一种具有阱区掺杂的发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、有源区、电子阻挡层、p‑GaN层和欧姆接触层；有源区由前量子垒、V型量子阱、后量子垒和量子阱依次周期堆叠组成，V型量子阱内掺杂，前量子垒、后量子垒、量子阱均无掺杂。本发明专利技术可以减少整个有源区的阻值，降低工作电压，提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管
，尤其是指一种具有阱区掺杂的发光二极管。
技术介绍
发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要的光源得到较快发展，近年来发光二极管的利用领域迅速扩展，随着LED行业竞争越来越激烈，提高发光二极管的亮度及降低成本成为其重要方向。现有技术中，采用多重量子阱（multiple quantum well，MQW）结构作为有源层的发光二极管，能获得较高的内量子效率。然而，多重量子阱有源层发光二极管的内量子效率有待进一步提高，如何获得更高的内量子效率也一直是发光二极管技术发展的一个热点方向。研究发现，提高发光二极管的有源区量子垒的电子阻挡效果也能有效地增加内量子效率。为了提高量子垒的电子阻挡效果，提高发光二极管的内量子效率，本案由此产生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有阱区掺杂的发光二极管，以减少整个有源区的阻值，降低工作电压，提高发光效率。为达成上述目的，本专利技术的解决方案为：一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n-GaN层、有源区、电子阻挡层、p-GaN层和欧姆接触层；有源区由前量子垒、V型量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、有源区、电子阻挡层、p‑GaN层和欧姆接触层；其特征在于：有源区由前量子垒、V型量子阱、后量子垒和量子阱依次周期堆叠组成，V型量子阱内掺杂，前量子垒、后量子垒、量子阱均无掺杂。

【技术特征摘要】
1.一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n-GaN层、有源区、电子阻挡层、p-GaN层和欧姆接触层；其特征在于：有源区由前量子垒、V型量子阱、后量子垒和量子阱依次周期堆叠组成，V型量子阱内掺杂，前量子垒、后量子垒、量子阱均无掺杂。2.如权利要求1所述的一种具有阱区掺杂的发光二极管，其特征在于：V型量子阱为n型掺杂，掺杂浓度≧1E+18。3.如权利要求1所述的一种具有阱区掺杂的发光二极管，其特征在于：V型量子阱为Si掺杂。4.如权利要求1所述的一种具有阱区掺杂的发光二极管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，张永，卓祥景，姜伟，汪洋，童吉楚，方天足，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35