薄膜晶体管和显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开薄膜晶体管和显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括：位于基板上并且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶的有源层；有源层的一部分上的栅极绝缘层图案；栅极绝缘层图案的一部分上的栅电极；形成在栅极绝缘层图案上以覆盖栅电极的抗刻蚀层图案，抗刻蚀层图案与栅极绝缘层图案共边界；有源层和抗刻蚀层图案上的源电极和漏电极；以及位于有源层与源电极和漏电极之间以及抗刻蚀层图案与源电极和漏电极之间的吸杂层图案，以除去为有源层的结晶而使用的金属催化剂，吸杂层图案与源电极和漏电极共边界。

【技术实现步骤摘要】

示例性描述的技术大体上涉及薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的显示装置，以及其制造方法。更具体地说，所描述的技术大体上涉及能够有效地用于大尺寸显示装置的薄膜晶体管结构。
技术介绍
大多数平板显示装置，例如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(IXD)等等是通过若干项薄膜工艺制造的。特别地，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)由于具有优良的载流子迁移率而得到了广泛应用。LTPS TFT使用通过将非晶硅结晶而形成的多晶硅层作为有源层。非晶硅层的结晶方法包括固相结晶法、准分子激光结晶法和使用金属催化剂的结晶法。 在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增进所描述技术的背景的理解，因此其可以包括不构成本国本领域技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
根据实施例，提供一种薄膜晶体管，其包括有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；栅极绝缘层图案，位于所述有源层的一部分上；栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；抗刻蚀层图案，形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极，所述抗刻蚀层图案与所述栅极绝缘层图案共边界(coextensive);源电极和漏电极，位于所述有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；栅极绝缘层图案，位于所述有源层的一部分上；栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；抗刻蚀层图案，形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极，所述抗刻蚀层图案与所述栅极绝缘层图案共边界；源电极和漏电极，位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上；以及吸杂层图案，位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间，以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂，所述吸杂层图案与所述源电极和所述漏电极共边界。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙榕德，李基龙，徐晋旭，郑珉在，李卓泳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：