非可逆电路元件以及使用其的通信装置制造方法及图纸

提供可以确保作为目的的高频特性且可以防止装配时的基板的破损的非可逆电路元件。非可逆电路元件具备包含具有圆形面(SA)的磁性体基板(14A)以及具有圆环面(SB)的电介质环(14B)的基板(14)、中心导体(15)、将磁场施加于中心导体(15)的永久磁铁(12,18)。中心导体(15)包含位于连结圆形面(SA)的中心和圆环面(SB)的外周的直线上的主导体部(41～43)、宽度细于主导体部(41～43)的突起部(61～66,71～76)，突起部(61～66,71～76)的至少一部分位于圆环面(SB)上。根据本发明专利技术，因为宽度小的突起部(61～66,71～76)位于圆环面(SB)上，所以能够抑制所覆盖的面积且能够由中心导体(15)宽范围而且高密度地覆盖电介质环(14B)。由此，能够防止装配时的基板的破损。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非可逆电路元件以及使用其的通信装置，特别是涉及分布常数型的非可逆电路元件以及使用其的通信装置。
技术介绍
隔离器(isolator)或循环器(circulator)等的非可逆电路元件例如被编入使用于手机那样的移动体通信设备或在基地台被使用的通信装置等。对于非可逆电路元件来说有分布常数型或集中常数型等的类型，其中尤其是分布常数型的非可逆电路元件适合于基地台等要求高输出的用途。分布常数型的非可逆电路元件的结构例如被记载于专利文献1。专利文献1所记载的非可逆电路元件具备具有以相互成120°的角度延伸成放射状的3个导体枝(主导体部)和从主导体部的根基部分以相互成120°的角度延伸成放射状的3个分支电极部(分支导体部)的中心导体，并且具有该中心导体被载置于基板的结构。基板为电介质环被配置于圆盘状的铁氧体的外周的一体化基板。然后，3个主导体部的前端分别被连接于输入输出端子或者终端电阻器，由此进行信号的输入输出或者终端。3个分支导体部为了获得作为目的的高频特性(例如电容)而适当设计其形状或面积。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利申请公开平9-121104号公报在专利文献1所记载的非可逆电路元件中，主导体部的前端向周向被扩大，该扩大部分覆盖电介质环。在此情况下，因为电介质环的大部分被中心导体覆盖，所以在装配非可逆电路元件的时候局部的应力难以施加到电介质环。然而，在为了获得作为目的的高频特性而有必要减小主导体部的扩大部分的情况下，电介质环成为遍布宽范围从中心导体露出的状态。如果以这样的状态装配非可逆电路元件的话，则局部的应力会施加到电介质环的某个部分，从而会有一体化基板发生破损的情况。为了防止一体化基板的破损，可以做成电介质环的更多部分被中心导体覆盖的结构，但是，因为中心导体的形状或面积由于作为目的的高频特性而受到限制，所以由于作为目的的高频特性而难以采用这样的结构。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够确保作为目的的高频特性且能够防止装配时的基板的破损的非可逆电路元件以及使用该非可逆电路元件的通信装置。为了达到上述的目的，本专利技术人们反复悉心研究，其结果，通过以电介质环不遍布宽范围而从中心导体露出的方式在由电介质环构成的圆环面上使中心导体细长地变形成突起状从而能够确保所希望的高频特性且能够防止装配时的基板的破损变得清楚。本专利技术是基于这样的技术见解而完成的，本专利技术的非可逆电路元件，其特征在于，具备：第1基板，包含具有圆形面的磁性体基板和具有构成与所述圆形面相同的平面的圆环面的电介质环；第2基板；中心导体，被所述第1以及第2基板夹持；永久磁铁，将磁场施加于所述中心导体；所述中心导体包含位于连结所述圆形面的中心和所述圆环面的外周的直线上的主导体部、宽度小于所述主导体部的突起部，所述突起部的至少一部分位于所述圆环面上。另外，本专利技术的通信装置，其特征在于，具备上述的非可逆电路元件。根据本专利技术，因为宽度小的突起部位于圆环面上，所以电介质环不会遍布宽范围而从中心导体露出。由此，因为在夹着中心导体而重叠第1基板和第2基板的时候，局部的应力难以施加到电介质环的某个部分，所以可以防止装配时的基板的破损。而且，因为突起部具有细长的形状，所以关于覆盖电介质环的面积，能够充分地抑制。由此，可以防止基板的破损且可以正确地获得作为目的的高频特性。在本专利技术中，优选，所述中心导体进一步包含与所述主导体部一体地设置并且至少一部分位于所述圆形面上的分支导体部，所述突起部以从所述分支导体部的径向上的端面向所述径向突出的方式被设置。由此，可以由分支导体部来确保作为目的的高频特性且可以由突起部来防止基板的破损。在此情况下，优选，所述分支导体部的所述端面具有所述第1基板的周向上的第1以及第2端部，所述突起部包含以从所述分支导体部的所述第1以及第2端部分别向所述径向突出的方式被设置的第1以及第2部分。由此，因为能够在电介质环上进一步分散突起部来进行配置，所以可以有效地防止局部的应力的集中。在此情况下，更加优选所述突起部进一步包含将所述第1以及第2部分的前端彼此连接的第3部分。由此，因为电介质环上的更多部分被突起部覆盖，所以可以更加有效地防止局部的应力的集中。在本专利技术中，优选，所述主导体部由从所述圆形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射状的第1、第2以及第3主导体部构成，所述分支导体部由从所述圆形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射状并且与所述第1、第2或者第3主导体部所成的角度为60°的第1、第2以及第3分支导体部构成，所述突起部的所述第1以及第2部分以从所述第1、第2以及第3分支导体部的所述第1以及第2端部分别向所述径向突出的方式被设置。由此，可以提供一种具有3个输入输出端子的非可逆电路元件。在本专利技术中，优选，所述分支导体部的所述端面位于所述圆形面上，由此，所述突起部以横跨所述圆形面与所述圆环面的边界的方式被配置。由此，即使是在中心导体的搭载位置产生偏移的情况下，也能够将对高频特性赋予的影响抑制到最小限度。在本专利技术中，还优选所述突起部以从所述主导体部进行分支并且在所述圆环面上沿周向进行延伸的方式被设置。即使由这样的结构，也能够由分支导体部来确保作为目的的高频特性且能够由突起部来防止基板的破损。在本专利技术中，优选，所述第2基板具有与所述第1基板相同的结构。由此，可以提供一种具有更加良好的高频特性的非可逆电路元件。这样，根据本专利技术，可以提供一种能够确保作为目的的高频特性且能够防止装配时的基板的破损的非可逆电路元件以及使用该非可逆电路元件的通信装置。附图说明图1是表示本专利技术的优选的实施方式的非可逆电路元件的结构的分解立体图。图2是用于说明第1实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的平面图。图3是用于说明比较例的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的平面图。图4是用于说明第2实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的平面图。图5是表示使用了本专利技术的优选的实施方式的非可逆电路元件的通信装置80的结构的方块图。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的优选的实施方式进行详细的说明。图1是表示本专利技术的优选的实施方式的非可逆电路元件的结构的分解立体图。图1所表示的非可逆电路元件为分布常数型隔离器，并且被编入使用于如手机那样的移动体通信设备或在基地台被使用的通信装置等。虽然没有特别的限定，但是本实施方式的非可逆电路元件优选使用于在基地台进行使用的高输出的通信装置。但是，将本专利技术的非可逆电路元件作为隔离器来使用不是必须的，也可以作为循环器来使用。如图1所示，本实施方式的非可逆电路元件包含磁转子装配体10、容纳其的壳体部20、以及用于闭塞壳体部20的盖部30。磁转子装配体10具有第1永久磁铁12、屏蔽板13、第1基板14、中心导体15、第2基板16、第1非磁性薄片17、第2永久磁铁18以及第2非磁性薄片19按该顺序被垒积起来的结构，并且由没有图示的导电性接合剂等而被一体化。第1永久磁铁12以及第2永久磁铁18为板面的直径为数十mm的圆板状体，并且起到将磁场施加于由第1基板14、中心导体15以及第2基板16构成的磁转子的作用。第2永久磁铁18被第1以及第2非磁性薄片17,19夹持。屏蔽板13是对板面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非可逆电路元件，其特征在于：具备：第1基板，包含具有圆形面的磁性体基板和具有构成与所述圆形面相同的平面的圆环面的电介质环；第2基板；中心导体，被所述第1以及第2基板夹持；以及永久磁铁，将磁场施加于所述中心导体，所述中心导体包含位于连结所述圆形面的中心和所述圆环面的外周的直线上的主导体部、以及宽度小于所述主导体部的突起部，所述突起部的至少一部分位于所述圆环面上。

【技术特征摘要】
2015.02.27 JP 2015-0380661.一种非可逆电路元件，其特征在于：具备：第1基板，包含具有圆形面的磁性体基板和具有构成与所述圆形面相同的平面的圆环面的电介质环；第2基板；中心导体，被所述第1以及第2基板夹持；以及永久磁铁，将磁场施加于所述中心导体，所述中心导体包含位于连结所述圆形面的中心和所述圆环面的外周的直线上的主导体部、以及宽度小于所述主导体部的突起部，所述突起部的至少一部分位于所述圆环面上。2.如权利要求1所述的非可逆电路元件，其特征在于：所述中心导体进一步包含与所述主导体部一体地设置并且至少一部分位于所述圆形面上的分支导体部，所述突起部以从所述分支导体部的径向上的端面向所述径向突出的方式被设置。3.如权利要求2所述的非可逆电路元件，其特征在于：所述分支导体部的所述端面具有所述第1基板的周向上的第1以及第2端部，所述突起部包含以从所述分支导体部的所述第1以及第2端部分别向所述径向突出的方式设置的第1以及第2部分。4.如权利要求3所述的非可逆电路元件，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木英行，酒井稔，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP