薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术涉及的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘层（3），其形成于栅电极（2）上；沟道层（4），其形成于栅电极（2）上方的栅极绝缘层（3）上；源电极（9S）以及漏电极（9D），其形成于沟道层（4）的上方；阻挡层（8），其形成于沟道层（4）与源电极（9S）之间以及沟道层（4）与漏电极（9D）之间。源电极（9S）以及漏电极（9D）由包含铜的金属构成，阻挡层（8）是含有氮和钼的层，其密度为7.5~10.5（g/cm3）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法
本专利技术涉及薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
近年来，作为替代液晶显示装置的下一代平板显示器之一的利用了有机材料的电致发光（EL：ElectroLuminescence）的有机EL显示装置受到注目。在有机EL显示装置等有源矩阵方式的显示装置中，在呈矩阵状构成的多个像素分别设置有薄膜晶体管（TFT：ThinFilmTransistor），由此构成TFT阵列基板。薄膜晶体管具备在基板上形成的栅电极、半导体层（沟道层）、源电极以及漏电极，在TFT阵列基板的各像素中被用作驱动晶体管或开关晶体管。另外，构成薄膜晶体管的各电极的金属也被用作布线，例如，构成源电极或漏电极的金属也被用作源极布线或漏极布线。即，通过使相同金属膜图案化，形成源电极或漏电极以及源极布线或漏极布线。近年来，随着显示装置的大画面化，期望布线低电阻化，作为源极布线或漏极布线的材料，正在研究使用了低电阻的铜（Cu）的铜布线。该情况下，与源极布线或漏极布线形成于同层的源电极或漏电极也由铜形成。但是，存在如下问题：若作为源电极或漏电极的材料而使用铜，则由于热处理时承受的热或TFT工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜晶体管，具备：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅极绝缘层，其形成于所述栅电极上；半导体层，其形成于所述栅电极上方的所述栅极绝缘层上；源电极以及漏电极，其形成于所述半导体层的上方；以及阻挡层，其形成于所述半导体层与所述源电极之间以及所述半导体层与所述漏电极之间，所述源电极以及漏电极由包含铜的金属构成，所述阻挡层是含有氮和钼的层，该层是具有Mo2N晶粒及在Mo2N晶粒界或晶粒内的缺陷和/或空隙中填充的过剩氮的构造，其密度大于7.5g/cm3且小于10.5g/cm3。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，所述阻挡层所包含的氮与钼的组成比N/Mo大于0.9。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，所述阻挡层是具有由Mo2N形成的多个晶粒和在所述多个晶粒相互之间所包含的氮的构造。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，所述阻挡层的厚度为2nm～30nm。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，所述阻挡层的厚度为3nm～25nm。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：山田达也，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：