主动元件、驱动电路结构以及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种主动元件、驱动电路结构以及显示面板。主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一蚀刻终止层、一源极与一漏极。栅极在基板上构成一蜿蜒图案。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出主动元件所在的元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开口接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开口接触于半导体层，且源极与漏极彼此分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于ー种电子元件，且特别是有关于ー种主动元件、驱动电路结构及显示面板。
技术介绍
近年来，有许多研究指出氧化物半导体(oxide semiconductor)薄膜晶体管相对于非晶(amorphous)娃薄膜晶体管,具有较高的载子移动率(mobility),而氧化物半导体薄膜晶体管相对于低温多晶娃(low temperature polycrystalline silicon)薄膜晶体管，贝1J具有较佳的临界电压(threshold voltage, Vth)均勻性。因此，氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成为下一代电子装置的关键元件。 然而，当薄膜晶体管被要求具备有高的通道宽度与通道长度的比值(W/L ratio)并且需要被设置于有限的面积内时，薄膜晶体管的源极与漏极需要设计为特定的布局方式，这使得源极与漏极之间可能发生寄生电流而影响薄膜晶体管的性能。如此ー来，即使使用氧化物半导体材料制作薄膜晶体管的通道，仍无法改善薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种主动元件，可以具有理想的通道宽度与通道长度的比值以及理想的元件特性。本专利技术提供ー种驱动电路结构，包括有高通道宽度与通道长度的比值以及理想元件特性的主动元件。本专利技术提供一种显示面板，设置有元件特性良好的主动元件而具有理想的品质。本专利技术提出一种主动元件，其配置于ー基板的一元件配置区中。主动元件包括一栅极、ー栅绝缘层、一半导体层、ー蚀刻终止层、一源极与ー漏极。栅极包括多个第一方向部以及多个第二方向部。第一方向部与第二方向部交替连接而在基板上构成ー蜿蜒图案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出上述元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开ロ以及ー第二接触开ロ。第一接触开ロ具有平行于第一方向部的多个第一指状部以及连接于第一指状部且平行于第二方向部的至少ー第一连接部。第二接触开ロ具有平行于第一方向部的多个第二指状部以及连接于第二指状部且平行于第二方向部的至少ー第二连接部。各个第一指状部与其中ー个第二指状部分别位于其中ー个第一方向部的两侧。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开ロ接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开ロ接触于半导体层，且源极与漏极彼此分离。本专利技术另提出ー种驱动电路结构，其配置于ー基板上。基板具有至少一元件配置区以及至少ー构件区，且驱动电路结构用以驱动构件区中的至少ー构件，其中驱动电路结构包括位于元件配置区中的至少ー主动元件。主动元件包括ー栅极、ー栅绝缘层、一半导体层、ー蚀刻终止层、一源极与ー漏扱。栅极包括多个第一方向部以及多个第二方向部。第一方向部与第二方向部交替连接而在基板上构成ー蜿蜒图案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。栅绝缘层覆盖栅扱。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出上述元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开ロ以及ー第二接触开ロ。第一接触开ロ具有平行于第一方向部的多个第一指状部以及连接于第一指状部且平行于第二方向部的至少ー第一连接部。第ニ接触开ロ具有平行于第一方向部的多个第二指状部以及连接于第二指状部且平行于第二方向部的至少ー第二连接部。各个第一指状部与其中ー个第二指状部分别位于其中ー个第一方向部的两侧。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开ロ接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开ロ接触于半导体层，且源极与漏极彼此分离。本专利技术更提出一种显示面板，包括一基板以及位于基板上的多个像素。基板具有至少ー显示区以及位于显示区周边的至少一周边区，且像素位于显示区中，其中各像素包 括至少ー主动元件以及电性连接主动元件的至少ー像素电极。主动元件包括ー栅极、ー栅绝缘层、一半导体层、ー蚀刻终止层、一源极与ー漏扱。栅极包括多个第一方向部以及多个第二方向部。第一方向部与第二方向部交替连接而在基板上构成ー蜿蜒图案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出上述元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开ロ以及ー第二接触开ロ。第一接触开ロ具有平行于第一方向部的多个第一指状部以及连接于第一指状部且平行于第二方向部的至少ー第一连接部。第二接触开ロ具有平行于第一方向部的多个第二指状部以及连接于第二指状部且平行于第二方向部的至少ー第二连接部。各个第一指状部与其中ー个第二指状部分别位于其中ー个第一方向部的两侧。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开ロ接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开ロ接触于半导体层，且源极与漏极彼此分尚。在本专利技术ー实施例中，上述栅绝缘层与蚀刻終止层更延伸至元件配置区外，且蚀刻终止层在元件配置区外接触于该栅绝缘层。在本专利技术ー实施例中，部分第二方向部连接于第一方向部的一端而其余第二方向部连接于第一方向部的另一端，且各第二方向部连接于两个第一方向部以构成蜿蜒图案。在本专利技术一实施例中，上述第一接触开ロ的第一连接部与第二接触开ロ的第二连接部分别位于栅极的第一方向部的相对两侧。在本专利技术ー实施例中，上述至少ー第一连接部的数量为多个，而第一接触开ロ更包括多个第一辅助连接部，各第一辅助连接部连接于其中两个第一指状部，且第一辅助连接部以及第ー连接部分别位于第一指状部的两端。源极可以具有多个源极指状图案，且各源极指状图案通过其中ー个第一辅助连接部及此第一辅助连接部所连接的两第一指状部接触于半导体层。另外，至少ー第二连接部的数量可以为多个，而第二接触开ロ更包括多个第二辅助连接部。各第二辅助连接部连接于其中两个第二指状部，且第二辅助连接部与第ニ连接部分别位于第二指状部的两端。此时，漏极可以具有多个漏极指状图案，且各漏极指状图案通过其中ー个第二辅助连接部及此第二辅助连接部所连接的两第二指状部接触于半导体层。在本专利技术ー实施例中，上述之主动元件更包括多个电容电极图案，连接于栅极，其中各电容电极图案配置于两相邻第一方向部之间，且电容电极图案与源极彼此重叠而定义出一第一电容结构。在本专利技术一实施例中，上述之半导体层具有多个指状开ロ，各指状开ロ对应于第一接触开ロ的其中ー个第一指状部并小于第一指状部，且源极部分地位于指状开口中井部分地接触于半导体层。在本专利技术ー实施例中，上述之蚀刻终止层具有至少ー电容开ロ，暴露出第一电容结构的面积。 在本专利技术ー实施例中，上述显示面板更包括一驱动电路结构，位于周边区中用以驱动像素。驱动电路结构包括一周边主动元件，且周边主动元件包括一周边栅极、一周边半导体层、一周边源极以及一周边漏扱。周边栅极包括多个第一周边方向部以及多个第二周边方向部。第一周边方向部与第二周边方向部交替连接而在基板上构成另一蜿蜒图案。栅绝缘层更覆盖该周边栅极，其中第一周边方向部彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件，配置于一基板的一元件配置区中，其特征在于，该主动元件包括：一栅极，包括多个第一方向部以及多个第二方向部，该些第一方向部与该些第二方向部交替连接而在该基板上构成一蜿蜒图案，其中该些第一方向部彼此平行，该些第二方向部彼此平行，且该些第一方向部的延伸方向相交于该些第二方向部的延伸方向；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一半导体层，配置于该栅绝缘层上，且该半导体层位于该栅极上方，且该半导体层的面积实质上定义出该元件配置区；一蚀刻终止层，配置于该栅绝缘层以及该半导体层上，该蚀刻终止层具有暴露出该半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口，该第一接触开口具有平行于该些第一方向部的多个第一指状部以及连接于该些第一指状部且平行于该些第二方向部的至少一第一连接部，该第二接触开口具有平行于该些第一方向部的多个第二指状部以及连接于该些第二指状部且平行于该些第二方向部的至少一第二连接部，其中各个第一指状部与其中一个第二指状部分别位于其中一个第一方向部的两侧；一源极，配置于该蚀刻终止层上并通过该第一接触开口接触于该半导体层；以及一漏极，配置于该蚀刻终止层上并通过该第二接触开口接触于该半导体层，且该源极与该漏极彼此分离。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨朝宇，邱皓麟，曹书玮，黄士哲，叶柏良，林俊男，曾贤楷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：