本发明专利技术涉及薄膜晶体管和包括其的显示装置。提供了能够显示具有均匀亮度的图像的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示装置，该TFT包括：栅电极；栅极绝缘层，布置在栅电极上；半导体层，布置在栅极绝缘层上；源电极和漏电极，布置在半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在源电极和漏电极上并且具有接触孔，漏电极的一部分通过接触孔暴露，其中，漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且具有通过接触孔暴露的部分的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及薄膜晶体管和包括其的显示装置。提供了能够显示具有均匀亮度的图像的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示装置，该TFT包括：栅电极；栅极绝缘层，布置在栅电极上；半导体层，布置在栅极绝缘层上；源电极和漏电极，布置在半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在源电极和漏电极上并且具有接触孔，漏电极的一部分通过接触孔暴露，其中，漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且具有通过接触孔暴露的部分的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。【专利说明】薄膜晶体管和包括其的显示装置优先权声明本申请要求于2015年I月22日提交到韩国知识产权局(ΚΙΡ0)的韩国专利申请N0.10-2015-0010694的优先权和所有权益，将其公开内容通过引用全部结合于本文中。
本专利技术的实施方式的方面涉及薄膜晶体管(TFT)和包括其的显示装置，并且更具体地，涉及能够显示具有均匀亮度的图像的TFT和包括该TFT的显示装置。
技术介绍
液晶显示(IXD)装置是最近被广泛认可的一类平板显示(FPD)装置。这种LCD装置包括两个基板(其具有形成在其上的电极)以及插入在其间的液晶层。当电压被施加至电极时，液晶层的液晶分子重新排布，从而调整在显示装置中的透射光的量。应当理解，该技术背景部分旨在提供用于理解本文中公开的技术等的有用背景，因此，技术背景部分可包括在本文所公开的主题的相应实际申请日期之前不是相关领域的技术人员已知或理解的一部分的构思、概念以及认知。
技术实现思路
本专利技术的实施方式的方面涉及能够显示具有均匀亮度的图像的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示装置。根据本专利技术的示例性实施方式，TFT包括:栅电极;栅极绝缘层，布置在栅电极上；半导体层，布置在栅极绝缘层上;源电极和漏电极，布置在半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在源电极和漏电极上并且具有接触孔(漏电极的一部分通过其暴露)，其中，漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且具有通过接触孔暴露的部分的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。第二漏电极可具有圆形形状或多边形形状。第三漏电极可环绕第二漏电极的外周。第三漏电极可具有圆环形状或多边环形状。第三漏电极可具有在约I.5微米(μπι)至约3.Ομπι的范围内的宽度。第三漏电极可被布置为与第二漏电极的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔。第三漏电极可被布置为与第二漏电极邻近栅电极的程度相比更邻近栅电极。TFT可进一步包括欧姆接触层，该欧姆接触层布置在半导体层和源电极之间以及半导体层和漏电极之间。根据本专利技术的示例性实施方式，一种显示装置包括:第一基板;栅极线，布置在第一基板上;数据线，布置为与栅极线交叉;TFT，连接至栅极线和数据线；以及像素电极，连接至TFT，其中，TFT包括从栅极线分支出的栅电极、从数据线分支出的源电极以及连接至像素电极的漏电极，并且漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且连接至像素电极的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。第二漏电极可具有圆形形状或多边形形状。第三漏电极可被布置为环绕第二漏电极的外周。第三漏电极可具有圆环形状或多边环形状。第三漏电极可具有在约1.5μπι至约3.Ομπι的范围内的宽度。第三漏电极可被布置为与第二漏电极的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔。第三漏电极可被布置为与第二漏电极邻近栅电极的程度相比更邻近栅电极。像素电极可包括水平主干电极、垂直主干电极以及从水平主干电极和垂直主干电极延伸的多个分支电极。分支电极可包括:第一分支电极，沿左上方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸；第二分支电极，沿右上方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸；第三分支电极，沿左下方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸；以及第四分支电极，沿右下方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸。显示装置可进一步包括布置在TFT和像素电极之间的滤色器。显示装置可进一步包括:第二基板，布置为与第一基板相对;公共电极，布置在第二基板上；以及液晶层，插入在第一基板和第二基板之间。显示装置可进一步包括布置在第一基板或第二基板上的取向层，其中，取向层或液晶层包括具有指向的聚合物材料。上述内容仅是说明性的，并不旨在以任何方式进行限制。除上述示例性方面、实施方式和特征之外，进一步的方面、实施方式和特征通过参考附图和以下详细说明将变得显而易见。【附图说明】当结合附图考虑时，通过参考以下详细说明，随着本专利技术变得更好理解，本专利技术的更完整的理解及其许多附带优点将显而易见，在附图中，相似的参考符号表示相同或者相似的部件，其中，图1是示出根据本专利技术的示例性实施方式的显示装置的框图；图2是示出根据本专利技术的示例性实施方式的显示装置的平面图；图3是沿图2的线Ι-Γ截取的截面图；图4是示出图2的部分“Α”的放大图；图5是示出图2的像素电极的视图；图6是示出根据本专利技术的另一示例性实施方式的显示装置的平面图；图7是示出图6的部分“B”的放大图；图8是示出根据本专利技术的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；并且图9是示出图8的部分“C"的放大图。【具体实施方式】通过以下参考附图详细描述的实施方式，本专利技术的优点和特征以及实现它们的方法将变得清楚。然而，本专利技术可体现为多种不同的形式并且不应被解释为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是透彻的和完整的并且将向本领域的技术人员充分传达本专利技术的范围。本专利技术仅由权利要求的范围限定。因此，在实施方式中未详细描述熟知的组成元件、操作和技术以防止本专利技术晦涩难懂。贯穿本说明书，相似的参考标号指代相似的元件。在本文中，为了便于描述可使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如在图中示出的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中的装置的不同方位。例如，在图中示出的装置被翻转的情况下，定位在另一个装置“下方”或“下面”的装置可放置在另一个装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可包括下部和上部位置两者。装置也可沿另一个方向定位，并且因此空间相对术语可根据方位不同地解释。本文中使用的全部术语仅用于描述本专利技术构思的实施方式并且可根据【申请人】的意图和相关领域而改变。因此，本文中使用的术语应当解释为具有与它们在本公开的背景下的含义一致的含义，并且不旨在限制本专利技术。除非上下文另外明确指出，否则如本文中使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括(comp rise)”、“包括(comp rising)” “包含(include)” 和 /或“包含(including)”时，规定指定特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语(诸如在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：栅电极；栅极绝缘层，布置在所述栅电极上；半导体层，布置在所述栅极绝缘层上；源电极和漏电极，布置在所述半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在所述源电极和所述漏电极上并且具有接触孔，所述漏电极的一部分通过所述接触孔暴露，其中，所述漏电极包括第一漏电极，与所述栅电极的一部分重叠，第二漏电极，从所述第一漏电极延伸并且具有通过所述接触孔暴露的部分，以及第三漏电极，从所述第一漏电极分支为与所述第二漏电极间隔开。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹姬京，金大哲，李健行，李花郞，崔国铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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