薄膜晶体管及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管及显示面板。薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、第一、二半导体图案、源极、第二绝缘层与漏极。第一绝缘层覆盖栅极。第一半导体图案位在第一绝缘层上。第二半导体图案位在第一半导体图案上。源极覆盖第二半导体图案。源极位在第一半导体图案上的边缘与第二半导体图案位在第一半导体图案上的边缘切齐。源极与第二半导体图案暴露同一部分的第一半导体图案。第二绝缘层覆盖源极及第一、二半导体图案，且具有暴露所述部分的第一半导体图案的开口。漏极填入所述开口，以和第一半导体图案电连接。本实用新型专利技术的薄膜晶体管的电性佳。本实用新型专利技术的显示面板包括上述薄膜晶体管。

Thin film transistor and display panel

The utility model provides a thin film transistor and a display panel. The thin film transistor comprises a grid, a first insulating layer, a first two semiconductor pattern, a source electrode, a second insulating layer and a drain electrode. First insulation layer covering grid. The first semiconductor pattern is positioned on the first insulating layer. The second semiconductor pattern is positioned on the first semiconductor pattern. Source covers second semiconductor pattern. The edge trimming source in the first semiconductor pattern and the edge of the second semiconductor pattern in the first semiconductor pattern. First semiconductor pattern exposing the same part of the source and the second semiconductor pattern. The second insulating layer covers the source and the first and the two semiconductor patterns, and has an opening for exposing the first semiconductor pattern of the part. The drain is filled into the opening to electrically connect with the first semiconductor pattern. The thin film transistor of the utility model has the advantages of good electrical property. The display panel of the utility model comprises a thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电子元件，尤其涉及一种薄膜晶体管及显示面板。
技术介绍
随着显示面板的发展，人们对显示质量的要求越来越高，特别是，对于显示面板的解析度。然而，随着显示面板的解析度提高，每一子像素的尺寸必需随着缩小。因此，尺寸小的金属氧化物薄膜晶体管已被应用在高解析度的显示面板中。在金属氧化物薄膜晶体管的制程中，为了保护不耐水、氧、酸液的金属氧化物半导体图案，多会在金属氧化物半导体图案上制作一个蚀刻阻挡图案。蚀刻阻挡图案会保护金属氧化物半导体图案，以在图案化出源极与漏极的过程中，避免蚀刻液损伤金属氧化物半导体图案。然而，薄膜晶体管的通道长度会受限于蚀刻阻挡图案的尺寸，而使解析度不易进一步提高。因此，有人提出一种能够抵抗蚀刻液的新式金属氧化物半导体材料，以使薄膜晶体管不需设置蚀刻阻挡图案。经实验证实，新式的金属氧化物半导体材料确实较不易受到蚀刻液的损伤，然而，以现有薄膜晶体管架构及新式金属氧化物半导体材料制作的薄膜晶体管，其电性不佳。
技术实现思路
本技术提供一种薄膜晶体管，其电性佳。本技术的薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、第一半导体图案、第二半导体图案、源极、第二绝缘层以及漏极。第一绝缘层覆盖栅极。第一半导体图案配置在第一绝缘层上。第二半导体图案配置在第一半导体图案上且与第一半导体图案电连接。第二半导体图案暴露部分的第一半导体图案。源极覆盖第二半导体图案且与第二半导体图案电连接。源极具有位在第一半导体图案上的边缘。第二半导体图案具有位在第一半导体图案上的边缘。源极的所述边缘与第二半导体图案的所述边缘切齐。源极与第二半导体图案暴露同一部分的第一半导体图案。第二绝缘层覆盖源极、第二半导体图案以及第一半导体图案，且具有暴露同一部分的第一半导体图案的开口。漏极配置在第二绝缘层上且填入开口，以和第一半导体图案电连接。本技术的显示面板包括第一基板、上述薄膜晶体管、第二基板以及显示介质。上述薄膜晶体管配置在第一基板上。第二基板设置在第一基板的对向。显示介质位在第一基板与第二基板之间。在本技术的一实施例中，上述的第一半导体图案与第二半导体图案分别为第一金属氧化物半导体图案与第二金属氧化物半导体图案，而第一金属氧化物半导体图案的材料与第二金属氧化物半导体图案的材料不同。在本技术的一实施例中，上述的第一半导体图案对铝酸蚀刻液的蚀刻速率低于第二半导体图案对铝酸蚀刻液的蚀刻速率。基于上述，本技术一实施例的薄膜晶体管包括栅极、第一半导体图案、第二半导体图案以及分别与第一、二半导体图案电连接的漏极与源极。第一半导体图案配置在第一绝缘层上。第二半导体图案配置在第一半导体图案上。源极覆盖第二半导体图案且具有位在第一半导体图案上的边缘。源极的所述边缘与第二半导体图案的位在第一半导体图案上的边缘切齐。实际电性量测结果可证实，本技术一实施例的薄膜晶体管的电性佳。为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1E为本技术一实施例的薄膜晶体管的制造流程剖面示意图；图2显示出现有技术所述的薄膜晶体管的栅极电压与漏极电流的关系以及本技术一实施例的薄膜晶体管的栅极电压与漏极电流的关系；图3为本技术一实施例的显示面板的剖面示意图。附图标记说明：100：主动元件阵列基板；110：第一基板；120：第一绝缘层；130：导电层；140：第二绝缘层；140a：开口；200：第二基板；300：显示介质；1000：显示面板；D：漏极；E1、E2：边缘；G：栅极；S：源极；SE1：第一半导体图案；SE1a：部分的第一半导体图案；SE2：第二半导体图案；SE2’：准第二半导体图案；S10、S100：曲线；TFT：薄膜晶体管。具体实施方式图1A至图1E为本技术一实施例的薄膜晶体管的制造流程剖面示意图。请参照图1A，首先，提供第一基板110。第一基板110用以承载其上的构件。在本实施例中，第一基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、不透光/反射材料(例如：导电材料、晶圆、陶瓷等)、或是其它可适用的材料。请参照图1A，接着，在第一基板110上形成栅极G。详言之，可先在第一基板110上形成第一导电层(未示出)；然后，图案化第一导电层，以形成栅极G。在本实施例中，栅极G可为金属材料，但本技术不限于此，在其他实施例中，栅极G也可为其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或金属材料与其它导电材料的堆叠层。请参照图1A，接着，形成第一绝缘层120，以覆盖栅极G。在本实施例中，第一绝缘层120可完全覆盖栅极G，但本技术不以此为限。第一绝缘层120又可称栅极绝缘层。第一绝缘层120的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料、或其组合。请参照图1A，接着，在第一绝缘层120上依序形成第一半导体层(未示出)与第二半导体层(未示出)。接着，图案化所述第一半导体层与所述第二半导体层，以形成第一半导体图案SE1与准第二半导体图案SE2’。请参照图1B，接着，形成导电层130，以覆盖第一半导体图案SE1及准第二半导体图案SE2’。请参照图1B及图1C，接着，图案化导电层130，以形成源极S。举例而言，在本实施例中，可利用蚀刻液(例如：铝酸等)蚀刻导电层130，进而形成源极S。在本实施例中，源极S的材料可为金属，例如：铬(Cr)、钼(Mo)等，但本技术不限于此，在其他实施例中，源极S的材料也可为其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。值得注意的是，在图案化出源极S的过程中，准第二半导体图案SE2’也会一并被图案化。换言之，未被源极S遮蔽的部分的准第二半导体图案SE2’会被去除，进而形成第二半导体图案SE2。请参照图1C，第二半导体图案SE2配置在第一半导体图案SE1上且与第一半导体图案SE1电连接。第二半导体图案SE2暴露部分的第一半导体图案SE1a。源极S覆盖第二半导体图案SE2且与第二半导体图案SE2电连接。源极S具有位在第一半导体图案SE1上的边缘E1。第二半导体图案SE2具有位在第一半导体图案SE1上的边缘E2。由于，在图案化出源极S的过程中，未被源极S覆盖的部分的准第二半导体图案SE2’会被去除进而形成第二半导体图案SE2，因此，源极S的边缘E1与第二半导体图案SE2的边缘E2会切齐。源极S与第二半导体图案SE2暴露同一部分的第一半导体图案SE1a。在本实施例中，第一半导体图案SE1与第二半导体图案SE2分别为第一金属氧化物半导体图案与第二金属氧化物半导体图案，而第一金属氧化物半导体图案的材料与第二金属氧化物半导体图案的材料不同。扼要地说，第一半导体图案SE1与第二半导体图案SE2为两种不同的金属氧化物半导体。更进一步地说，第一半导体图案SE1对于用以图案化出源极S的蚀刻液(例如：铝酸)的蚀刻速率低于第二半导体图案SE2对所述蚀刻液(例如：铝酸)的蚀刻速率。举例而言，第一半导体图案SE1的材料可为含锌(Zn)、锡(Sn)及氧(O)的氧化物半导体(简称ZTO)或氧化锡半导体，例如为由铟(In)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；第一绝缘层，覆盖所述栅极；第一半导体图案，配置在所述第一绝缘层上；第二半导体图案，配置在所述第一半导体图案上且与所述第一半导体图案电连接，所述第二半导体图案暴露一部分的所述第一半导体图案；源极，覆盖所述第二半导体图案且与所述第二半导体图案电连接，所述源极具有位在所述第一半导体图案上的边缘，所述第二半导体图案具有位在所述第一半导体图案上的边缘，所述源极的所述边缘与所述第二半导体图案的所述边缘切齐，所述源极与所述第二半导体图案暴露同一所述部分的所述第一半导体图案；第二绝缘层，覆盖所述源极、所述第二半导体图案以及所述第一半导体图案，且具有暴露同一所述部分的所述第一半导体图案的开口；以及漏极，配置在所述第二绝缘层上且填入所述开口，以和所述第一半导体图案电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；第一绝缘层，覆盖所述栅极；第一半导体图案，配置在所述第一绝缘层上；第二半导体图案，配置在所述第一半导体图案上且与所述第一半导体图案电连接，所述第二半导体图案暴露一部分的所述第一半导体图案；源极，覆盖所述第二半导体图案且与所述第二半导体图案电连接，所述源极具有位在所述第一半导体图案上的边缘，所述第二半导体图案具有位在所述第一半导体图案上的边缘，所述源极的所述边缘与所述第二半导体图案的所述边缘切齐，所述源极与所述第二半导体图案暴露同一所述部分的所述第一半导体图案；第二绝缘层，覆盖所述源极、所述第二半导体图案以及所述第一半导体图案，且具有暴露同一所述部分的所述第一半导体图案的开口；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹文光，吴德峻，黄彦余，姜信铨，陈玉仙，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71