【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是具有栅极极引出线、源极引出线和漏极引出线的三个引出线组件，采用已于基板上形成薄膜的半导体薄膜作为电子或空穴移动的沟道层，施加电压至栅极极引出线，控制流动于沟道层的电流，具有切换源极引出线和漏极引出线间的电流的机能的有源组件。目前最被广泛使用作TFT者，是以多晶硅膜或非晶形娃膜为沟道层材料的 MIS-FET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)组件。另外，最近将已采用ZnO的透明导电性氧化物多晶薄膜用于沟道层的TFT，正予蓬勃的开发着(专利文献I)。上述薄膜可于低温形成薄膜，且对可见光是透明的，故于塑料板或薄膜等的基板上可形成可挠性透明TFT。然而，公知的ZnO未能形成室温稳定的非晶形相，几乎所有的ZnO均呈现多晶相，由于多晶晶粒界面的乱射，以致未能增加电子移动度。再者，ZnO是容易有氧缺陷现象，会大量发生载流子电子，欲降低导电率是较困难的。因此，欲增加晶体管的连通.断开比也是困难的。另外，于专利文...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，是具有源极电极、汲极电极、闸极电极、闸极绝缘膜和沟道层的薄膜晶体管，其特征在于，前述沟道层采用在室温的电子移动度是0.1cm2/V·秒以上，室温的电子载流子浓度为1018/cm3以下的非晶形氧化物，前述非晶形氧化物是由InxZn1？x氧化物，其中0.2≤x＜1、InxSn1？x氧化物，其中0.8≤x＜1、或Inx(Zn、Sn)1？x氧化物，其中0.15≤x＜1选出的非晶形氧化物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：细野秀雄，平野正浩，太田裕道，神谷利夫，野村研二，
申请(专利权)人：独立行政法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：
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