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本发明为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中，包括其能隙彼此不同的至少...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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