一种动态补偿晶体频偏的方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种动态补偿晶体频偏的方法，包括，在同步过程正常时，获得鉴相值正常的结果压控值，同时采集数模转换器DAC值正常的压控值，对压控值根据温度和时间分类处理；根据所述分类处理的压控值，获得晶体的温度参数和老化参数；在同步单元得不到同步信息后，利用所述温度参数和老化参数补偿所述结果压控值得到同步再生信号。本发明专利技术还提供了一种动态补偿晶体频偏的系统。采用本发明专利技术的技术方案，引入了学习算法，通过CPU学习每颗晶体的个体温度特性和老化特性，并对其补偿，得到了稳定再生同步信号，提高了晶体的稳定性，使得晶体的保持能力得到进一步提升。

【技术实现步骤摘要】
一种动态补偿晶体频偏的方法及系统
本专利技术涉及通信领域，特别地涉及一种动态补偿晶体频偏的方法及系统。
技术介绍
在通信
，TDD系统是被广为使用的一种复用方式，但是其对时间同步要求也异常严格。一般都要求时间同步在10us以内，甚至更小；同时对频率稳定度也有非常高的要求，一般在0.1ppm甚至更小。如图1所示，为采用晶体单元提供时间同步信号的系统架构图；具体包括同步单元、CPU、FPGA(Field－ProgrammableGateArra，即现场可编程门阵列)、晶体单元，晶体单元一般为TCXO(TemperatureCompensateX'tal(crystal)Oscillator，温度补偿晶体振荡器)或OCXO(OvenControlledCrystalOscillator)恒温晶体振荡器)，CPU连接存储器，FPGA内包括鉴相器，还包括DAC(DigitaltoAnalogConverter，数模转换器)，驱动器，以及外部PLL(PhaseLockedLoop，锁相环)等。因此，目前的通用做法是：在TDD系统中一般采用稳定度较高的晶体，提供稳定的频率。同时利用晶体对外部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态补偿晶体频偏的方法，其特征在于，包括，在同步过程正常时，获得鉴相值正常的结果压控值，同时采集数模转换器DAC值正常的压控值，对压控值根据温度和时间分类处理；根据所述分类处理的压控值，获得晶体的温度参数和老化参数；在同步单元得不到同步信息后，利用所述温度参数和老化参数补偿所述结果压控值得到同步再生信号。

【技术特征摘要】
1.一种动态补偿晶体频偏的方法，其特征在于，包括，在同步过程正常时，获得鉴相值正常的结果压控值，同时采集数模转换器DAC值正常的压控值，对压控值根据温度和时间分类处理；根据所述分类处理的压控值，获得晶体的温度参数和老化参数；在同步单元得不到同步信息后，利用所述温度参数和老化参数补偿所述结果压控值得到同步再生信号。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获得鉴相值正常的结果压控值具体为，在鉴相值正常运行时，同步信号正常后，记录最近的N个压控值，实时加权计算出结果压控值Vc，N≥1。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采集DAC值正常的压控值，对压控值根据温度和时间分类处理具体为，所述DAC值为正常运行时，且同步正常后，记录压控值V(n,t,T)，其中n代表具体记录数量,t代表温度，T代表一段连续时间；在一段连续时间T1内，记录m个温度，针对所述连续时间T1内记录的m个温度中的每个温度，分别记录n个数值；记录另外一段连续时间T2内，记录m个温度，针对所述连续时间T2内记录的m个温度中的每个温度，分别记录n个数值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，获得晶体的老化参数具体为，分别从T1和T2中选取温度值对应的压控值，进行差值计算，获得老化引入的压控电压变化△Vo；根据晶体频率与电压转换公式获得晶体的老化参数△fo；其中，晶体频率与电压转换公式为：△fm＝K*△V；其中，△fm为晶体的频率变化量，△V表示压控端的电压变化量，K为比例系数。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，获得晶体的温度参数具体为，在T时间段内，根据记录各温度时的压控值V(tm,T)，获得温度变化引入的压控电压变化△Vt，根据晶体频率与电压转换公式获得晶体的温度参数△ft；对△ft数据进行加权平均，将加权平均的数据作为温度参数进行保存；其中，晶体频率与电压转换公式为：△fm＝K*△V；其中，△fm为晶体的频率变化量，△V表示压控端的电压变化量，K为比例系数。6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，利用所述温度参数和老化参数补偿所述结果压控值得到同步再生信号具体为，当同步信号丢失后，使压控端电压的值为Vc；同时利用温度传感器，采集晶体温度，当发现温度变化时，查找温度参数；利用再生的同步信号，统计同步信号丢失时间，当丢失时间超过门限时间后，利用老化参数进行补偿；并将温度参数和老化参数结合为△f；根据晶体频率与电压转换公式将频率变化△f转换成补偿电压△VDAC_T...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔跃，马磊，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：