半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。
技术介绍
在本说明书中，半导体装置一般表示能够通过利用半导体特性来起作用的任何装置，并且电子光学装置、半导体电路和电子设备都包含在半导体装置的类别中。已经将注意力集中在用于借助于具有绝缘表面的衬底之上形成的半导体薄膜来形成晶体管的技术(该晶体管又称作薄膜晶体管(TFT))。晶体管已经应用于大范围的电子装置，例如集成电路(IC)或图像显示装置(显示装置)。硅半导体材料被广泛已知是用于可适用于晶体管的半导体薄膜的材料。作为另一种材料，氧化物半导体引起了关注。例如，公开了其活性层包括包含铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管(参见专利文献1)。[参考文献]专利文献1：日本公布专利申请No.2006-165528。
技术实现思路
晶体管的通态特性(例如通态电流和场效应迁移率)的改进引起对输入信号的高速响应以及半导体装置的高速操作；因此，能够实现具有较高性能的半导体装置。同时，需要晶体管的断态电流充分小，以便获得半导体装置的低功率消耗。如上所述，晶体管所必需的电特性根据其目的或目标而...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极之上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜之上的氧化物半导体堆叠层，所述氧化物半导体堆叠层包括： 所述栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；以及 所述第一氧化物半导体层之上的第二氧化物半导体层；以及所述氧化物半导体堆叠层之上的源电极和漏电极，其中，所述第一氧化物半导体层的能隙与所述第二氧化物半导体层的能隙彼此不同。
【技术特征摘要】
2011.07.08 JP 2011-1520991.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极之上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜之上的氧化物半导体堆叠层，所述氧化物半导体堆叠层包括：所述栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；以及所述第一氧化物半导体层之上的第二氧化物半导体层；以及所述氧化物半导体堆叠层之上的源电极和漏电极，其中，所述第一氧化物半导体层的能隙与所述第二氧化物半导体层的能隙彼此不同，以及所述氧化物半导体堆叠层包括其中氧含量比晶态下的氧化物半导体的化学计量组成比中的氧含量要高的区域。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的顶面和侧面。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层包括其中包含掺杂剂的低电阻区。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层在所述第一氧化物半导体层与所述第二氧化物半导体层之间包括混合区，其中，所述第一氧化物半导体层包括第一元素，其中，所述第二氧化物半导体层包括第二元素，以及其中，所述混合区包括所述第一元素和所述第二元素。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层在所述第二氧化物半导体层之上包括第三氧化物半导体层；以及其中，所述第二氧化物半导体层的能隙小于所述第三氧化物半导体层的能隙。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第三氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的侧面以及所述第二氧化物半导体层的顶面和侧面。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层包括其中包含c轴配向的晶体。8.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极之上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜之上的源电极和漏电极；以及所述源电极和所述漏电极之上的氧化物半导体堆叠层，所述氧化物半导体堆叠层包括：第一氧化物半导体层；以及所述第一氧化物半导体层之上的第二氧化物半导体层，其中，所述第一氧化物半导体层的能隙与所述第二氧化物半导体层的能隙彼此不同，以及所述氧化物半导体堆叠层包括其中氧含量比晶态下的氧化物半导体的化学计量组成比中的氧含量要高的区域。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的顶面和侧面。10.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层包括其中包含掺杂剂的低电阻区。11.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层包括所述第一氧化物半导体层与所述第二氧化物半导体层之间的混合区，其中，所述第一氧化物半导体层包括第一元素，其中，所述第二氧化物半导体层包括第二元素，以及其中，所述混合区包括所述第一元素和所述第二元素。12.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体堆叠层在所述第二氧化物半导体层之上包括第三氧化物半导体层，其中，所述第二氧化物半导体层的能隙小于所述第三氧化物半导体层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，筱原聪始，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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