基板结构及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板结构，所述基板结构包括第一部分、第二部分以及设置在第一部分和第二部分之间并电连接至第一部分和第二部分之间的中间部分。第一部分包括第一细重布线路层以及第一粗重布线路层。第一细重布线路层包括第一细导电图案，第一粗重布线路层设置在第一细重布线路层上并电连接第一细重布线路层。第一粗重布线路层包括电连接至所述第一细导电图案的第一粗导电图案，其中第一细导电图案的布线密度比第一粗导电图案的布线密度更密。第二部分包括第二细重布线路层和第二粗重布线路层中的至少一个。另提供一种包含基板结构的电子装置。

【技术实现步骤摘要】
基板结构及电子装置
本专利技术涉及一种集成电路元件，且特别涉及一种基板结构及电子装置。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，为了达到高密度以及高效能的目标，各类电子产品都朝向轻、薄、短、小的趋势迈进。举例来说，为了使得电子产品较薄，通常会希望提供厚度较薄的高密度封装结构。因此，在半导体芯片尺寸和封装结构尺寸不断缩小的情况下，如何开发可与其搭配的细线路（finecircuitry）与粗线路（coarsecircuitry）密度的线路板结构，同时不会提高过多制造成本，实际上已成为目前急需解决的课题。另外，在线路板的一种应用上，例如包含传感器元件或相机镜头的电子装置，其封装模组的构件繁多，导致电子装置整体的厚度难以降低，且整体尺寸也难以缩小。此外，在线路板的另一种应用上，一般的光通讯需要使用多条光纤，然而传统的制造方法是必须对每一条光纤分别作封装处理，导致工艺复杂且制造成本昂贵。因此，如何能够有效简化电子装置的工艺流程，并改善整体工艺效率，已成为半导体产业与其相关电子产业的重要研发课题之一。
技术实现思路
本专利技术是针对一种基板结构，所述基板结构包括第一部分、第二部分以及设置在第一部分和第二部分之间并电连接至第一部分和第二部分之间的中间部分。第一部分包括第一细重布线路层以及第一粗重布线路层。第一细重布线路层包括第一细导电图案，第一粗重布线路层设置在第一细重布线路层上并电连接第一细重布线路层。第一粗重布线路层包括电连接至所述第一细导电图案的第一粗导电图案，其中第一细导电图案的布线密度比第一粗导电图案的布线密度更密。第二部分包括第二细重布线路层和第二粗重布线路层中的至少一个。本专利技术提供一种电子装置，所述电子装置包括基板结构、芯片以及影像感测单元。基板结构包括细重布线路层以及粗重布线路层。细重布线路层具有第一开口并包括细导电图案，而粗重布线路层具有与第一开口连通的第二开口，且粗重布线路层设置在细重布线路层上并电连接细重布线路层。粗重布线路层包括电连接至细导电图案的粗导电图案，其中细导电图案的布线密度比粗导电图案的布线密度更密，且粗重布线路层的第二开口暴露出至少部分的细重布线路层。芯片包括感测区，且设置在粗重布线路层的第二开口中并与被第二开口暴露的至少部分的细重布线路层电连接，其中细重布线路层的第一开口暴露出芯片的感测区。影像感测单元设置在基板结构上并对应于芯片的感测区。本专利技术提供一种电子装置，所述电子装置包括基板结构、埋设在基板结构中的信号传输元件、芯片以及转换单元。基板结构包括粗重布线路层以及细重布线路层。粗重布线路层包括粗导电图案，而细重布线路层埋设在粗重布线路层中，且细重布线路层包括与粗导电图案电连接的细导电图案，其中细导电图案的布线密度比粗导电图案的布线密度更密。芯片设置在基板结构上并连接至细重布线路层。转换单元设置在基板结构上并位于芯片旁，且转换单元耦接至信号传输元件，其中芯片通过基板结构的细重布线路层而与转换单元电连接，且芯片的信号经由转换单元而与信号传输元件相互传递。基于上述内容，本专利技术的基板结构的第一部分包括细重布线路层和粗重布线路层，可使芯片能直接安装至细重布线路层上，以减少结构的厚度。此外，本专利技术的一种电子装置包括类似于上述的基板结构，并且将芯片设置在基板结构中以直接连接至基板结构的细重布线路层上，可减少电子装置的厚度，达到电子装置轻薄短小的需求。本专利技术的另一种电子装置包括类似于上述的基板结构，且基板结构可以同时传输光信号及电信号，而可使芯片能够处理更大量的信息。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1A至图1E是根据本专利技术一些实施例的封装基板的制造方法的剖面示意图；图2是根据本专利技术一些实施例的细导电通孔与第一导电通孔的剖面示意图；图3A至图3C是根据本专利技术一些实施例的封装基板的制造方法的剖面示意图；图4是根据本专利技术一些实施例的封装结构的剖面示意图；图5是根据本专利技术一些实施例的基板结构的俯视示意图；图6A是根据本专利技术一些实施例的电子装置的剖面示意图；图6B是图6A中区域A的放大示意图；图7A是根据本专利技术另一些实施例的电子装置的剖面示意图；图7B是图7A中区域B的放大示意图；图7C是示出图7A中信号传输元件对于转换单元之间的仰视示意图；图8是根据本专利技术又一些实施例的电子装置的剖面示意图；图9是根据本专利技术再一些实施例的电子装置的剖面示意图。附图标号说明10：半导体芯片；12：导电凸块；20：导电端子；100、200、S：封装基板；300：封装结构；400、510、610：基板结构；410：第一部分；420：第二部分；430：中间部分；432：第一端；434：第二端；50：暂时性基板；500、600A、600B、600C：电子装置；520、630：芯片；522：感测区；524、632：导电凸块；530：影像感测单元；532：框架；532a：顶部开口；534：致动结构；534a：镜头承载座；534b：镜头组件；536：滤光元件；540：有源电子元件；550：无源电子元件；560：电连接部；60：钝化层；60a：开口；620：信号传输元件；620A、620B：光纤；640、640’、640’’：转换单元；640A：光发射元件；640B：光接收元件；642：连接端子；70：表面处理层；A、B：区域；C：核心；CD：粗介电层；CP：粗导电图案；CRDC：粗重布线路层；CV：粗导电通孔；D1：第一介电层；D2：第二介电层；d1、d2：外径；Dc：核心介电层；FD：细介电层；FP：细导电图案；FRDC：细重布线路、细重布线路层；FV：细导电通孔；OP1：第一开口；OP2：第二开口；P1：第一导电图案；P2：第二导电图案；Pc：核心导电图案；RDC1：第一重布线路；RDC2：第二重布线路；S1：第一侧；S2：第二侧；V1：第一导电通孔；V2：第二导电通孔；Vc：导电穿孔；Z：厚度方向。具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例在附图中说明。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。图1A至图1E是根据本专利技术一些实施例的封装基板的制造方法的剖面示意图，图2是根据本专利技术一些实施例的细导电通孔与第一导电通孔的剖面示意图。请先参照图1A，细重布线路（fineredistributioncircuitry）FRDC形成在暂时性基板50上。细重布线路FRDC包括细导电图案FP、细介电层FD和细导电通孔FV。在一些实施例中，细导电图案FP叠在细介电层FD上。暂时性基板50由玻璃、塑料或其他适合的材料制成，只要作为暂时性基板50的材料能承受后续形成在其上的工艺即可。在一些实施例中，可在暂时性基板50上形成离型层（未示出），以加强在后续工艺中细重布线路FRDC从暂时性基板50移除的可剥离性。举例来说，细导电图案FP可通过沉积工艺、光刻和刻蚀工艺或其他适合的工艺而形成在暂时性基板50上。细导电图案FP可以是具有细微线宽和间距（fineline/space）布线的图案化的导电层。接着，包含多个开口的细介电层FD可利用涂覆工艺、光刻和刻蚀工艺或其他适合的工艺而形成在暂时性基板50上，以覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：第一部分，所述第一部分包括：第一细重布线路层，所述第一细重布线路层包括第一细导电图案；以及第一粗重布线路层，所述第一粗重布线路层设置在所述第一细重布线路层上并电连接所述第一细重布线路层，所述第一粗重布线路层包括电连接至所述第一细导电图案的第一粗导电图案，其中所述第一细导电图案的布线密度比所述第一粗导电图案的布线密度更密；第二部分，所述第二部分包括第二细重布线路层和第二粗重布线路层中的至少一个；以及中间部分，所述中间部分设置在所述第一部分与所述第二部分之间并电连接所述第一部分与所述第二部分。

【技术特征摘要】
2018.09.26 TW 107133917;2017.12.07 US 62/596,0681.一种基板结构，其特征在于，包括：第一部分，所述第一部分包括：第一细重布线路层，所述第一细重布线路层包括第一细导电图案；以及第一粗重布线路层，所述第一粗重布线路层设置在所述第一细重布线路层上并电连接所述第一细重布线路层，所述第一粗重布线路层包括电连接至所述第一细导电图案的第一粗导电图案，其中所述第一细导电图案的布线密度比所述第一粗导电图案的布线密度更密；第二部分，所述第二部分包括第二细重布线路层和第二粗重布线路层中的至少一个；以及中间部分，所述中间部分设置在所述第一部分与所述第二部分之间并电连接所述第一部分与所述第二部分。2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述第二部分包括：所述第二细重布线路层，所述第二细重布线路层包括第二细导电图案；以及所述第二粗重布线路层，所述第二粗重布线路层设置在所述第二细重布线路层上并包括电连接至所述第二细导电图案的第二粗导电图案，其中所述第二细导电图案的布线密度比所述第二粗导电图案的布线密度更密。3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述中间部分为可挠性线路板，所述中间部分的第一端连接至所述第一部分，所述中间部分的相对于所述第一端的第二端连接至所述第二部分。4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，所述基板结构适于与电子元件连接，所述中间部分包括信号传输元件，以传递所述电子元件所发出的信号。5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述第一细重布线路层还包括第一细导电通孔，所述第一粗重布线路层还包括第一粗导电通孔，所述第一细导电通孔和所述第一粗导电通孔分别设置在所述第一细重布线路层的所述第一细导电图案的相对两侧。6.根据权利要求5所述的基板结构，其特征在于，所述第一细重布线路层的所述第一细导电通孔的外径和所述第一粗重布线路层的所述第一粗导电通孔的外径中的至少一个朝向一方向渐窄。7.根据权利要求5所述的基板结构，其特征在于，所述第一细重布线路层的所述第一细导电通孔的所述外径与所述第一粗重布线路的所述第一粗导电通孔的所述外径朝向同一方向渐窄。8.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述第一部分还包括：核心，所述核心设置在相对于所述第一细重布线路层的所述第一粗重布线路层上，并电连接至所述第一粗导电图案，其中所述核心的杨氏模数大于所述第一粗重布线路层的杨氏模数。9.一种电子装置，其特征在于，包括：基板结构，所述基板结构包括：细重布线路层，所述细重布线路层具有第一开口并包括细导电图案；以及粗重布线路层，所述粗重布线路层具有与所述第一开口连通的第二开口，且所述粗重布线路层设置在所述细重布线路层上并电连接所述细重布线路层，所述粗重布线路层包括电连接至所述细导电图案的粗导电图案，其中所述细导电图案的布线密度比所述粗导电图案的布线密度更密，且所述粗重布线路层的所述第二开口暴露出至少部分的所述细重布线路层；芯片，所述芯片包括感测区，且设置在所述粗重布线路层的所述第二开口中并与被所述第二开口暴露的所述至少部分的所述细重布线路层电连接，其中所述细重布线路层的所述第一开口暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，
申请(专利权)人：胡迪群，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71