【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件，且特别是有关于数种金属氧化物半场效晶体管。
技术介绍
超高压元件在操作时必须具有高击穿电压(breakdown voltage)以及低的开启电阻(on-state resistance, Ron),以减少功率损耗失。为能提供较高电流并维持足够大的击穿电压，目前已发展出阵列式的结构。在交流-直流电产品的布局中，通过阵列结构可以減少布局面积并且提升元件的效能。目前所发展的ー种超高压元件，其源极区以及漏极区均呈指叉状。虽然指叉状的源极端以及漏极端能够减少布局的面积，但是，其曲率非常大，特别是在源极端会有非常大的电流聚集，成为击穿点，导致元件的击穿电压下降
技术实现思路
本专利技术实施例提供数种金属氧化物半场效晶体管，其可以减少布局的面积，且可避免源极与漏极端电流聚集，提升元件的击穿电压，降低元件的开启电阻。依照本专利技术ー实施例，提出ー种金属氧化物半场效晶体管，包括源极区、漏极区、栅极以及栅介电层。漏极区位于基底中，呈椭圆形螺旋状，且其起始部分别呈条状或水滴状，或其起始部的曲率为0. 02um_1至0. 0025um_1o源极区,位于基底中，环...
【技术保护点】
一种金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，包括：一漏极区，位于一基底中，所述漏极区具有第一导电型，呈椭圆形螺旋状，其起始部呈条状或水滴状，或其起始部的曲率为0.02um？1至0.0025um？1；一源极区，具有第一导电型，位于所述基底中，环绕于所述漏极区周缘；一栅极，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底上；以及一栅介电层位于所述栅极与所述基底之间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，潘钦寒，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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