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一种自保护晶体管制造技术

技术编号:9329193 阅读:114 留言:0更新日期:2013-11-08 02:22
一种自保护晶体管,包括双极型晶体管与场效应晶体管,针对现有晶体管在自身温度偏高时不能自动停止工作而无法避免过载损坏的不足之处,将一条双金属片的一端焊接在晶体管输入端的一只引脚上,双金属片的另一端则伸向晶体管输入端的另一只引脚并与之靠近而不接触,且双金属片的温升形变方向选择为使双金属片表面与所靠近的另一只引脚表面的距离随温升对应缩小,当晶体管因过载而温度偏高时,双金属片对应温度升高所产生的较大形变使上述距离缩小至零而将晶体管输入端的二引脚短路,迫使晶体管自动停止工作,实现自保护功能。采用这种自保护晶体管能够有效地实现对晶体管的过载保护,提高电路的可靠性,可广泛应用于各种电子电路中。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种自保护晶体管,包括双极型晶体管与场效应晶体管,其特征为将一条双金属片的一端连接在晶体管输入端的一只引脚上,如双极型晶体管的基极引脚或发射极引脚、场效应晶体管的栅极引脚或源极引脚,且连接点靠近引脚的根部而邻近晶体管的管芯,双金属片的另一端则伸向晶体管输入端的另一只引脚并与之靠近而不接触,且双金属片的温升形变方向选择为使双金属片的另一端的表面与所靠近的另一只引脚表面的距离随双金属片的温升而对应缩小,当双金属片温度升高到预定范围时,上述距离缩小至零而使晶体管输入端的二只引脚短路,实现自保护。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李先栗
申请(专利权)人:李博
类型:实用新型
国别省市:

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