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金属氧化物半场效晶体管制造技术
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文档序号:8191815
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本发明实施例公开了一种金属氧化物半场效晶体管,包括源极区、漏极区、栅极以及栅介电层。漏极区位于基底中,呈椭圆形螺旋状,且其起始部分别呈条状或水滴状,或其起始部的曲率为0.02um-1至0.0025um-1。源极区,位于基底中,环绕于漏极区周...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。
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