一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法技术

本发明专利技术涉及一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法，所述有机薄膜晶体管用于气压传感器件，相较于传统的气压传感器件，其具有制备工艺简单、尺寸小，且对气体种类无选择响应的特点，从而具有更宽的应用范围；同时本发明专利技术中基于将有机薄膜制成有机薄膜晶体管，并作为气压传感器件，测试其输出电流与气压的对应关系，进而通过理论分析半定量估算得出有机薄膜的杨氏模量，避免了通过探针技术实验表征的各种困难，具有很大的实际应用前景。

Application of an organic thin film transistor and evaluation method of Young's modulus of organic thin film based on it

【技术实现步骤摘要】
一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法
本专利技术属于传感器件领域，涉及一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法。
技术介绍
随着电子信息技术快速发展，种类多样的传感器作为信息高效采集手段，在人类生活中发挥着越来越重要的作用。在众多采集信息中，气体压强参数的获取需求十分重要。气压传感器是将被测的气压信号转换成可测信号从而实现气压测量的感应元件，是应用非常广泛的一种传感器。例如通过使用气压传感器实时监测航天器飞行高度，预测天气变化，计算海拔高度，预防工业环境低压等，同时还可应用在人工智能的电子皮肤中，精确感知外部气压变化。现有研究主要是基于无机半导体材料制备气压传感器，其中，基于硅的压阻式气压传感器研究最成熟，但工艺十分复杂。传统的无机半导体材料功能单一，且难于降低尺寸满足当下小型化需求，限制了气压传感器在诸多领域的应用。因此开发和使用新型材料制备的气压传感器十分重要。现有技术中通过制备氧化锌纳米线薄膜气压传感器，提出了对气压敏感的一种新型材料(参见文献：Avacuumpressure本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机薄膜晶体管的用途，其特征在于，所述有机薄膜晶体管用于气压传感器。/n

【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管的用途，其特征在于，所述有机薄膜晶体管用于气压传感器。


2.如权利要求1所述的用途，其特征在于，所述有机薄膜晶体管的气压响应范围为70Pa-100KPa。


3.如权利要求1或2所述的用途，其特征在于，所述有机薄膜晶体管中包含衬底层，所述衬底层的表面依次覆盖有绝缘层、修饰层、有机薄膜层和金属电极阵列。


4.如权利要求3所述的用途，其特征在于，所述衬底层的材质为Si、绝缘层的材质为SiO2、修饰层的材质为聚苯乙烯PS；
优选地，所述衬底层的厚度为400-600μm，优选为450-550μm；
优选地，所述绝缘层的厚度为100-300nm，优选为150-250nm；
优选地，所述修饰层的厚度为1-3nm，优选为1.5-2.5nm。


5.如权利要求3或4所述的用途，其特征在于，所述有机薄膜层为有机小分子半导体层；
优选地，所述有机薄膜层的材质包括PDI8-CN2和/或并五苯；优选为PDI8-CN2；
优选地，所述有机薄膜层的厚度为20-40nm，优选为25-35nm；
优选地，所述金属电极阵列的材质包括Au；
优选地，所述金属电极阵列的厚度为40-60nm，优选为45-55nm；
优选地，所述金属电极阵列的沟道宽度为2900-3100μm，优选为2950-2980μm；
优选地，所述金属电极阵列的沟道长度为150-170μm，优选为155-165μm。


6.如权利要求1-5任一项所述的用途，其特征在于，所述有机薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：
(1)在衬底表面形成绝缘层，之后在绝缘层的表面涂覆修饰层；
(2)在步骤(1)中的修饰层的表面通过真空热蒸镀形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：江潮，张燕，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京;11