【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于压力传感器的电子装置
技术介绍
一些压力传感器利用电阻器材料的导电性的压力相关性。用于例如映射区域上压力变化的传感器阵列可以包括有源矩阵背板，所述有源矩阵背板包含晶体管阵列，每个晶体管与栅极线和读取线的唯一组合相关联，其中与压敏电阻器材料膜电接触的表面导体图案限定栅极导体阵列以及每个晶体管的像素导体。每个晶体管的每个像素导体经由所述晶体管的半导体沟道在层堆叠内连接到读取线阵列中的一个。将压敏电阻器材料的膜图案化成岛或单元是用于改进这种压力传感器阵列的输出的一种技术，但是本申请的专利技术人已经认识到在不对压敏电阻器材料进行图案化的情况下改进输出是存在挑战的。
技术实现思路
因此，提供了一种装置，其包括：限定晶体管阵列的层堆叠，其中所述层堆叠包含表面导体图案，所述表面导体图案限定(i)栅极导体阵列，每个栅极导体提供用于相应列晶体管的栅极电极，以及(ii)像素导体阵列，每个像素导体与相应晶体管相关联，并且经由所述相应晶体管的半导体沟道连接到行导体阵列中的一个，每一行导体与相应行的晶体管相关联；其中每个栅极导体被配置为基本...
【技术保护点】
1.一种装置，其包括：限定晶体管阵列的层堆叠，其中所述层堆叠包含表面导体图案，所述表面导体图案限定(i)栅极导体阵列，每个栅极导体提供用于相应列晶体管的栅极电极，以及(ii)像素导体阵列，每个像素导体与相应晶体管相关联，并且经由所述相应晶体管的半导体沟道连接到行导体阵列中的一个，每一行导体与相应行的晶体管相关联；其中每个栅极导体被配置为基本上完全围绕与所述栅极导体相关联的所述相应列晶体管的所述像素导体延伸。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 GB 1717715.51.一种装置，其包括：限定晶体管阵列的层堆叠，其中所述层堆叠包含表面导体图案，所述表面导体图案限定(i)栅极导体阵列，每个栅极导体提供用于相应列晶体管的栅极电极，以及(ii)像素导体阵列，每个像素导体与相应晶体管相关联，并且经由所述相应晶体管的半导体沟道连接到行导体阵列中的一个，每一行导体与相应行的晶体管相关联；其中每个栅极导体被配...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·哈丁，S·马卡姆，
申请(专利权)人：弗莱克因艾伯勒有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB
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