开关管及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种开关管及其制备方法、显示面板。开关管包括：栅极电极；覆盖栅极电极的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于氧化物半导体层上的第一保护层；与氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量。并且所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。通过上述方式，本发明专利技术能够抑制开关管内半导体层的氧原子与外部氢原子结合，提高器件性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种开关管及其制备方法、显示面板。
技术介绍
主动矩阵式屏幕显示器每个像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管主动装置来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。主动矩阵式平面显示器的每个像素点都是由集成在自身上的薄膜晶体管(TFT)来控制，是有源像素点。薄膜晶体管通常包括栅极电极、栅极绝缘层、源极/漏极层、半导体层以及第一保护层和第二保护层，而半导体层通常优选IGZO(氧化铟镓锌)。而IGZO中的O通常会与外部的氢进行结合，从而造成元件特性和稳定性劣化。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种开关管及其制备方法、显示面板，能够抑制开关管内半导体层的氧原子与外部氢原子结合，提高器件性能和稳定性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种开关管，包括:栅极电极；覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层上的第一保护层；与所述氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖所述源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关管，其特征在于，包括：栅极电极；覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层上的第一保护层；与所述氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖所述源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量，所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江政隆，陈柏林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：