薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术是有关于一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端，且漏极夹持半导体层的第二端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管，特别是涉及一种具有欧姆强化层的薄膜晶体管。
技术介绍
现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件与显示装置的进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低功率消耗、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器已逐渐成为市场的主流。随着薄膜晶体管液晶显示器的产品(如电视机、手机、数码相机、笔记型计算机等等)越来越普及，这些装置对日常生活上的影响也日益增加。然而,在响应节能的需求下,如何在维持高画质、高性能的条件下,借由改变薄膜晶体管液晶显示器内的半导体元件，进一步降低薄膜晶体管液晶显示器的功率消耗，实为未来的趋势。目前，为了降低功率消耗，已有技术针对薄膜晶体管的半导体层与源极(或漏极)的欧姆接触阻值进行改良。举例而言，现有习知的技术借由配置欧姆接触层于半导体层与源极(或漏极)的接触表面以降低欧姆接触阻值。然而，现阶段针对功率消耗的改良仍有待进步。由此可见，上述现有的薄膜晶体管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的薄膜晶体管，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的薄膜晶体管存在的缺陷，而提供一种新型结构的薄膜晶体管，所要解决的技术问题是在提供一种薄膜晶体管，其具有低功率消耗，非常适于实用。 本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的薄膜晶体管，其包括:栅极；半导体层，具有相对的第一端与第二端；绝缘层，配置于该栅极与该半导体层之间；源极，夹持该半导体层的该第一端；以及漏极，夹持该半导体层的该A-Ap ~.上山弟一觸。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的薄膜晶体管，其中所述的该绝缘层具有背对该栅极的第一表面，该半导体层具有面向该栅极的第二表面，该源极具有:第一电极部，连接至该半导体层的该第一端；以及第二电极部，连接至该第一电极部与该半导体层的该第一端，其中至少部分该第二电极部配置于该第一表面与该第二表面之间，且该漏极具有:第三电极部，连接至该半导体层的该第二端；以及第四电极部，连接至该第三电极部与该半导体层的该第二端，其中至少部分该第四电极部配置于该第一表面与该第二表面之间。前述的薄膜晶体管，其中所述的该第二电极部与该第四电极部分别位于该栅极在该第二表面上的正投影的相对两侧。前述的薄膜晶体管，其中所述的该第二电极部与该正投影不重叠，且该第四电极部与该正投影不重叠。前述的薄膜晶体管，其中所述的该半导体层更具有背对该栅极的第三表面，该第一电极部从该第一端沿着该第三表面往该第三电极部延伸至第一位置，该第三电极部从该第二端沿着该第三表面往该第一电极部延伸至第二位置，该第一位置在该第一表面上的第一正投影介于该第二电极部与该第二位置在该第一表面上的第二正投影之间，该第二正投影位于该第一正投影与该第四电极部之间，且该第二电极部、该第一正投影、该第二正投影与该第四电极部彼此互相分离。前述的薄膜晶体管，其中所述的该第二电极部与该第四电极部的厚度各为2纳米至300纳米。前述的薄膜晶体管，其中所述的该第二电极部与该第四电极部的厚度各为10纳米至100纳米。前述的薄膜晶体管，其中所述的该第二电极部与该第四电极部的材料为金属、金属氧化物或其组合。前述的薄膜晶体管，其中所述的该第二电极部与该第四电极部的材料包括钥铬合金、铝钥合金、钥金属、铜金属、氧化铟锡或其组合。前述的薄膜晶体管，其中所述的该半导体层的材料为金属氧化物半导体。前述的薄膜晶体管，其中所述的该金属氧化物半导体包括氧化铟锌、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化铟镓锌或其组合。前述的薄膜晶体管 ，其中所述的其更包括基板，其中该栅极配置于该基板与该半导体层之间。前述的薄膜晶体管，其中所述的其更包括:保护层，覆盖该源极、该半导体层及该漏极，其中该保护层具有贯孔，该贯孔暴露出至少部分该漏极；以及导电材料，填充于该贯孔中，并覆盖部分该保护层。前述的薄膜晶体管，其中所述的其更包括基板，其中该半导体层配置于该基板与该栅极之间。前述的薄膜晶体管，其中所述的其更包括:保护层，覆盖该栅极及该绝缘层，其中该保护层具有第一贯孔，该绝缘层具有第二贯孔，该第一贯孔与该第二贯孔连通并暴露出至少部分该漏极；以及导电材料，填充于该第一贯孔与该第二贯孔中，并覆盖部分该保护层。借由上述技术方案，本专利技术薄膜晶体管至少具有下列优点及有益效果:本专利技术的实施例的薄膜晶体管可利用源极以及漏极分别夹持半导体层的二端来完成欧姆接触，以增加欧姆接触的面积，进而有效地降低操作电压以及降低功率消耗。综上所述，本专利技术薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端，且漏极夹持半导体层的第二端。本专利技术在技术上有显着的进步，并具有明显的积极效果，诚为新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。图2为本专利技术的另一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。100、200:薄膜晶体管110:基板112:栅极120:半导体层130:绝缘层140:源极150:漏极140a:第一电极部140b:第二电极部150a:第三电极部150b:第四电极部160:保护层170:导电材料S1:第一表面S2:第二表面S2a、S2b、S2c:子表面S3:第三表面Xl:第一端X2:第二端W: 贯孔 Wl:第一贯孔W2:第二贯孔Pl:第一位置P2:第二位置H1、H2:厚度L1、L2:重叠长度L140b、L150b:长度Il:第一正投影12:第二正投影Pro:正投影具体实施例方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的薄膜晶体管其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1为本专利技术的一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。请参阅图1，本实施例的薄膜晶体管100包括栅极112、半导体层120、绝缘层130、源极140以及漏极150。半导体层120具有相对的第一端Xl与第二端X2。此外，半导体层120的材料例如是金属氧化物半导体。具体而言，半导体层120的材料包括氧化铟锌(Indium zinc oxide, IZO)、氧化锌(Zincoxide,ZnO)、惨招氧化锋(Aluminum doped zinc oxide,ΑΖ0)、氧化铟嫁锋(Indiumgalliumzinc oxide, IGZ0)或其组合。绝缘层130配置于栅极112与半导体层120之间。此外，绝缘层130的材料例如是高介电系数的氧化硅或氮化硅等。另外，绝缘层130具有背对栅极112的第一表面SI，且半导体层120具有面向栅极112的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：栅极；半导体层，具有相对的第一端与第二端；绝缘层，配置于所述栅极与所述半导体层之间；源极，夹持所述半导体层的所述第一端；以及漏极，夹持所述半导体层的所述第二端。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王裕霖，叶佳俊，蔡学宏，辛哲宏，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：