一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化硼封装的二维有机‑无机异质结，属于二维半导体材料领域。包括衬底、底部封装层、二维纳米层和顶部封装层四部分。其中衬底的材质为硅片；底部封装层的材质为二维氮化硼，设置在所述衬底上；二维纳米层，由至少两层的二维有机材料和/或二维无机材料形成的层状异质结结构，并设置在所述底部封装层上；顶部封装层的材质为二维氮化硼，设置在所述二维纳米层的另一侧。本实用新型专利技术通过采用氮化硼代替传统玻璃薄膜作为封装层，不仅能够起到很好的封装作用，能隔绝外界水氧对二维材料的影响，而且能够增加电子迁移率。

A two-dimensional organic-inorganic heterojunction encapsulated in boron nitride

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结
本技术属于二维半导体材料领域，尤其是一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结。
技术介绍
二维半导体材料作为一种新型的材料，自从2004年单层石墨烯被发现后便引发了普遍的关注。是一种具有机械强度高、导热系数高、高迁移率、超薄透明、柔性可卷曲等优点的新型材料。它优良的光学电学特性是的其在在光电、生物、存储、柔性、集成电路等领域都取得了突破。目前制备异质结的方法主要有两种：化学外延生长法和物理气相沉积法，其中比较著名的有分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）。这两类方法所制备的高品质异质结构，为构建高电子迁移率的晶体管、LED和量子级联激光器等先进功能器件起到了做出了重要贡献。然而，这两类技术所构建的异质结都依赖于一对一的化学键作用，对两种材料的晶格匹配度要求极高。对于化学外延生长法而言，晶格失配容易导致多晶的形成，且界面受应变影响极大；对于物理气相沉积法，其对材料类型和晶格匹配度要求度相对比较灵活，但是沉积的材料大多是无定形或多晶态，且界面容易受缺陷或化学紊乱所干扰。范德本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结，其特征在于，包括：/n衬底，其材质为硅片；/n底部封装层，其材质为二维氮化硼，设置在所述衬底上；/n二维纳米层，由至少两层的二维有机材料和/或二维无机材料形成的层状异质结结构，并设置在所述底部封装层上；/n顶部封装层，其材质为二维氮化硼，设置在所述二维纳米层的另一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结，其特征在于，包括：
衬底，其材质为硅片；
底部封装层，其材质为二维氮化硼，设置在所述衬底上；
二维纳米层，由至少两层的二维有机材料和/或二维无机材料形成的层状异质结结构，并设置在所述底部封装层上；
顶部封装层，其材质为二维氮化硼，设置在所述二维纳米层的另一侧。


2.根据权利要求1所述的氮化硼封装的二维有机-无机异质结，其特征在于，所述二维氮化硼为层状六方氮化硼。


3.根据权利要求1所述的氮化硼封装的二维有机-无机异质结，其特征在于，所述底部封装层和底部封装层的厚度为40～50nm，二维纳米层的厚度为4～10nm；其中二维有机材料和二维无机材料之间的厚度比为1：（1～2）。


4.根据权利要求1所述的氮化硼封装的二维有机-无机异质结，其特征在于，所述二维有机材料为半导体苝四甲酸二...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞正，高丽，王欣然，疏静，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32