一种激光二极管及其制作方法技术

技术编号:14349728 阅读:218 留言:0更新日期:2017-01-04 20:25
本发明专利技术公开了一种激光二极管及其制作方法,首先依次在蓝宝石上生长缓冲层、N型层、活性层、P型层,然后将P型层上制作P型接触层,将散热条部分镶嵌到胶材内,制作成临时衬底,将P型接触层键合到临时衬底上,然后剥离蓝宝石衬底,对所得晶圆进行切割,切割后剥离胶材,在提高解理面质量的同时,提高器件散热性,降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光器件
,具体涉及一种GaN基激光二极管及其制作方法
技术介绍
蓝宝石衬底由于技术成熟、成本低廉等优势,被广泛应用在半导体器件上,传统的激光器件如图1所示,同时参看图2,由于蓝宝石的最佳解理面(即分割面)的r面与a面的夹角只有30度,沿蓝宝石a面解理时,剪切力作用很容易由a面滑移向r面,产生如图3所示的晶片的解理面为锯齿状腔面(分割面不平整),生长在蓝宝石衬底上的氮化镓激光芯片,解理过程中容易产生斜裂。现有作法因为蓝宝石衬底的激光器件因为在制作激光腔面解理面不易产生质量佳的腔面(原因如下说明),所以在制作上更换成GaN衬底成长外延层,获得较佳的解理面,然而GaN衬底价格高昂,导致激光器件成本大大提高。
技术实现思路
针对前述问题,本专利技术提出一种激光二极管的制作方法,用于解决
技术介绍
的问题。一种激光二极管的制作方法,用于制作氮化镓基激光二极管,步骤包括:S1、提供一蓝宝石衬底,在衬底上制作激光器外延层,依次包括:缓冲层、N型层、活性层、表面具有脊状条的P型层;S2、在脊状条上制作P型接触层,制作成过渡结构,准备进行衬底转换;S3、提供一临时衬底,临时衬底上镶嵌本文档来自技高网...
一种激光二极管及其制作方法

【技术保护点】
一种激光二极管,所述激光二极管为氮化镓基激光二极管,垂直通过解理面出光,依次包括金属基板、缓冲层、N型层、活性层和P型层,P型层表面具有脊状条,脊状条靠近活性层的端部大于其远离活性层的端部,其特征在于:所述激光二极管具有不少于1个的脊状条,脊状条上具有P型接触层,所述激光二极管靠近脊状条的一侧与散热条接触。

【技术特征摘要】
1.一种激光二极管,所述激光二极管为氮化镓基激光二极管,垂直通过解理面出光,依次包括金属基板、缓冲层、N型层、活性层和P型层,P型层表面具有脊状条,脊状条靠近活性层的端部大于其远离活性层的端部,其特征在于:所述激光二极管具有不少于1个的脊状条,脊状条上具有P型接触层,所述激光二极管靠近脊状条的一侧与散热条接触。2.根据权利要求1所述的一种激光二极管,其特征在于:所述散热条的材料至少包含铜、钨、陶瓷、钻石中的其中一种组分。3.根据权利要求1所述的一种激光二极管,其特征在于:所述散热条的高度为脊状条的高度1.5~4倍。4.根据权利要求1所述的一种激光二极管,其特征在于:所述散热条的宽度为100~2000μm。5.根据权利要求1所述的一种激光二极管,其特征在于:所述散热条的高度为100~2000μm。6.根据权利要求1所述的一种激光二极管,其特征在于:所述散热条的数量不少于一条。7.根据权利要求1所述的一种激光二极管,其特征在于:所述脊状条的材料包含GaN或AlGaN组分。8.一种激光二极管的制作方法,用于制作氮化镓基激光二极管,包括步骤:S1、提供一蓝宝石衬底,在衬底上制作激光器外延层,依次包括:缓冲层、N型层、活性层、表面具有脊状条的P型层;S2、在脊状条上制作P型接触层,制作成过渡结构;S3、提供一临时衬底,临时衬底上镶嵌有散热...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓有财张家豪陈明淮邱树添
申请(专利权)人:厦门三安光电有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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