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本实用新型涉及一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层（n+sub），在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱，并且包括第二导通型本体区，其特征在于，给第二导通型...
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