一种提高SONOS器件读取电流的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高SONOS器件读取电流的方法，包括：步骤S01：提供一硅衬底，对所述硅衬底进行阱注入，形成阱区；步骤S02：在所述阱区上方的硅衬底中形成阻挡层，以阻止阱区中的注入离子向沟道中扩散；步骤S03：对所述阻挡层上方的沟道区进行阈值电压调整注入；步骤S04：在沟道区对应的所述硅衬底上形成栅极结构，以及在栅极结构两侧的硅衬底中形成源极和漏极。利用阻挡层对阱区中注入离子的阻挡作用，可在后续的炉管高温作业中阻止阱区中的注入离子向沟道中扩散，因而减少了沟道中的杂质离子，阻止了阱区注入离子对沟道的不利影响，从而提升了沟道的迁移率，提高了SONOS器件的读取电流，最终提升了SONOS器件的性能。

Method for improving reading current of SONOS device

The invention discloses a method to improve the read current SONOS device comprises the following steps: step S01: providing a silicon substrate, were well injection on the silicon substrate, forming a well region; step S02: a barrier layer formed on a silicon substrate is arranged above the well region, to prevent injection wells area ion diffusion to the channel; step S03: the layer above the channel region of block threshold voltage adjustment of injection; step S04: forming a gate structure corresponding to the silicon substrate in the channel region on the silicon substrate, and in the two sides of the gate structure is formed in the source and drain. The use of barrier layer on wells in ion implantation barrier effect, in the subsequent furnace tube wells in the ion channel diffusion to prevent high temperature operation, thus reducing the impurity ions in the channel, to prevent adverse effects of wells injection ion channel, so as to enhance the migration channel the rate of increase of SONOS devices to read current and ultimately enhance the performance of SONOS devices.

【技术实现步骤摘要】
一种提高SONOS器件读取电流的方法
本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种提高SONOS器件读取电流的方法。
技术介绍
SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)是一种和闪存联系较为紧密的非易失性存储器。典型的SONOS结构是由硅衬底(S)-隧穿氧化层(O)-电荷存储层氮化硅(N)-阻挡氧化层(O)-多晶硅栅极(S)组成。这种结构利用电子的隧穿来进行编译，利用空穴的注入来进行数据的擦除。在SONOS中，电荷是存储在一个ONO(Oxide-Nitride-Oxide，二氧化硅/氮化硅/二氧化硅)介质层中的俘获中心里，因而被称为电荷俘获器件。请参阅图1-图2，图1-图2是现有的一种SONOS器件的离子注入状态示意图。如图1所示，其显示一种SONOSMOS器件，其在硅衬底10上形成有栅极结构14，该栅极结构包括ONO层11、多晶硅层12，在栅极两侧形成有侧墙13。现有的SONOS工艺中，SONOSMOS器件的离子注入构成主要包括在硅衬底10中进行阱注入(wellimplant)，阈值电压调整注入(Vtim本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高SONOS器件读取电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一硅衬底，对所述硅衬底进行阱注入，形成阱区；步骤S02：在所述阱区上方的硅衬底中形成阻挡层，以阻止阱区中的注入离子向沟道中扩散；步骤S03：对所述阻挡层上方的沟道区进行阈值电压调整注入；步骤S04：在沟道区对应的所述硅衬底上形成栅极结构，以及在栅极结构两侧的硅衬底中形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种提高SONOS器件读取电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一硅衬底，对所述硅衬底进行阱注入，形成阱区；步骤S02：在所述阱区上方的硅衬底中形成阻挡层，以阻止阱区中的注入离子向沟道中扩散；步骤S03：对所述阻挡层上方的沟道区进行阈值电压调整注入；步骤S04：在沟道区对应的所述硅衬底上形成栅极结构，以及在栅极结构两侧的硅衬底中形成源极和漏极。2.根据权利要求1所述的提高SONOS器件读取电流的方法，其特征在于，所述阻挡层与阱区之间存在间隙。3.根据权利要求1所述的提高SONOS器件读取电流的方法，其特征在于，所述阻挡层与阈值电压调整注入区域之间存在间隙。4.根据权利要求1-3任意一项所述的提高SONOS器件读取电流的方法，其特征在于，步骤S02中，通过对所述阱区上方的硅衬底中进行离子注入，以形成所述阻挡层。5.根据权利要求4所述的提高SONOS器件读取电流的方法，其特征在于，通过调整离子注入的能量，以在阱区与...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐小亮，章晶，陈广龙，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31