带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3‑10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明专利技术的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。

【技术实现步骤摘要】
201610253193

【技术保护点】
一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，包括:衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，其特征在于：有源层包括多层结构和发光单元, 所述发光单元设置于多层结构上，所述发光单元包括发射波长在400nm‑650nm的 3‑10个发光区域。

【技术特征摘要】
1.一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，包括:衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，其特征在于：有源层包括多层结构和发光单元, 所述发光单元设置于多层结构上，所述发光单元包括发射波长在400nm-650nm的 3-10个发光区域。2.根据权利要求1所述的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述衬底包括下列材料中的一种或若干种：硅；蓝宝石；碳化硅；氮化镓；氮化铝、锗；砷化镓。3.根据权利要求1所述的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述多层结构产生V坑，所述V坑为通过生长条件控制形成的从截面看为V字型的坑。4.根据权利要求3所述的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，其特征在于：V坑产生于多层结构，贯穿整个发光单元。5.根据权利要求1所述的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，其特征在于：发光单元由3～10个不同波长的发光区域组成。6.根据权利要求5所述的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫春兰，刘军林，江风益，全知觉，张建立，王小兰，王光绪，吴小明，
申请(专利权)人：南昌大学，南昌黄绿照明有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36