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本发明涉及具有边缘终端结构的半导体器件。半导体器件包括含有第一表面、内部区和边缘区的半导体本体、在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区、与第一器件区一起在内部区中形成器件结的第二器件区以及从第一表面延伸到半导体本体中的多个至少两个...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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