高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架（1）以及粘贴于框架（1）上的大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的G极与框架（1）的G脚之间连接有一根G引线（3），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极与框架（1）的S脚之间连接有两根S引线（4），其特征在于所述S引线（4）与大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极之间为双点键合。本实用新型专利技术由于S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间为双点键合，使得S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间增大了接触面积，使得电性内阻减小，芯片性能提高的同时不会增加成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构。
技术介绍
参见图1，传统的大电流VDMOS功率器件芯片封装结构包括框架I以及粘贴于框架I上的大电流VDMOS功率器件芯片2，所述大电流VDMOS功率器件芯片2的G极与框架I的G脚之间连接有一根G引线3，所述大电流VDMOS功率器件芯片2的S极与框架I的S脚之间连接有两根S引线4，所述S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极之间为单点键合，即每根S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极的连接处均设置有一个键合点5。由于单点键合使得S弓丨线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极之间接触面积较小，使得电性内阻增大，芯片性能降低，为了增加接触面积，可以使用两根以上S引线，可是这样会增大成本。因此寻求一种提升性能且不增加成本的大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构尤为重要。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不 足，提供一种提升性能且不增加成本的大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构。本技术的目的是这样实现的一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架（1）以及粘贴于框架（1）上的大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的G极与框架（1）的G脚之间连接有一根G引线（3），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极与框架（1）的S脚之间连接有两根S引线（4），其特征在于所述S引线（4）与大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极之间为双点键合。

【技术特征摘要】
1.ー种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架(I)以及粘贴于框架(I)上的大电流VDMOS功率器件芯片(2)，所述大电流VDMOS功率器件芯片(2)的G极与框架(I)的G脚之间连接有一根G引线(3)，所述大电流VDMOS功率器件芯片(2)的S极与框架(I)的S脚之间连接有两根S引线(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建斌，
申请(专利权)人：江阴苏阳电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：