薄膜晶体管和显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开薄膜晶体管和显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括：位于基板上并且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶的有源层；有源层的一部分上的栅极绝缘层图案；栅极绝缘层图案的一部分上的栅电极；形成在栅极绝缘层图案上以覆盖栅电极的抗刻蚀层图案，抗刻蚀层图案与栅极绝缘层图案共边界；有源层和抗刻蚀层图案上的源电极和漏电极；以及位于有源层与源电极和漏电极之间以及抗刻蚀层图案与源电极和漏电极之间的吸杂层图案，以除去为有源层的结晶而使用的金属催化剂，吸杂层图案与源电极和漏电极共边界。

【技术实现步骤摘要】

示例性描述的技术大体上涉及薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的显示装置，以及其制造方法。更具体地说，所描述的技术大体上涉及能够有效地用于大尺寸显示装置的薄膜晶体管结构。
技术介绍
大多数平板显示装置，例如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(IXD)等等是通过若干项薄膜工艺制造的。特别地，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)由于具有优良的载流子迁移率而得到了广泛应用。LTPS TFT使用通过将非晶硅结晶而形成的多晶硅层作为有源层。非晶硅层的结晶方法包括固相结晶法、准分子激光结晶法和使用金属催化剂的结晶法。 在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增进所描述技术的背景的理解，因此其可以包括不构成本国本领域技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
根据实施例，提供一种薄膜晶体管，其包括有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；栅极绝缘层图案，位于所述有源层的一部分上；栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；抗刻蚀层图案，形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极，所述抗刻蚀层图案与所述栅极绝缘层图案共边界(coextensive);源电极和漏电极，位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上；以及吸杂层图案，位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间，以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂，所述吸杂层图案与所述源电极和所述漏电极共边界。所述金属催化剂可以包括镍(Ni)，并且所述吸杂层图案包括钛(Ti)。所述有源层的由所述栅电极叠盖的区域可以是沟道区。所述有源层的在所述沟道区两边的且接触所述源电极和所述漏电极的区域分别可以是源区和漏区。所述抗刻蚀层图案可以具有与所述吸杂层图案的刻蚀选择比、所述源电极的刻蚀选择比和所述漏电极的刻蚀选择比不同的刻蚀选择比。根据实施例，提供一种制造薄膜晶体管的方法，其包括制备基板；在所述基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上面或下面施加金属催化剂；通过藉由由所述金属催化剂的作用引起的晶体生长将所述非晶硅层结晶，形成多晶硅层；通过对所述多晶硅层进行图案化，形成有源层；在所述有源层的一部分上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的一部分上形成栅电极；形成覆盖所述栅极绝缘层和所述栅电极的抗刻蚀层；通过对所述栅极绝缘层和所述抗刻蚀层一起进行图案化，形成彼此共边界的栅极绝缘层图案和抗刻蚀层图案；在所述有源层和所述抗刻蚀层图案上形成吸杂层；在所述吸杂层上形成源极-漏极金属层；以及通过对所述吸杂层和所述源极-漏极金属层一起进行图案化，形成源电极、漏电极和吸杂层图案。所述金属催化剂可以包括镍(Ni )，并且所述吸杂层图案包括钛(Ti )。所述制造薄膜晶体管的方法可以进一步包括通过使用所述栅电极作为掩膜用杂质掺杂所述有源层，将所述有源层的由所述栅电极叠盖的区域形成为沟道区，并且在所述沟道区两边形成分别接触所述源电极和所述漏电极的源区和漏区。所述抗刻蚀层图案可以具有与所述吸杂层的刻蚀选择比、所述源电极的刻蚀选择比和所述漏电极的刻蚀选择比不同的刻蚀选择比。根据实施例，提供一种显示装置，其包括有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；栅极绝缘层 图案，位于所述有源层的一部分上；栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；抗刻蚀层图案，用与所述栅极绝缘层图案相同的图案形成，所述抗刻蚀层图案形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极；源电极和漏电极，位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上；以及吸杂层图案，位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间，以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂，所述吸杂层图案具有分别与所述源电极的图案和所述漏电极的图案相同的图案。所述金属催化剂可以包括镍(Ni)，并且所述吸杂层图案可以包括钛(Ti)。所述有源层的由所述栅电极叠盖的区域可以是沟道区。所述沟道区两边分别接触所述源电极和所述漏电极的区域可以是源区和漏区。所述显示装置可以进一步包括位于所述基板上并且与所述漏电极连接的有机发光二极管。所述抗刻蚀层图案可以具有与所述吸杂层的刻蚀选择比、所述源电极的刻蚀选择比和所述漏电极的刻蚀选择比不同的刻蚀选择比。根据实施例，提供一种制造显示装置的方法，其包括制备基板；在所述基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上面或下面施加金属催化剂；通过藉由由所述金属催化剂的作用引起的晶体生长将所述非晶硅层结晶，形成多晶硅层；通过对所述多晶硅层进行图案化，形成有源层；在所述有源层的一部分上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的一部分上形成栅电极；形成覆盖所述栅极绝缘层和所述栅电极的抗刻蚀层；通过对所述栅极绝缘层和所述抗刻蚀层一起进行图案化，形成彼此共边界的栅极绝缘层图案和抗刻蚀层图案；在所述有源层和所述抗刻蚀层图案上形成吸杂层；在所述吸杂层上形成源极-漏极金属层；以及通过对所述吸杂层和所述源极-漏极金属层一起进行图案化，形成源电极、漏电极和吸杂层图案。所述金属催化剂可以包括镍(Ni )，并且所述吸杂层图案可以包括钛(Ti )。所述制造显示装置的方法可以进一步包括通过使用所述栅电极作为掩膜用杂质掺杂所述有源层，将所述有源层的由所述栅电极叠盖的区域形成为沟道区，并且在所述沟道区两边形成分别接触所述源电极和所述漏电极的源区和漏区。所述制造显示装置的方法可以进一步包括在所述基板上形成与所述漏电极连接的有机发光二极管。所述抗刻蚀层图案可以具有与所述吸杂层的刻蚀选择比、所述源电极的刻蚀选择比和所述漏电极的刻蚀选择比不同的刻蚀选择比。附图说明图I示出根据示例实施例的显示装置的结构的俯视图；图2示出图I的显示装置的像素电路的电路图；图3示出图I的显示装置的薄膜晶体管的放大部分剖面图；图4到图11示出顺序表示图3的薄膜晶体管的制造过程的步骤的剖面图。 具体实施例方式下面将参照示出本专利技术示例实施例的附图更全面地描述实施例。本领域技术人员将明白，在均不背离本专利技术的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。附图是示意性的且不是按比例缩小的。为了准确和方便，对附图中的相对比例和比率进行放大或缩小，并且比例是任意的且不限于此。此外，在整个说明书中相同的附图标记表示相同的结构、元件或部分。将明白，当元件称为位于另一元件“上”时，其可以直接位于另一元件上，也可以在两个元件之间存在中间元件。示例性视图详细地表示理想的示例实施例。因此预期附图的各种变型。因此，示例性实施例不限于所示区域的特定形状的，例如还包括由制造导致的形状改变。下面将参照图I到图3描述包括根据示例实施例的薄膜晶体管10的显示装置101。如图I所示,显示装置101可以包括分成显示区DA和非显示区NA的基板主体111。在基板主体111的显示区DA中可以形成多个像素区PE，以显示图像，并且在非显示区NA中可以形成一个或多个驱动电路910和920。这里，像素区PE指的是形成有像素的区域。像素是显示图像的最小单元。然而，所有驱动电路910和920形成在根据示例实施例的非显示区NA中不是必须的，并且驱动电路910和920可以部分省略或完全省略。如图2所示，根据示例实施例的显示装置101可以具有如下结构在该结构中，每个像素PE具有有机发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；栅极绝缘层图案，位于所述有源层的一部分上；栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；抗刻蚀层图案，形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极，所述抗刻蚀层图案与所述栅极绝缘层图案共边界；源电极和漏电极，位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上；以及吸杂层图案，位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间，以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂，所述吸杂层图案与所述源电极和所述漏电极共边界。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙榕德，李基龙，徐晋旭，郑珉在，李卓泳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：