金氧半场效晶体管布局结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种金氧半场效晶体管布局结构及方法，包含复数个金氧半场效晶体管单元、一源极金属结构及一漏极金属结构。源极金属结构电性连接至复数个金氧半场效晶体管单元的源极，于一预定轴方向源极金属结构的宽度逐渐变窄。漏极金属结构，电性连接至复数个金氧半场效晶体管单元的漏极，于预定轴方向漏极金属结构的宽度逐渐变宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种金氧半场效晶 体管中的复数个金氧半场效晶体管单元流经大致相同电流的布局结构及方法。
技术介绍
现今电脑的主要元件，例如中央处理器(CPU)、存储器等，其工作电压有逐步下 降的发展趋势。在所需的功耗未能等比例下降的情况下，这些元件操作所需的电流则逐步 上升。因此，作为电源管理应用中的电源开关一金氧半导体晶体管而言，最大承受电流值 也需随之上升。然而，在积体电路积集度提高的发展下，金氧半导体晶体管的源极与漏极的 金属连接导线宽度势必受限，使得金属连接导线的电流密度提高及金属连接导线有严重电 压降。严重电压则造成金氧半导体晶体管中的金氧半导体晶体管单元导通的电流不均。而 金属连接导线的电流密度提高会使电迁移(Electron Migration)的问题变的明显，尤其导 通电流不均更会使导通较大电流的金氧半导体晶体管单元更易因电迁移而毁损。因此，现 有的功率金氧半导体晶体管很难兼具大电流功能与高积集度布局两种性质。请参考图1，为一现有的金氧半场效晶体管结构的平面示意图。在此金氧半场效 晶体管结构中，栅极导线具有短条状栅极图案31及长条状栅极图案32，蜿蜒并连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金氧半场效晶体管布局结构，包含：复数个金氧半场效晶体管单元；一第一源极金属结构，电性连接至该复数个金氧半场效晶体管单元的源极，于一预定轴方向该第一源极金属结构的宽度逐渐变窄；以及一第一漏极金属结构，电性连接至该复数个金氧半场效晶体管单元的漏极，于该预定轴方向该第一漏极金属结构的宽度逐渐变宽。

【技术特征摘要】
1.一种金氧半场效晶体管布局结构，包含复数个金氧半场效晶体管单元；一第一源极金属结构，电性连接至该复数个金氧半场效晶体管单元的源极，于一预定 轴方向该第一源极金属结构的宽度逐渐变窄；以及一第一漏极金属结构，电性连接至该复数个金氧半场效晶体管单元的漏极，于该预定 轴方向该第一漏极金属结构的宽度逐渐变宽。2.根据权利要求1所述的金氧半场效晶体管布局结构，其中该第一源极金属结构是以 阶梯式变窄，而该第一漏极金属结构是以阶梯式变宽。3.根据权利要求2所述的金氧半场效晶体管布局结构，还包含一源极导线结构及一漏 极导线结构，该源极导线结构电性连接该复数个金氧半场效晶体管单元的源极及该第一源 极金属结构且成锯尺状，该漏极导线结构电性连接该复数个金氧半场效晶体管单元的漏极 及该第一漏极金属结构且成锯尺状。4.根据权利要求2所述的金氧半场效晶体管布局结构，其中该第一源极金属结构的面 积与该第一漏极金属结构的面积相等。5.根据权利要求1所述的金氧半场效晶体管布局结构，还包含一第二源极金属结构，电性连接至第一源极金属结构，并于该预定轴方向该第二源极 金属结构的宽度逐渐变宽；以及一第二漏极金属结构，电性连接至该第一漏极金属结构，于该预定轴方向该第二漏极 金属结构的宽度逐渐变窄。6.根据权利要求5所述的金氧半场效晶体管布局结构，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭国伟，刘中唯，周倩华，
申请(专利权)人：登丰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]