【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管。
技术介绍
随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极及活性层等组成部分，活性层包括漏极、源极以及沟道层，薄膜晶体管通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。一般地，薄膜晶体管的活性层通常为一层结构，并采用IGZO作为其制作材料。然而，IGZO材料会受制程条件的影响而改变其特性,尤其是氧原子的空穴(Oxygen vacancy)对导电性的影响，从而影响活性层的导电性
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种具有较好导电性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板上的活性层及栅极，所述活性层包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧并与该沟道层电连接的源极、漏极，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，所述活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层氧化物半导体层采用不同的材料制成。在本专利技术提供的薄膜晶体管中，该活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层两层氧化物半导体层采用不同的材料制成，在同一温度下，可以均衡各氧化物半导体层之间因制程条件的影响程度，从而保证活性层具有较好的导电性能。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的薄膜晶体管的截面示意图。图2是本专利技术第二实施例提供的薄膜晶体管的截面示意图。图3是本专利技术第三实施例提供的薄膜晶体管的截面示意图。主要元件符号说明权利要求1.一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板上的活性层及栅极，所述活性层包括沟道层及分别位于该沟道...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板上的活性层及栅极，所述活性层包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧并与该沟道层电连接的源极、漏极，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于：所述活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层氧化物半导体层采用不同的材料制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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