保护晶体管元件免受劣化物质的损害制造技术

一种技术，包括：提供层的堆叠，该堆叠至少限定了至少一个晶体管的a)源电极和漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道；将一个或多个有机绝缘层淀积在堆叠上方；通过消蚀技术去除一个多个所选区域中的堆叠的至少部分；将导体材料淀积在至少在一个或多个经消蚀的区域以及紧密围绕相应的经消蚀的区域的一个或多个边界区域中的堆叠上方；以及将无机绝缘材料淀积在至少在经消蚀的区域以及边界区域中的堆叠上方，从而覆盖经消蚀的区域并且与相应的经消蚀的区域四周的所述一个或多个边界区域中的所述导体材料直接接触。

Protect transistor elements from deterioration of the material

Including a technique providing layer stack, the stack at least define at least one transistor a) source electrode and a drain electrode, a gate electrode (b) and (c) semiconductor channel; one or more organic insulating layer is deposited on the stack above; through the removal of a plurality of ablation the selected stack in the area at least in part; the conductor material is deposited on at least one or more of the eroded areas and close around the corresponding ablation area by one or more in the border region of the stack above; and the inorganic insulating material deposited on at least in the ablation area and stacked above in the border area, which covers the ablation area and the corresponding with the conductive material around the ablation of the one or more boundary regions in direct contact.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护晶体管元件免受劣化物质的损害已经发现的是，从其中包含晶体管的装置的其它部分迁移来的物质会使一些晶体管的性能劣化。例如，已经发现，一些用于将控制组件牢固地层叠到要由控制组件控制的另一个组件(诸如光学介质组件)的粘着剂是劣化化学物质的来源，其中控制组件包括一个或多个晶体管。以显示器装置中用于控制光学介质的输出的晶体管阵列为例，显示器图像的黑化会使显示器装置中晶体管阵列的劣化显现。在包含晶体管阵列的其它类型的装置(诸如传感器)中可以观察到显示器图像功能缺失的类似的黑化。本申请的专利技术人已经察觉到有效地保护晶体管免受劣化化学物质的损害的挑战，特别是在例如晶体管的输出导体需要提供到外部元件(诸如例如要由晶体管控制的光学介质)的欧姆接触的情况下。在此提供有包括如下的方法：提供至少限定了至少一个晶体管的(a)源电极和漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道的层的堆叠；将一个或多个有机绝缘层淀积在堆叠上方；通过消蚀技术去除一个多个所选区域中的堆叠的至少部分；将导体材料淀积在至少在一个或多个经消蚀的区域以及紧密围绕相应的经消蚀的区域的一个或多个边界区域中的堆叠上方；以及将无机绝缘材料淀积在至少在经消蚀的区域以及边界区域中的堆叠上方，从而覆盖经消蚀的区域并且与相应的经消蚀的区域四周的所述一个或多个边界区域中的所述导体材料直接接触。根据一个实施例，方法进一步包括图案化所淀积的所述无机绝缘物以形成所述无机绝缘材料的岛，每个岛都在相应的经消蚀的区域及其周围的边界区域上方延伸。根据一个实施例，所淀积的所述导体材料提供了最上面的导体层，该导体层通过堆叠导电性地连接到一个或多个晶体管的一个或多个漏电极。根据一个实施例，方法进一步包括在所述堆叠上方设置光学介质组件，其中所淀积的所述导体材料形成与所述光学介质组件最近的导体，该导体与所述堆叠在光学介质组件的同一侧。根据一个实施例，方法进一步包括通过原子层淀积来淀积所述无机绝缘材料。根据一个实施例，所淀积的无机绝缘材料具有比一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。在此还提供有包括如下步骤的方法：提供层的堆叠，该堆叠至少限定了至少一个晶体管的(a)源电极和漏电极、(b)栅电极、(c)半导体沟道，以及至少在至少一个半导体沟道之上的无机绝缘材料的连续的层；将一个或多个有机绝缘层淀积在堆叠上方；去除一个或多个所选区域中的至少包括所述一个或多个有机绝缘层和所述无机绝缘材料的堆叠的至少部分；至少在一个或多个经消蚀的区域中将导体材料淀积在堆叠上方以至少接触所述无机绝缘层以下通过去除步骤所暴露的堆叠的全部部分。根据一个实施例，所淀积的所述导体材料提供了一个或多个像素导体，每个像素导体都导电性地连接到堆叠内的相应的漏电极以控制上覆的光学介质的相应的部分。根据一个实施例，所淀积的无机绝缘材料具有比一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。在此还提供有包括如下步骤的方法：提供限定了晶体管阵列的(a)源电极-漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道中的至少一个的层的堆叠；将一个或多个有机绝缘层淀积在堆叠上方；以及将阻挡物淀积在一个或多个有机绝缘层上方；其中阻挡物包括(i)一个或多个经图案化的导体材料的层以及(ii)至少在一个或多个经图案化的导体材料的层不覆盖在一个或多个有机绝缘层上的区域中的经图案化的绝缘体材料层；并且在经图案化的导体材料层覆盖在一个或多个有机绝缘层上的区域中，也在经图案化的导体材料层不覆盖在一个或多个有机绝缘层上的区域中，阻挡物都具有比一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。根据一个实施例，层的堆叠限定了晶体管阵列的所述源电极-漏电极、栅电极和半导体沟道中的全部，并且所述一个或多个经图案化的导体材料层包括限定用于晶体管阵列的像素导体阵列的导体层。根据一个实施例，层的堆叠限定了所述源电极-漏电极和所述半导体沟道两者；以及所述一个或多个经图案化的导体材料层包括限定了用于所述晶体管阵列的栅电极的经图案化的层和限定了用于晶体管阵列的像素导体阵列的经图案化的层。根据一个实施例，淀积阻挡物包括：将所述绝缘体材料淀积在一个或多个有机绝缘层上方；至少图案化所淀积的绝缘体材料和一个或多个有机绝缘层以限定暴露堆叠中的一个或多个导体的通孔；将所述导体材料淀积在经图案化的层上方以生成与所述一个或多个暴露的导体接触的导体层；以及图案化导体层以去除所选区域中所淀积的金属并且限定所述像素导体阵列，其中像素导体阵列每个都与堆叠中相应的导体接触。根据一个实施例，淀积阻挡物包括：至少图案化一个或多个有机绝缘层以限定暴露堆叠中的一个或多个导体的通孔；将所述导体材料淀积在一个或多个经图案化的层上方以生成与所述一个或多个暴露的导体接触的导体层；图案化导体层以去除所选区域中的导体层并且限定所述像素导体阵列，其中每个像素导体阵列都与堆叠中相应的导体接触；将所述绝缘体材料淀积在经图案化的导体层上方；以及图案化绝缘体材料层以暴露所述像素导体中的每个的部分而不暴露所述一个或多个有机绝缘层。根据一个实施例，图案化绝缘体材料层包括将所述绝缘体材料保留在每个像素导体的整个周边部分上方。根据一个实施例，方法进一步包括在淀积所述绝缘体材料前，将平坦化层淀积在经图案化的导体层上方并且图案化该平坦化层以暴露每个像素导体的部分；以及其中图案化所述绝缘体材料层包括不暴露经图案化的平坦化层。根据一个实施例，方法进一步包括将另外的导体材料的层淀积在经图案化的绝缘体材料层上方用于与像素导体的暴露的部分接触；以及图案化另外的导体材料的淀积物以形成上部像素导体阵列，每个上部像素导体都与相应的下部像素导体接触。根据一个实施例，方法进一步包括在阻挡物上方设置光学介质组件。在此还提供有包括如下步骤的方法：提供限定了晶体管阵列的层的堆叠；将一个或多个有机绝缘层淀积在堆叠上方；通过激光消蚀至少图案化一个或多个有机绝缘层以生成暴露堆叠中的一个或多个导体的一个或多个通孔；以及在经图案化的层上方淀积金属以生成与所述一个或多个暴露导体接触的金属层；图案化所淀积的金属以去除所选区域中所淀积的金属并且限定每个都与堆叠中的相应的导体接触的像素导体；以及既将绝缘体材料淀积在所淀积的所述金属被去除的区域中也将绝缘体材料淀积在通孔区域中所淀积的金属上方；其中所淀积的绝缘体材料具有比直接在堆叠中的所述导体之下的衬底低的水蒸汽透过率。根据一个实施例，方法包括使用淀积技术来淀积所述绝缘体材料，其中通过该淀积技术将所述绝缘体材料淀积在由通孔周围的区域中导体的翘起(lift)所暴露的衬底的全部区域上方。在此提供有装置，其包括：限定晶体管阵列的(a)源电极-漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道中的至少一个的层的堆叠；堆叠上方的一个或多个有机绝缘层；以及一个或多个有机绝缘层上方的阻挡物；其中阻挡物包括(i)一个或多个经图案化的导体材料的层以及(ii)至少在一个或多个经图案化的导体材料的层不覆盖在一个或多个有机绝缘层上的区域中的经图案化的绝缘体材料层；并且在经图案化的导体材料层覆盖在一个或多个有机绝缘层上的区域中，也在经图案化的导体材料层不覆盖在一个或多个有机绝缘层上的区域中，阻挡物都具有比一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。根据一个实施例，层的堆叠限定了晶体管阵列的所述源电极-漏电极、栅电极和半导体沟道中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供层的堆叠，所述堆叠至少限定了至少一个晶体管的(a)源电极和漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道；将一个或多个有机绝缘层淀积在所述堆叠上方；通过消蚀技术去除一个多个所选区域中的所述堆叠的至少部分；将导体材料淀积在至少在一个或多个经消蚀的区域以及紧密围绕相应的经消蚀的区域的一个或多个边界区域中的堆叠上方；以及将无机绝缘材料淀积在至少在经消蚀的区域以及边界区域中的堆叠上方，从而覆盖经消蚀的区域并且与相应的经消蚀的区域四周的所述一个或多个边界区域中的所述导体材料直接接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.22 GB 1412974.61.一种方法，包括：提供层的堆叠，所述堆叠至少限定了至少一个晶体管的(a)源电极和漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道；将一个或多个有机绝缘层淀积在所述堆叠上方；通过消蚀技术去除一个多个所选区域中的所述堆叠的至少部分；将导体材料淀积在至少在一个或多个经消蚀的区域以及紧密围绕相应的经消蚀的区域的一个或多个边界区域中的堆叠上方；以及将无机绝缘材料淀积在至少在经消蚀的区域以及边界区域中的堆叠上方，从而覆盖经消蚀的区域并且与相应的经消蚀的区域四周的所述一个或多个边界区域中的所述导体材料直接接触。2.根据权利要求1所述的方法，包括图案化所淀积的所述无机绝缘物以形成所述无机绝缘材料的岛，每个岛都在相应的经消蚀的区域及其周围的边界区域上方延伸。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所淀积的所述导体材料提供了最上面的导体层，该导体层通过所述堆叠导电性地连接到一个或多个晶体管的一个或多个漏电极。4.根据权利要求1到3中的任意一个所述的方法，进一步包括在所述堆叠上方设置光学介质组件，其中所淀积的所述导体材料形成与所述光学介质组件最近的导体，该导体与所述堆叠在光学介质组件的同一侧。5.根据权利要求1到3中的任意一个所述的方法，包括通过原子层淀积来淀积所述无机绝缘材料。6.根据权利要求1到5中的任意一个所述的方法，其中所淀积的无机绝缘材料具有比所述一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。7.一种方法，包括：提供层的堆叠，所述堆叠至少限定了至少一个晶体管的(a)源电极和漏电极、(b)栅电极、(c)半导体沟道，以及至少在至少一个半导体沟道之上的无机绝缘材料的连续的层；将一个或多个有机绝缘层淀积在所述堆叠上方；去除一个或多个所选区域中至少包括所述一个或多个有机绝缘层和所述无机绝缘材料的所述堆叠的至少部分；至少在一个或多个经消蚀的区域中将导体材料淀积在所述堆叠上方以至少接触所述无机绝缘层以下通过去除步骤所暴露的所述堆叠的全部部分。8.根据权利要求7所述的方法，其中所淀积的所述导体材料提供了一个或多个像素导体，每个像素导体都导电性地连接到所述堆叠内的相应的漏电极以控制上覆的光学介质的相应的部分。9.根据权利要求7或权利要求8所述的方法，其中所淀积的无机绝缘材料具有比所述一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。10.一种方法，包括：提供层的堆叠，所述堆叠限定了晶体管阵列的(a)源电极-漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道中的至少一个；将一个或多个有机绝缘层淀积在所述堆叠上方；以及将阻挡物淀积在所述一个或多个有机绝缘层上方；其中所述阻挡物包括(i)一个或多个经图案化的导体材料层以及(ii)至少在所述一个或多个经图案化的导体材料层不覆盖在所述一个或多个有机绝缘层上的区域中的经图案化的绝缘体材料层；并且在所述经图案化的导体材料层覆盖在所述一个或多个有机绝缘层上的区域中，也在所述经图案化的导体材料层不覆盖在所述一个或多个有机绝缘层上的区域中，所述阻挡物都具有比所述一个或多个有机绝缘层低的水蒸气透过率。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述层的堆叠限定了所述晶体管阵列的所述源电极-漏电极、栅电极和半导体沟道中的全部，并且所述一个或多个经图案化的导体材料层包括限定用于所述晶体管阵列的像素导体阵列的导体层。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述层的堆叠限定了所述源电极-漏电极和所述半导体沟道两者；以及其中所述一个或多个经图案化的导体材料层包括限定了用于所述晶体管阵列的栅电极的经图案化的层和限定了用于所述晶体管阵列的像素导体阵列的经图案化的层。13.根据权利要求11所述的方法，其中淀积阻挡物包括：将所述绝缘体材料淀积在所述一个或多个有机绝缘层上方；至少图案化所淀积的绝缘体材料和所述一个或多个有机绝缘层以限定暴露所述堆叠中的一个或多个导体的通孔；将所述导体材料淀积在经图案化的层上方以生成与所述一个或多个暴露的导体接触的导体层；以及图案化所述导体层以去除所选区域中所淀积的金属并且限定所述像素导体阵列，其中每个像素导体都与所述堆叠中相应的导体接触。14.根据权利要求11所述的方法，其中淀积阻挡物包括：至少图案化所述一个或多个有机绝缘层以限定暴露所述堆叠中的一个或多个导体的通孔；将所述导体材料淀积在所述一个或多个经图案化的层上方以生成与所述一个或多个暴露的导体接触的导体层；图案化所述导体层以去除所选区域中的导体层并且限定所述像素导体阵列，其中每个像素导体都与所述堆叠中相应的导体接触；将所述绝缘体材料淀积在经图案化的导体层上方；以及图案化所述绝缘体材料层以暴露所述像素导体中的每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·琼曼，A·韦尔纳，J·迪内尔特，K·纽曼恩，S·瑞德尔，
申请(专利权)人：弗莱克因艾伯勒有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB