晶体管的驱动电路制造技术

在各个实施方式中，提供了晶体管的驱动电路，其中所述晶体管的驱动电路可包括：晶体管，具有控制端；二极管；电容器，具有第一端和第二端，其中该第一端可耦接至该控制端，第二端可经由二极管耦接至基准电位；以及电阻器，并联耦接至该电容器。

【技术实现步骤摘要】
晶体管的驱动电路
各种实施方式涉及晶体管的驱动电路。
技术介绍
在晶体管，诸如功率晶体管，例如IGBT（绝缘栅双极型晶体管），用于开关较高功率的应用中，在接通晶体管时会产生脉冲电流。那些脉冲电流可来源于可放电的设置在功率晶体管上游的其他电路元件，例如，布置在电源和功率晶体管之间的电压链路或中间电压电路。脉冲电路可具有功率晶体管的规格范围以外的幅值，从而可能损伤甚至破坏功率晶体管。为了防止产生脉冲电流，功率晶体管可经由高栅电阻进行切换，以便放慢开关过程。但是，该措施关于减小脉冲电流的有益效果非常小，可被忽略。进一步可能的对策是提供并联连接在功率晶体管的栅极与发射极/源极之间的电容。遗憾的是，该方法会大幅增加切断损耗，因为该功率晶体管被缓慢切断，从而会存在尾电流，其会增加总开关损耗。
技术实现思路
在各种实施方式中，提供了一种晶体管的驱动电路，其中所述晶体管的驱动电路包括：晶体管，具有控制端；二极管；电容器，具有第一端和第二端，其中该第一端可耦接至该控制端，第二端经由二极管可耦接至基准电位；以及电阻器，并联耦接至该电容器。附图说明在附图中，相同的参考标记通常指代全篇中不同附图中相同的部件。附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管的驱动电路，包括：晶体管，包括控制端；二极管；电容器，具有第一端和第二端，其中所述第一端耦接至所述控制端，所述第二端经由所述二极管耦接至基准电位；以及电阻器，并联耦接至所述电容器。

【技术特征摘要】
2012.05.29 US 13/481,9821.一种晶体管的驱动电路，包括：晶体管，包括控制端和集电极端；二极管；电容器，具有第一端和第二端，其中所述第一端耦接至所述控制端，所述第二端经由所述二极管耦接至基准电位；以及电阻器，并联耦接至所述电容器，其中，所述电容器的电容值比所述驱动电路的寄生电容的总和大，至少是其5倍，其中所述驱动电路中的除所述晶体管之外的所有电子元件被耦接在所述控制端与所述集电极端之间。2.根据权利要求1所述的晶体管的驱动电路，其中，所述晶体管被配置为功率晶体管。3.根据权利要求1所述的晶体管的驱动电路，其中，所述晶体管被配置为IGBT。4.根据权利要求1所述的晶体管的驱动电路，其中，所述晶体管的所述控制端包括所述晶体管的栅极。5.根据权利要求1所述的晶体管的驱动电路，进一步包括：开关电路，被配置为产生开关信号，其中，所述开关电路的输出耦接至所述晶体管的所述控制端。6.根据权利要求1所述的晶体管的驱动电路，其中，所述驱动电路被配置为延迟在所述控制端由在所述晶体管被接通时提供至所述控制端的接通信号所引起的电势增加。7.一种晶体管的控制电路，包括：晶体管，包括栅极端子和集电极端；二极管；电容器，具有第一侧和第二侧，其中所述第一侧耦接至所述栅极端子，所述第二侧经由所述二极管耦接至基准电位；以及电阻器，具有第一端和第二端，其中所述第一端耦接至所述栅极端子，所述第二端耦接至所述电容器和所述二极管之间的电通路，其中，所述电容器的电容比所述控制电路的寄生电容的总和大，至少是其5倍，其中所述控制电路中的除所述晶体管之外的所有电子元件被耦接在所述控制端与所述集电极端之间。8.根据权利要求7所述的晶体管的控制电路，其中，所述晶体管被配置为功率晶体管。9.根据权利要求7所述的晶体管的控制电路，其中，所述晶体管被配置为IGBT。10.根据权利要求7所述的晶体管的控制电路，其中，所述晶体管进一步包括耦接至所述栅极端子的栅极。11.根据权利要求7所述的晶体管的控制电路，进一步包括：开关电路，被配置为接通和切...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·基默，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：