本发明专利技术公开的薄膜晶体管具有：在基板(21)上形成的栅电极(22)；以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23)；在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24)；以覆盖该氧化物半导体层(24)的端部的方式形成的源电极(25s)及漏电极(25d)；和在源电极(25s)及漏电极(25d)和氧化物半导体层(24)上以覆盖它们的方式形成的钝化膜(26)。钝化膜(26)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开的薄膜晶体管具有：在基板(21)上形成的栅电极(22)；以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23)；在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24)；以覆盖该氧化物半导体层(24)的端部的方式形成的源电极(25s)及漏电极(25d)；和在源电极(25s)及漏电极(25d)和氧化物半导体层(24)上以覆盖它们的方式形成的钝化膜(26)。钝化膜(26)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。【专利说明】薄膜晶体管
本专利技术涉及使用于液晶显示装置或者有机EL显示装置的薄膜晶体管。
技术介绍
对于使用于液晶显示装置或者有机EL显示装置的薄膜晶体管，在含有氧化物半导体膜的薄膜晶体管中采用沟道刻蚀阻挡层结构，用以抑制在形成源电极、漏电极时对氧化物半导体造成的损伤。另外，为了防止在沟道刻蚀阻挡层形成时由于还原性气体引起氧化物半导体产生特性变化，如专利文献I所示，使用SiO2薄膜来作为沟道刻蚀阻挡层。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010—161227号公报
技术实现思路
本专利技术具有:在基板上形成的栅电极；以覆盖该栅电极的方式形成的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上形成的氧化物半导体层；以覆盖该氧化物半导体层的端部的方式形成的源电极及漏电极；和在源电极及漏电极和氧化物半导体层上以覆盖该源电极及漏电极和氧化物半导体层的方式形成的钝化膜。钝化膜由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。根据该结构，能够提供抑制了特性变化、具有所希望的晶体管特性的薄膜晶体管。【专利附图】【附图说明】图1是表示一实施方式中的EL显示装置的立体图。图2是表示一实施方式中的EL显示装置的像素隔堤的示例的立体图。图3是表示一实施方式中的薄膜晶体管的像素电路的电路构成的电气电路图。图4是表不一实施方式中的薄膜晶体管的概略截面图。图5A是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。图5B是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。图5C是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。图是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。图5E是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。图5F是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。图5G是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。【具体实施方式】下面，结合附图对本专利技术的一实施方式中的薄膜晶体管予以说明。图1是一实施方式中的EL显示装置的立体图，图2是表示一实施方式中的EL显示装置的像素隔堤的示例的立体图，图3是表示一实施方式中的薄膜晶体管的像素电路的电路构成的图。如图1?图3所示，EL显示装置自下层开始由薄膜晶体管阵列装置I和发光部的层叠结构构成，其中，薄膜晶体管阵列装置I中配置了多个薄膜晶体管10或者薄膜晶体管11，发光部由作为下部电极的阳极2、由有机材料构成的作为发光层的EL层3、和透明的作为上部电极的阴极4组成。由薄膜晶体管阵列装置I对该发光部进行发光控制。另外，发光部是在一对电极即阳极2与阴极4之间配置了 EL层3的结构。在阳极2与EL层3之间层叠地形成有空穴传输层，在EL层3与透明的阴极4之间层叠地形成有电子传输层。在薄膜晶体管阵列装置I中，多个像素5被配置成矩阵状。各像素5由各自设置的像素电路6来驱动。另外，薄膜晶体管阵列装置I具有:被配置为行状的多个栅极布线7、以与栅极布线7交叉的方式被配置为列状的多个作为信号布线的源极布线8、和与源极布线8平行地延伸的多个电源布线9 (图1中省略)。栅极布线7在每行与像素电路6各自包含的作为开关元件动作的薄膜晶体管10的栅电极IOg连接。源极布线8在每列与像素电路6各自包含的作为开关元件动作的薄膜晶体管10的源电极IOs连接。电源布线9在每列与像素电路6各自包含的作为驱动元件动作的薄膜晶体管11的漏电极Ild连接。如图2所示，EL显示装置的各像素5由3色(红色、绿色、蓝色)的子像素5R、5G、5B构成。这些子像素5R、5G、5B在显示面上被排列成多个矩阵状(以下记为“子像素列”)。各子像素5R、5G、5B被用隔堤5a相互分离开。隔堤5a形成为与栅极布线7平行地延伸的突条和与源极布线8平行地延伸的突条相互交叉。而且，在由该突条所包围的部分(即隔堤5a的开口部)形成有子像素5R、5G、5B。在薄膜晶体管阵列装置I上的层間绝缘膜上且是在隔堤5a的开口部内，按每个子像素5R、5G、5B形成有阳极2。同样地，在阳极2上且是在隔堤5a的开口部内，按每个子像素5R、5G、5B形成有EL层3。在多个EL层3及隔堤5a上且以覆盖全部的子像素5R、5G、5B的方式连续地形成有透明的阴极4。并且，在薄膜晶体管阵列装置I中，按每个子像素5R、5G、5B形成有像素电路6。而且，各子像素5R、5G、5B与相对应的像素电路6通过后边将阐述的接触孔及中继电极而电连接。另外，除EL层3的发光颜色不同这点之外，子像素5R、5G、5B具有相同的结构。因此，在以后的说明中，将不再区分子像素5R、5G、5B而将其全部记为“像素5”。如图3所示,像素电路6由作为开关元件动作的薄膜晶体管10、作为驱动元件动作的薄膜晶体管11、存储对应的像素所显示的数据的电容器12构成。薄膜晶体管10由与栅极布线7连接的栅电极10g、与源极布线8连接的源电极10s、与电容器12及薄膜晶体管11的栅电极Ilg连接的漏电极10d、和半导体膜(未图示)构成。当向所连接的栅极布线7及源极布线8施加电压时，该薄膜晶体管10将施加到该源极布线8的电压值作为显示数据保存在电容器12。薄膜晶体管11由与薄膜晶体管10的漏电极IOd连接的栅电极llg、与电源布线9及电容器12连接的漏电极lid、与阳极2连接的源电极11s、和半导体膜(未图示)构成。该薄膜晶体管11将与电容器12保持的电压值对应的电流，从电源布线9通过源电极Ils提供给阳极2。即，上述构成的EL显示装置采用有源矩阵方式，该有源矩阵方式是对位于栅极布线7与源极布线8的交点的每个像素5进行显示控制的方式。图4是表不一实施方式中的薄膜晶体管的概略截面图。 如图4所示，在基板21上形成栅电极22，以覆盖该栅电极22的方式形成有栅绝缘膜23。在栅绝缘膜23上形成有岛状的氧化物半导体层24。以覆盖氧化物半导体层24的端部的方式形成有源电极25s、漏电极25d。另外，在源电极25s、漏电极25d以及氧化物半导体层24上，以覆盖该源电极25s、漏电极25d以及氧化物半导体层24的方式形成有钝化膜26，该钝化膜26用于与形成于上层的发光层的电极之间绝缘。另外，尽管没有予以图示，该钝化膜26形成有接触孔，通过该接触孔与上层的凳光层的电极电连接。在此，例如使用玻璃基板作为基板21。另外，在是应用于可挠式显示器的情况下，也可以使用树脂基板。此外，关于栅电极22，例如可以使用T1、Mo、W、Al、Au等的金属或者ITO(氧化铟锡)等的导电氧化物。另外，关于金属，例如可以使用MoW那样的合金。另外，为了提高膜的密接性，可以使用与氧化物之间的密接性良好的金属、例如夹有T1、Al或Au等的金属的层叠体作为电极。另外，作为栅绝缘膜23，例如本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤荣一，青山俊之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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