【技术实现步骤摘要】
一种制备大面积、均匀的碳纳米管网络薄膜的方法
本专利技术涉及一种制备大面积、均匀的碳纳米管网络薄膜的方法，属于碳纳米管材料和电子学领域。
技术介绍
半导体性碳纳米管(SWNTs)具有优异的电学、力学和热学性能，其网络薄膜在逻辑电路、传感器界面电路、显示驱动电路等领域具有巨大的应用价值。目前常采用浸涂法和滴涂法制备碳纳米管网络薄膜。浸涂法将基底直接浸泡在碳纳米管溶液中，一段时间后将基底取出清洗干燥，得到碳纳米管网络薄膜。浸涂法制备碳纳米管网络薄膜存在制备时间长(例如10个小时)、薄膜厚度不均匀、且密度低、需大量碳管溶液等缺点。为增加碳管薄膜密度，需对基底进行表面修饰，或多次浸涂，增加了制备的复杂度。此外，每片基底上的杂质均可能在残留在碳管溶液中，附着于后续的基底，增加了后续基底上碳管薄膜的缺陷，降低了薄膜性能。滴涂法将碳纳米管溶液以液滴形式直接滴落在基底上，一段时间后将基底清洗干燥，得到碳纳米管网络薄膜。相比于浸涂法，滴涂法具有成膜时间短(例如30分钟)、薄膜密度高、仅需少量碳管溶液、基底之间相互独立(每片基底...
【技术保护点】
1.一种制备大面积、均匀的碳纳米管网络薄膜的方法，其特征在于，包括：/n1)取容器，将载物装置置于容器内，向容器内倒入易挥发有机溶剂，使其铺满整个容器的底面，且液面不超过载物装置的上表面，将容器密封，静置5-10min，至容器内形成有机溶剂的饱和蒸汽；/n2)将基底用丙酮、异丙醇清洗，并高温烘干；/n3)打开1)密封的容器，将2)烘干后的基底放于载物装置上，再次密封容器，静置3-5min，至容器内再次形成有机溶剂的饱和蒸气；/n4)打开3)密封的容器，将碳纳米管溶液均匀滴涂在基底上表面，至基底上表面被所述碳纳米管溶液完全覆盖，形成液膜，且液膜不流出基底边缘，再次密封容器，静...
【技术特征摘要】
1.一种制备大面积、均匀的碳纳米管网络薄膜的方法，其特征在于，包括：
1)取容器，将载物装置置于容器内，向容器内倒入易挥发有机溶剂，使其铺满整个容器的底面，且液面不超过载物装置的上表面，将容器密封，静置5-10min，至容器内形成有机溶剂的饱和蒸汽；
2)将基底用丙酮、异丙醇清洗，并高温烘干；
3)打开1)密封的容器，将2)烘干后的基底放于载物装置上，再次密封容器，静置3-5min，至容器内再次形成有机溶剂的饱和蒸气；
4)打开3)密封的容器，将碳纳米管溶液均匀滴涂在基底上表面，至基底上表面被所述碳纳米管溶液完全覆盖，形成液膜，且液膜不流出基底边缘，再次密封容器，静置5-30min，形成碳纳米管网络薄膜，其中，所述碳纳米管溶液采用的溶剂与1)中所述易挥发有机溶剂相同；
5)打开4)密封的容器，取出基底，清洗，并用高纯度气体吹干，得到大面积、均匀的碳纳米管网络薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在1)中，所述载物装置为载物台,固定于容器内；
所述易挥发有机溶剂包括甲苯和氯仿中的任意一种或两种；
所述容器密封指在容器开口端以可拆卸方式与容器盖结合。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述容器盖上放置压块。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在1)中，还包括利用水浴加热密封后的容器。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在2)中，所述基底包括硅/二氧化硅基底、石英基底、蓝宝石基底和聚合物柔性基底中的任意一种或几种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在4)中，所述碳纳米管溶液由如下方法制备：
A)取碳纳米管材料，分散到共轭聚合物溶液中，超声破碎，得到均匀的碳管溶液；
B)取A)所得碳管溶液，第一次超速离心，收集80-90vol％的上清液，进行第二次超速离心，收集80-90vol％的上清液，得超高纯度半导体性碳纳米管溶液，将两次超速离心产生的沉淀和下清液回收，作为碳纳米管材料；
C)将B)制备的超高纯度半导体性碳纳米管溶液浓缩，离心，收集沉淀...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇，白兰，
申请(专利权)人：中国科学院空间应用工程与技术中心，
类型：发明
国别省市：北京;11
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