具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层(RDL)结构，用以作为芯片的封装基材。该薄膜封装基材包含有复数个金属柱、第一电路重新分布层；该第一电路重新分布层设置于金属柱下方。实施例之一显示金属柱上端，后续将用于芯片封装单元电性耦合至母板之用。实施例之二显示金属柱上端，提供芯片安置用，第一电路重新分布层下端金属焊垫，用以提供芯片封装单元电性耦合至母板之用。另一实施例显示第二电路重新分布层设置于金属柱上方，第一电路重新分布层往第二电路重新分布层的方向，系依序形成电路扇出(circuitry fan-out)提供芯片封装单元得以匹配安置于外部的母板(mother board)上,或是电路扇入(circuitry fan-in)以便提供芯片封装用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片封装用的封装基材(package substrate)，特别是一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层(redistribut1n layer, RDL)结构，用来作为芯片封装用的薄膜基材(thin film substrate)。
技术介绍
图1A显示现有技术中常见的封装基材，其系美国专利US2014/0102777A1所揭露的一个芯片封装；具有一个埋入式娃中介层(silicon interposer) 20。娃中介层20具有四个侧边206，封装胶体22包裹所述之硅中介层20的四个侧边206。复数个贯通金属(viametal) 200贯通所述之娃中介层20，绝缘层(insulat1n liner) 201设置于贯通孔200与硅中介层20之间，作为电性绝缘用。上层电路重新分布层21设置于硅中介层20上方，上层电路重新分布层21具有复数个金属焊垫210于上方裸露，金属焊垫210系提供芯片(图中未表示)安置用。电路增层(circuit built-up layer) 25设置于娃中介层20的下方，电路增层25具有复数个金属焊垫220设置于下方。复数个焊锡球24设置于金属焊垫220下方，每一个焊锡球24设置于一个对应的金属焊垫220下表面。图1B显示图1A的上下颠倒的图示，图1B的上下颠倒的图示，系用以方便比对于本技术的图示。图1B显示焊锡球24设置于封装基材上方，提供封装基材电性耦合至母板(图中未表示)用。金属焊垫210系提供芯片(图中未表示)安置用。现有技术采用金属柱设置于娃中介层20 (silicon interposer)，娃中介层20周边包裹着封装胶体22 ;这两种不同材料的接口由于热膨胀系数(CTE)的不同，容易产生裂痕，而降低产品良率与降低产品可靠度。
技术实现思路
针对现有技术的上述两种材料间容易产生裂痕的不足，根据本技术的实施例，希望提供一种可以降低芯片封装的成本、且能提高芯片封装可靠度的封装基材一一具有封装胶体支撑的电路重新分布层(redistribut1n layer, RDL)结构，用来作为芯片封装用的薄膜基材(thin film substrate)。根据实施例，本技术提供的一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其创新点在于，复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端向下凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层设置于封装胶体的下方，具有复数个第一下层金属焊垫以及复数个第一上层金属焊垫；第一下层金属焊垫的密度高于第一上层金属焊垫的密度；每一根金属柱的下端电性耦合至对应的一个第一上层金属焊垫。根据实施例，本技术提供的另一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、中心凹槽、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其创新点在于，中心凹槽由封装胶体围绕形成凹槽；复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端向下凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层具有复数个下层金属焊垫以及复数个上层金属焊垫；下层金属焊垫的密度高于上层金属焊垫的密度；每一条金属柱的底端分别电性親合至一个对应的上层金属焊垫；位于中心凹槽的上层金属焊垫用来提供被动组件安置用。根据实施例，本技术提供的再一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其创新点在于，复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端，凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层设置于封装胶体的下方，具有复数个下层金属焊垫以及复数个上层金属焊垫；下层金属焊垫的密度低于上层金属焊垫的密度；每一条金属柱的底端分别电性耦合至一个对应的上层金属焊垫。相对于现有技术，本技术采用单一封装胶体封装金属柱，以克服现有技术含有金属柱的娃中介层(silicon interposer)埋设于封装胶体中的缺点，可以提高产品良率并提尚广品可靠度。【附图说明】图1A?1B现有技术中常见的封装基材的结构示意图。图2A?2L以及3A?3C是本技术具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构的制程图。图3D是本技术第一实施例的结构示意图。图3E是本技术第二实施例的结构示意图。图3F是至少一片芯片安置于图3D第一实施例下方的结构不意图。图3F’是至少一片芯片安置于图3E第二实施例下方的结构示意图。图3G是切割图3F之后得到的一个芯片封装单元的结构示意图。图3G’是切割图3F’之后得到的一个芯片封装单元的结构示意图。图2A?2L以及4A?4C是本技术具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构的制程图。图4D是本技术第三实施例的结构示意图。图4E是本技术第四实施例的结构示意图。图4F是芯片设置于图4D下方的结构示意图。图4F’是芯片设置于图4E下方的结构示意图。图4G是切割图4F得到的一个芯片封装单元的结构示意图。图4G’是切割图4F’得到的一个芯片封装单元的结构示意图。图2A?2L以及5A?5C是本技术具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构的制程图。图?是本技术第五实施例的结构示意图。图5E是本技术第六实施例的结构示意图。图5F是芯片设置于图下方的结构示意图。图5F’是至少一片芯片设置于图5E下方的结构示意图。图5G是切割图5F得到的一个芯片封装单元的结构示意图。图5G’是切割图5F’得到的一个芯片封装单元的结构示意图。图6A?6B是本技术第七实施例的结构示意图。图7是本技术第八实施例的结构示意图。图8A-8B是本技术的修饰实施例的结构示意图。其中:20为中介层；200为贯通金属；206为侧边；21为电路重新分布层；22为封装胶体；220为金属焊垫；210为金属焊垫；24为焊锡球；25为电路增层；31为释放层；32为种晶层；322为种晶层；33为光阻层；332为光阻层；341为金属焊垫；342为电路层；343为金属焊垫；351、352、353为介电介电层；36为封装金属柱；361为保护层；362为保护层；37为封装胶体；372为封装胶体；38为焊锡球；388为中心凹槽；39为保护层；391为芯片；392为填充材料；395为电容器；441为金属焊垫；443为金属焊垫；541为金属焊垫；542为金属焊垫；56为金属柱；591为芯片。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例，进一步阐述本技术。这些实施例应理解为仅用于说明本技术而不用于限制本技术的保护范围。在阅读了本技术记载的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等效变化和修改同样落入本技术权利要求所限定的范围。图2A?2L以及3A?3C显示本技术的一个制程。其中，图3D显示第一实施例，以及图3E显示第二实施例。制作一种封装胶体支撑的芯片封装用电路重新分布层薄膜基材的方法，包含:图2A显示:准备一片暂时承载器(temporary carrier);涂布释放层31于暂时承载器上方；以及涂布下层种晶层32于释放层31的上方；图2B显示涂布图案化的光阻层33于下层种晶层32的上方；图2C显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其特征是，复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端向下凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层设置于封装胶体的下方，具有复数个第一下层金属焊垫以及复数个第一上层金属焊垫；第一下层金属焊垫的密度高于第一上层金属焊垫的密度；每一根金属柱的下端电性耦合至对应的一个第一上层金属焊垫。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，
申请(专利权)人：胡迪群，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71