横向高压晶体管制造技术

提出了一种横向高压晶体管。根据本实用新型专利技术实施例的横向高压晶体管包括半导体层、形成于该半导体层中的漏区和源区、形成于该半导体层中并位于其漏区周围的第一阱区、第一隔离层、栅区、位于其漏区和栅区之间的第一隔离层上的螺旋阻性场板、以及形成于该第一阱区中的掩埋层，该掩埋层位于所述螺旋阻性场板的下方。根据本实用新型专利技术的实施例，所述螺旋阻性场板和所述掩埋层有助于将所述第一阱区的位于所述掩埋层上方的部分耗尽；所述掩埋层和所述半导体层有助于将所述第一阱区的位于所述掩埋层和所述半导体层之间的部分耗尽。从而使横向高压晶体管可以在不必牺牲其击穿电压的情况下仍可能获得较低的导通电阻。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及半导体器件，尤其涉及横向高压晶体管。
技术介绍
通常，诸如应用于各种エ业电子设备及消费电子设备中的集成高压电源管理电路中，在其输出端会包括高压晶体管。应用于这些高压电源管理电路中的高压晶体管通常响应于控制信号而导通或关断，从而将供电电压转换为适合驱动例如エ业电子设备及消费电子设备的输出电压。大多数高压电源管理电路接收的供电电压可能比较高，例如高到1000V，因此，应用于这些高压电源管理电路中的高压晶体管应该能够承受如此高的供电电 压。也就是说，为了保证电源管理电路的工作稳定性，应用于该电源管理电路中的高压晶体管应该具有较高的击穿电压(breakdown voltage)。同时,在实际应用中还希望应用于电源管理电路中的高压晶体管具有较低的导通电阻(on-resistance)，以改善该高压晶体管的电流处理能力并提高所述电源管理电路的功率转换效率。通常，可以通过増大高压晶体管中位于漏区与源区之间的漂移区的掺杂浓度来降低高压晶体管的导通电阻。然而，漂移区掺杂浓度的增大使其更难于被耗尽，从而会导致高压晶体管的击穿电压降低。因此，希望提供一种高压晶体管器件，其可以不必牺牲击本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向高压晶体管，包括：半导体层，具有第一导电类型；源区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该源区位于所述半导体层中；漏区，具有所述第二导电类型，该漏区位于所述半导体层中并与所述源区相分离；第一隔离层，形成在位于所述源区和漏区之间的所述半导体层上；第一阱区，具有所述的第二导电类型，该第一阱区环绕所述漏区形成，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；栅区，形成在位于所述第二阱区和与该第二阱区邻近的部分第一阱区之上的所述第一隔离层上；以及螺旋阻性场板，形成在位于所述漏区和所述栅区之间的所述第一隔离层上，其中所述螺旋阻性场板包括第一端和第二端，所述第一端耦接所述源区，所述第二端耦接所述漏区；以...

【技术特征摘要】
2011.12.21 US 13/332,8621.ー种横向高压晶体管,包括 半导体层，具有第一导电类型； 源区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该源区位于所述半导体层中； 漏区，具有所述第二导电类型，该漏区位于所述半导体层中并与所述源区相分离； 第一隔离层，形成在位于所述源区和漏区之间的所述半导体层上； 第一阱区，具有所述的第二导电类型，该第一阱区环绕所述漏区形成，向所述源区延イ申，但与所述源区相分离； 栅区，形成在位于所述第二阱区和与该第二阱区邻近的部分第一阱区之上的所述第一隔离层上；以及 螺旋阻性场板，形成在位于所述漏区和所述栅区之间的所述第一隔离层上，其中所述螺旋阻性场板包括第一端和第二端，所述第一端耦接所述源区，所述第二端耦接所述漏区；以及 掩埋层，形成于所述第一阱区中，掩埋在位于所述螺旋阻性场板下方的所述第一阱区中，具有所述的第一导电类型。2.如权利要求I所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述第一阱区包括位于所述螺旋阻性场板和所述掩埋层之间的第一部分，以及位于所述掩埋层和所述半导体层之间的第二部分。3.如权利要求2所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述螺旋阻性场板和所述掩埋层用于耗尽所述第一阱区的第一部分，所述掩埋层和所述半导体层用于耗尽所述第一阱区的第二部分。4.如权利要求I所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述第一阱区可以包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳徳·迪斯尼，欧力杰·米力克，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：