一种横向高压晶体管制造技术

提出了一种横向高压晶体管。根据实用新型专利技术实施例的横向高压晶体管包括利用其栅区和第一掩埋层分别作为“顶栅”和“底栅”的JFET，当施加于漏区上的电压超过了JFET的夹断电压时，所述JFET夹断以保护横向高压晶体管不被击穿。从而使横向高压晶体管可以在不必牺牲其击穿电压的情况下仍可能获得较低的导通电阻。另外横向高压晶体管还可以包括第二掩埋层，用于将源区与衬底隔离，从而允许源区承担比衬底电压更高的电压，以满足一些应用场合的需求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及半导体器件，尤其涉及横向高压晶体管。
技术介绍
横向高压晶体管正在被广泛应用于各种工业电子设备及消费电子设备的集成高压电源管理电路中。在这些高压电源管理电路中，横向晶体管通常响应于控制信号而导通或关断，从而将供电电压转换为适合驱动例如工业电子设备及消费电子设备的输出电压。大多数高压电源管理电路接收的供电电压可能比较高，例如高到1000V，因此，应用于这些高压电源管理电路中的横向高压晶体管应该既具有较高的击穿电压(breakdown voltage)又具有较低的导通电阻(on-resistance)以提高电源管理电路的工作稳定性及工作效率。大部分现有的横向晶体管包括源区和体区，它们通常连接在一起以减弱寄生双极型晶体管的影响，从而保证该横向晶体管具有良好的稳固性或安全工作区域(Safe-Operation-Area)0然而，体区通常与衬底相连接，因而导致源区与衬底共享同样的电压。但是，在很多电源管理应用中，希望提供一种横向高压晶体管，其源区可以承受比衬底电压更高的电压，同时，该高压晶体管还要具有良好的耐高压能力(例如需要其具有较高的击穿电压)和良好的载流能力(例如需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向高压晶体管，包括：半导体层，具有第一导电类型；源区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该源区形成于所述半导体层中；漏区，具有所述第二导电类型，该漏区形成于所述半导体层中并与所述源区相分离；第一隔离层，形成在位于所述源区和漏区之间的所述半导体层上；第一阱区，具有所述的第二导电类型，该第一阱区形成于所述漏区的外围，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；第二阱区，形成于所述源区外围，并具有所述的第一导电类型；栅区，形成在位于所述第二阱区和与该第二阱区邻近的部分第一阱区之上的所述第一隔离层上；以及第一掩埋层，形成于邻近所述源区一侧的所述第一阱区下方，具有所述的第一导电类型。

【技术特征摘要】
2011.08.17 US 13/212,0971.一种横向高压晶体管,包括 半导体层，具有第一导电类型； 源区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该源区形成于所述半导体层中； 漏区，具有所述第二导电类型，该漏区形成于所述半导体层中并与所述源区相分离； 第一隔离层，形成在位于所述源区和漏区之间的所述半导体层上； 第一阱区，具有所述的第二导电类型，该第一阱区形成于所述漏区的外围，向所述源区延伸，但与所述源区相分离； 第二阱区，形成于所述源区外围，并具有所述的第一导电类型； 栅区，形成在位于所述第二阱区和与该第二阱区邻近的部分第一阱区之上的所述第一隔离层上；以及 第一掩埋层，形成于邻近所述源区一侧的所述第一阱区下方，具有所述的第一导电类型。2.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，当施加在所述漏区上的电压高于一个夹断电压时，所述第一阱区的位于所述栅区和所述第一掩埋层之间的部分被该栅区和该第一掩埋层充分耗尽。3.如权利要求3所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述夹断电压低于所述第一阱区和第二阱区之间的结击穿电压。4.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，进一步包括第二掩埋层，该第二掩埋层形成于所述第二阱区的下方，具有所述的第二导电类型，并且与所述的第一阱区耦接。5.如权利要求4所述的横向高压晶体管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳徳·迪斯尼，欧力杰·米力克，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：