合金层传导出的热量传递给空气,同时高效导热涂层外有耐高温漆层保证了二极管合金层表面高效导热涂层不会被氧化,以上结构配合使大功率二极管在高电压高电流的工作状况下有良好的散热表现,提高了产品的稳定性,延长了产品的使用寿命。本实施例的优点在于:该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,配合高导热效率的金属导热层,提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命,提高了使用稳定性。对于本技术所属
的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,其架构形式能够灵活多变,只是做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本技术由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。【主权项】1.一种大功率半导体二极管,包括引线(1)、阴极端子(2)、阳极端子(3)、连接头(4)、P型半导体(5)、N型半导体(6)、PN结(7)、合金层(8)和底座(9),所述合金层(8)设置于所述底座(9)上方,所述合金层(8)内部设置有P型半导体(5)和N型半导体(6),所述P型半导体(5)和N型半导体(6)之间设置有PN结(7),所述P型半导体(5)与所述阳极端子(3)相连接,所述N型半导体(6)与所述阴极端子(2)相连接,所述阴极端子(2)和阳极端子(3)上均设置有引线(1),所述连接头(4)连接阴极端子(2)、阳极端子(3)和引线(1);所述合金层(8)设置有微型凹槽(81),所述合金层(8)外有高效导热涂层。2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体二极管,其特征在于:所述连接头(4)为球形铝合金。3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体二极管,其特征在于:所述高效导热涂层外有耐高温漆层。【专利摘要】本技术公开了一种大功率半导体二极管,包括引线、阴极端子、阳极端子、连接头、P型半导体、N型半导体、PN结、合金层和底座,所述合金层设置于所述底座上方,所述合金层内部设置有P型半导体和N型半导体,所述P型半导体和N型半导体之间设置有PN结,所述P型半导体与所述阳极端子相连接,所述N型半导体与所述阴极端子相连接,所述阴极端子和阳极端子上均设置有引线,所述连接头连接端子和引线。本技术的优点在于:该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,配合高导热效率的金属导热层,提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命,提高了使用稳定性。【IPC分类】H01L23/367【公开号】CN205016512【申请号】CN201520819283【专利技术人】许霞林 【申请人】深圳市九鼎安电子有限公司【公开日】2016年2月3日【申请日】2015年10月22日本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种大功率半导体二极管,包括引线(1)、阴极端子(2)、阳极端子(3)、连接头(4)、P型半导体(5)、N型半导体(6)、PN结(7)、合金层(8)和底座(9),所述合金层(8)设置于所述底座(9)上方,所述合金层(8)内部设置有P型半导体(5)和N型半导体(6),所述P型半导体(5)和N型半导体(6)之间设置有PN结(7),所述P型半导体(5)与所述阳极端子(3)相连接,所述N型半导体(6)与所述阴极端子(2)相连接,所述阴极端子(2)和阳极端子(3)上均设置有引线(1),所述连接头(4)连接阴极端子(2)、阳极端子(3)和引线(1);所述合金层(8)设置有微型凹槽(81),所述合金层(8)外有高效导热涂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许霞林
申请(专利权)人:深圳市九鼎安电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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