AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，所述制作工序包括在玻璃基板上蒸镀氧化物缓冲层、非晶硅、Ni原子单位，结晶化a-Si及一次蒸镀绝缘膜、二次蒸镀绝缘膜等工序，所述一次蒸镀绝缘膜后，AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，所述绝缘膜厚度为本实用新型专利技术的有益效果：通过控制绝缘膜形成斜面区和平面区组合的特殊结构，实现在经过离子注入等后续工序后自然形成具备低掺杂度漏极的AMOLED用TFT，采用分两次蒸镀绝缘膜的手段减小了离子注入对绝缘膜的影响。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Structure of AMOLED low doping drain TFT fabrication process

The utility model discloses a low doped drain AMOLED of TFT in the process of making the structure, the production process involves coating the oxide buffer layer, amorphous silicon, Ni atomic vapor on the glass substrate, crystallization of a-Si and an evaporation insulation film, an insulating film two vapor deposition process, the the first insulating film after deposition, AMOLED low doped drain of TFT in the process of making the structure comprises a glass substrate and oxide buffer layer, in turn covered on the glass substrate of the amorphous silicon layer, a gate insulating layer, a gate metal layer and an insulating film, the insulating film thickness for the beneficial effect of the utility model special zone and plane area slope structure is formed by controlling the combination of insulating film after ion implantation, the follow-up after the process of natural formation with low doped drain AMOLED of TFT, the two insulating film means reducing evaporation The effect of ion implantation on the insulating film.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于显示
，具体涉及一种有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)用低惨杂度漏极 TFT 制作工序中的结构。
技术介绍
AMOLED 与液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)不同，AMOLED 的驱动方式采用的是电流驱动。因此TFT的电气特性相当重要，尤其是载流子(carrier)的迁移率特性良好才有利。通常用于AMOLED驱动的硅薄膜晶体管(S1-TFT)大致可分为非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)和多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)，非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)的生产率突出，均匀性也高，多晶硅TFT (p-Si TFT)的载流子(carrier)迁移率特性优秀。所以p-Si TFT更适合用于AMOLED。p-Si TFT的制作工艺包括低温结晶，其低温结晶化方法通常分为利用激光(Laser)的方法和Non Laser的方法。Laser的结晶化方法的优点是每个晶粒都能显示出完整的硅的特性，但是Laser自身的稳定性问题导致的TFT特性的均匀性(Uniformity)变化程度严重，而且激光源(Laser source)不适用于大面积的面板制作，并且设备本身的成本较高。相反，Non-Laser的结晶化方法相比Laser方式在电气特性方面上略有不足，但也有能节约费用，晶粒的均匀度也优秀，也易于适用于大面积显示上的优点。为了更好地满足AMOLED像素驱动的需求，有人提出了使用低掺杂度漏极TFT的方案，所述方案能有效提高AMOLED像素驱动的效果。目前使TFT形成低掺杂度漏极存在多种工艺方法通常包括依次在玻璃基板上:1、用等离子增强化学气相沉积(PECVD，PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)蒸镀氧化物缓冲层，2、通过PECVD或低压化学气相沉积(LPCVD,Low Pressure Chemical Vapor Deposition)蒸锻非晶娃(a_Si ), 3、利用原子层沉积(ALD, Atomic Layer Deposition)设备蒸镀Ni原子单位或用sputter蒸镀Ni, 4、在结晶炉中结晶化非晶硅以及制作硅图案、蒸镀栅极绝缘层等步骤，然后进行离子掺杂、活性化、层间绝缘层沉积及接触孔图案制作、源/漏极金属沉积及排线图案制作、钝化层沉积及接触孔图案制作、ITO沉积和阳极图案制作及光刻胶保护层图案制作等步骤完成TFT制作。但是如上的制造方法，其器件大小接近于纳米领域，产生了热载流子效应。这是因为源与漏间的距离太小，导致电场的大小增加，不能阻止不纯物对沟道的侵入，所以会根据其扩散程度，沟道的尺寸变化严重，宽度变窄，从而导致较高的漏电流。其原因在于上述制作工艺中，通过离子注入形成的TFT漏极效果不佳。而离子注入形成TFT漏极的效果与离子注入之前的制作工艺形成的TFT结构有较大关系。
技术实现思路
本实用新 型的目的是为了解决AMOLED用TFT的制作工艺中离子注入前的TFT结构的缺陷导致的离子注入形成的TFT漏极效果不佳的问题，提出了一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构。本技术的技术方案是:一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，其特征在于，所述栅极绝缘层和栅极金属层呈金字塔状覆盖于非晶硅层上，所述绝缘膜包括直接覆盖于非晶硅层上的平面区和覆盖于金字塔状的栅极绝缘层和栅极金属层斜面的斜面区，所述栅极绝缘层和栅极金属层在非晶硅层的正投影区边缘包含于所述斜面区在非晶硅层的正投影区。上述绝缘膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜和第二绝缘膜通过两次蒸镀结合在一起，所述TFT具有低掺杂度漏极。本技术的有益效果:通过控制绝缘膜形成斜面区和平面区组合的特殊结构，实现在经过离子注入等后续工序后自然形成具备低掺杂度漏极的AMOLED用TFT，采用分两次蒸镀绝缘膜的手段减小了离子注入对绝缘膜的影响。附图说明图1为本技术的TFT制作工序中一次蒸镀绝缘膜后的结构示意图；图2为本技术的TFT制作工序中离子注入示意图；图3为本技术的TFT制作工序中二次蒸镀绝缘膜后的结构示意图；图4为本技术的AMOLED低掺杂度漏极TFT结构示意图。附图标记说明:玻璃基板1，氧化物缓冲层2，非晶硅层3，栅极绝缘层4，栅极金属层5，绝缘膜6，斜面区61，平面区62，低掺杂度漏极7，离子注入方向A。具体实施方式以下结合附图和具体的实施例对本技术作进一步的阐述。本实施例的一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序包括在玻璃基板上蒸镀氧化物缓冲层，蒸镀非晶硅，蒸镀Ni原子单位，结晶化a-Si，制作硅图案，蒸镀栅极绝缘层，蒸镀栅极金属，一次蒸镀绝缘膜，注入离子，活性化及二次蒸镀绝缘膜；如图1所示，本实施例的一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板I上的氧化物缓冲层2、非晶硅层3、栅极绝缘层4、栅极金属层5和绝缘膜6，所述绝缘膜厚度为800-丨200 A。如图2所示，上述栅极绝缘层4和栅极金属层5呈金字塔状覆盖于非晶硅层3上，上述绝缘膜6包括直接覆盖于非晶硅层上的平面区62和覆盖于金字塔状的栅极绝缘层4和栅极金属层5斜面的斜面区61，所述栅极绝缘层4和栅极金属层5在非晶硅层3的正投影区包含于所述斜面区61在非晶硅层3的正投影区。如图3所示为上述二次蒸镀绝缘膜后的AMOLED用TFT结构示意图,所述绝缘膜6包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜和第二绝缘膜通过两次蒸镀结合在一起；如图4所示为本实施例的一种低掺杂度漏极TFT，所述TFT具有低掺杂度漏极7。上述低掺杂度漏极7是在本实施例的低掺杂度漏极TFT进入正常的离子注入工序时按照图2所示的离子注入方向A注入离子时，由于离子经过绝缘膜6的斜面区61注入非晶硅层的难度远大于离子经过绝缘膜6的平面区注入非晶硅层的难度，所以会在斜面区61与栅极绝缘层4在非晶硅层正投影区域的差集区域形成低掺杂度漏极7。 本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本技术的原理，应被理解为本技术的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本技术公开的这些技术启示做出各种不脱离本技术实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，其特征在于，所述栅极绝缘层和栅极金属层呈金字塔状覆盖于非晶硅层上，所述绝缘膜包括直接覆盖于非晶硅层上的平面区和覆盖于金字塔状的栅极绝缘层和栅极金属层斜面的斜面区，所述栅极绝缘层和栅极金属层在非晶硅层的正投影区边缘包含于所述斜面区在非晶硅层的正投影区。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，其特征在于，所述栅极绝缘层和栅极金属层呈金字塔状覆盖于非晶硅层上，所述绝缘膜包括直接覆盖于非晶硅层上的平面区和覆盖于金字塔状的栅极绝缘层和栅极金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵大庸，徐正勋，郭钟云，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：