具有边缘终端结构的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及具有边缘终端结构的半导体器件。半导体器件包括含有第一表面、内部区和边缘区的半导体本体、在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区、与第一器件区一起在内部区中形成器件结的第二器件区以及从第一表面延伸到半导体本体中的多个至少两个介电区。在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离。半导体器件进一步包括被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区的电阻层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种半导体器件，特别是涉及一种具有边缘终端(edgetermination)的垂直功率半导体器件。
技术介绍
诸如功率二极管、功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)或功率晶闸管之类的功率半导体器件被设计来经受住高的阻断电压。那些功率器件包括被形成在P型掺杂半导体区与η型掺杂半导体区之间的ρη结。当ρη结被反向加偏压时，该部件阻断(被关断)。在这种情况下，耗尽区或空间电荷区域在P型掺杂区和η型掺杂区中传播。经常,这些半导体区中的一个比这些半导体区中的另一个更轻地被掺杂，使得耗尽区主要在更轻地被掺杂的区中延伸，所述更轻地被掺杂的区主要支持被施加在ρη结上的电压。支持阻断电压的半导体区在二极管或晶闸管中被称为基区，而在MOSFET或IGBT中被称为漂移区。ρη结的支持高电压的能力通过雪崩击穿现象来限制。当被施加在ρη结上的电压增加时，半导体区中的形·成ρη结的电场增加。该电场结果形成存在于半导体区中的移动电荷载流子的加速。当电荷载流子由于电场被加速来使得这些电荷载流子通过碰撞电离而创建电子-空穴对时，雪崩击穿发生。通过碰撞本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：半导体本体，所述半导体本体包括第一表面、内部区和边缘区；在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区；第二器件区，所述第二器件区与第一器件区一起在内部区中形成器件结；多个至少两个介电区，所述多个至少两个介电区从第一表面延伸到半导体本体中，其中在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离；以及电阻层，所述电阻层被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区。

【技术特征摘要】
2012.01.31 US 13/362,0051.一种半导体器件，其包括: 半导体本体，所述半导体本体包括第一表面、内部区和边缘区； 在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区； 第二器件区，所述第二器件区与第一器件区一起在内部区中形成器件结； 多个至少两个介电区，所述多个至少两个介电区从第一表面延伸到半导体本体中，其中在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离；以及电阻层，所述电阻层被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层具有在1θ3Ω_2/πι到1θ7Ω_2/πι之间的电阻率。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层包括半绝缘材料。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，半绝缘材料是非晶的或多晶的半导体材料。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，半导体材料包括SiC、GaN、GaAs、AlGaN和Si中的一个。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，半绝缘材料包括掺杂玻璃、DLC或aC:H。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，介电区是环形的，并且围绕内部区。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，介电区是环段并且彼此毗连，使得介电区形成围绕器件结的螺旋。9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括: 边缘表面；以及 第一掺杂类型的外部掺杂区，所述第一掺杂类型的外部掺杂区在边缘表面与介电区之间，并且具有比内部区中的第二器件区更高的掺杂浓度。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，电阻层被连接到外部掺杂区。...

【专利技术属性】
技术研发人员：F希尔勒，A毛德，HJ舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：