半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在具有氧化物半导体膜的底栅结构晶体管的制造工序中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜且受到氧掺杂处理的晶体管可以减小晶体管在偏压-热应力试验（BT试验）的前后的阈值电压的变化量，从而可以实现具有稳定电特性的可靠性高的晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置及。另外，在本说明书中半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)那样的电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体 材料被广泛地所知。但是，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。例如，已经公开了，作为晶体管的活性层使用其电子载流子浓度低于IO1Vcm3的包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献I)。日本专利申请公开2006-165528号公报然而，氧化物半导体当在形成装置的工序中发生形成电子给体的氢、水分的混入等时，其导电率可能变化。这种现象成为使用氧化物半导体的晶体管的电特性变动的主要原因。
技术实现思路
鉴于这种问题，本专利技术的一个实施方式的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。本说明书所公开的专利技术的一个方式是一种，包括如下步骤形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
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