半导体装置的制造方法制造方法及图纸

所公开的发明专利技术的一种方式是一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：形成第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧；在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。利用该制造方法可以形成具有稳定的电特性及高可靠性的包括氧化物半导体的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置及。另外，在本说明书中半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等的电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜材料，硅类半导体材料被广泛地周知。但是，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。 例如，已经公开了，作为晶体管的有源层使用电子载流子浓度低于IO1Vcm3的包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献I)。日本专利申请公开2006-165528号公报
技术实现思路
但是，当在装置制造工序中氧化物半导体中混入用于形成电子施主的氢或水时，有可能导致氧化物半导体的导电率变化。该现象导致使用氧化物半导体的晶体管的电特性变动。鉴于上述问题，本专利技术的实施例的目的之一是使使用氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性，以实现高可靠性。至少在具有氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中进行氧掺杂处理。在具有氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：