半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层（n+sub），在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱，并且包括第二导通型本体区，其特征在于，给第二导通型本体区提供局部化区域，所述局部化区域在雪崩情况下承载电流，而在导通情况下负载电流的主要部分不流经该区域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层，在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱，并且包括第二导通型本体区。
技术介绍
在功率半导体开关情况下，在切断不能自振荡的感性负载(诸如漏感)时以原则上任意的高度出现过压尖峰。如果不补入诸如自振荡二极管或缓冲电容器的电路措施，则电压升闻直至开关击穿。在开关击穿时，负载电流经由以雪崩倍增生成的载流子对继续被引导。所述载流子以饱和漂移速度飞过截止空间电荷区并且在此导致电场特性曲线的“弯曲”。特别是在诸如具有柱形补偿区域的CoolMOS的补偿器件情况下，由于雪崩生成的载流子通过柱的横向电场被分开并且空穴穿过P柱向源极方向流动，而电子向n区域方向漏极流动。在此，在电流密度足够高的情况下，芯片中的其他高场区由于上面所述的场弯曲而导致过度的载流子生成并且导致器件处的截止电压崩溃。由此可能发生TRAPATT振荡，这可能导致器件破坏。从US2011/0101446A1已知一种超结MOSFET器件，其中示出了 p补偿区域，所述p补偿区域交替地比其他补偿区域较少深入地伸展(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层（n+sub），在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱并且包括第二导通型本体区，其特征在于，给第二导通型本体区提供局部化区域，所述局部化区域在雪崩情况下承载电流，而在导通情况下负载电流的主要部分不流经所述局部化区域。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层(n+sub)，在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱并且包括第二导通型本体区，其特征在于，给第二导通型本体区提供局部化区域，所述局部化区域在雪崩情况下承载电流，而在导通情况下负载电流的主要部分不流经所述局部化区域。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，负载电流在导通情况下不流经所述局部化区域。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，局部化区域被实施为不具有补偿电荷的单元。4.根据权利要求1或3所述的半导体器件，其特征在于，局部化区域不具有源极区域用于预防单元的封锁。5.根据权利要求1或3所述的半导体器件，其特征在于，在第二导通型本体区之下的提高的第二导通型掺杂也可以以扩散的第二导通型区的形式实现。6.根据权利要求1或3所述的半导体器件，其特征在于，代替附加的第二导通型掺杂， 能够利用提高的第一导通型掺杂来实现场尖峰和从而实现局部化区域。7.根据权利要求5所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：A毛德，A维尔梅罗特，F希尔勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：实用新型
国别省市：