薄膜晶体管、阵列基板、制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法以及显示装置。一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极层、源极层、漏极层，所述源极层与所述漏极层设置在不同的层上且所述漏极层与所述栅极层同层设置。采用该薄膜晶体管的阵列基板，由于源极与漏极之间能完全阻断，从而保证源极与漏极之间不会出现桥连现象，提高了显示装置的产品质量。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板、制备方法以及显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法以及显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(CathodeRayTube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（LiquidCrystalDisplay：液晶显示装置）和OLED（OrganicLight-EmittingDiode:有机发光二极管）显示装置。在成像过程中，LCD显示装置和有源矩阵驱动式OLED（ActiveMatrixOrganicLightEmissionDisplay，简称AMOLED）显示装置中的每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管（ThinFilmTransistor：简称TFT）来驱动，从而实现图像显示。薄膜晶体管作为发光控制开关，是实现LCD显示装置和OLED显示装置显示的关键，直接关系到高性能显示装置的发展方向。如图1A所示，薄膜晶体管包括基板1以及在基板上形成的栅极层2、栅极绝缘层4、有源层以及相应的隔绝层（即复合层5）、源极层6、漏极层3。目前，薄膜晶体管中的源极（Source）和漏极（Drain）通常设置在同一层中，例如形成中间间隔有间隙或沟槽的漏极层6和源极层3。相应的，现有的薄膜晶体管的制备工艺中，通过成膜步骤形成源漏极膜层，然后对源漏极膜层进行曝光、显影、刻蚀步骤形成中间有间隙或沟槽的源漏极，从而形成位于同一层中的互相分离的源极和漏极。如图1B所示，阵列基板包括上述的薄膜晶体管（TFT）以及钝化层7、像素电极层8，其中，钝化层7中设置于TFT的上方，钝化层7中还开设有过孔9，像素电极层8设置于钝化层7的上方，TFT的漏极层3与像素电极层8通过过孔9连接。但是，受目前工艺设备与工艺能力的限制，沟道（被限制在源极和漏极之间的导电区域称为沟道，栅压打开时源极和漏极之间的间隙或沟槽相对应的半导体部分）常出现未被完全刻蚀的现象，使得源极和漏极出现桥连（Bridge）现象，导致像素（Pixel）出现亮点不良，降低产品质量等级（例如：产品质量等级从P级降到S级）。因此，如何保证薄膜晶体管中源极和漏极之间能完全阻断，提高产品质量成为目前业界亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法以及显示装置，该薄膜晶体管以及相应的阵列基板中源极与漏极之间能完全阻断，从而保证源极与漏极之间不会出现桥连现象，提高了显示装置的产品质量。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是该薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极层、源极层、漏极层，所述源极层与所述漏极层设置在不同的层上且所述漏极层与所述栅极层同层设置。优选的是，所述漏极层与所述栅极层同层设置在所述基板上，所述漏极层与所述栅极层之间开有间隙；所述源极层设置在所述栅极层的上方，所述源极层与所述栅极层之间设置有栅极绝缘层以及复合层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极层上方以及复合层的下方，所述复合层从所述栅极绝缘层覆盖所述间隙并部分延伸至所述漏极层上方。优选的是，所述栅极层、源极层和漏极层均采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成，所述栅极层、源极层和漏极层的厚度范围为优选的是，所述复合层包括有源层以及设置于所述有源层上方的欧姆接触层，所述有源层采用非晶硅材料形成，所述有源层的厚度范围为所述欧姆接触层采用掺杂磷元素的非晶硅材料形成，所述欧姆接触层的厚度范围为优选的是，所述复合层包括有源层以及设置于所述有源层上方的刻蚀阻挡层，所述有源层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成，所述有源层的厚度范围为所述刻蚀阻挡层采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、铝氧化物中的至少两种材料形成，所述刻蚀阻挡层的厚度范围为优选的是，其特征在于，所述栅极绝缘层为单层、双层或多层，采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物中的至少一种材料形成，所述栅极绝缘层的厚度范围为一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。优选的是，所述阵列基板中还包括钝化层，所述钝化层设置在所述源极层与所述漏极层的上方，所述钝化层对应着漏极层的区域开设有过孔，所述钝化层采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、铝氧化物中的至少两种材料形成，所述钝化层的厚度范围为优选的是，所述阵列基板中还包括像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层上方，所述漏极层与所述像素电极层通过过孔连接，所述像素电极层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成，所述像素电极层的厚度范围为一种显示装置，包括上述的阵列基板。一种薄膜晶体管的制备方法，包括将所述源极层与所述漏极层形成在不同的层上且将栅极层与漏极层形成在同一层上的步骤。优选的是，分别采用两次构图工艺在基板上形成包括栅极层、漏极层以及源极层的图形，其中一次构图工艺同时形成所述包括栅极层和所述漏极层的图形，另一次构图工艺形成所述包括源极层的图形。进一步优选的是，该方法具体包括如下步骤：步骤S1）：在基板上形成包括栅极层以及漏极层的图形，所述栅极层与所述漏极层之间开有间隙；步骤S2）：在所述栅极层上形成包括栅极绝缘层的图形；步骤S3）：在所述栅极绝缘层与部分所述漏极层上形成包括复合层的图形；步骤S4）：在所述复合层上对应着所述栅极层的区域形成包括源极层的图形。优选的是，所述步骤S1）具体为：在基板上形成电极金属膜，通过一次构图工艺形成包括栅极层和漏极层的图形。优选的是，所述步骤S2）具体为：在完成步骤S1）的基板上形成栅极绝缘层膜，通过一次构图工艺在所述栅极层上形成包括栅极绝缘层的图形。优选的是，所述步骤S3）具体为：在完成步骤S2）的基板上形成复合层膜，所述复合层膜包括有源层膜以及设置于所述有源层膜上方的欧姆接触层膜，通过一次构图工艺在在所述栅极绝缘层与部分所述漏极层上形成包括复合层的图形。优选的是，所述步骤S3）具体为：在完成步骤S2）的基板上形成复合层，所述复合层包括有源层以及设置于所述有源层上方的刻蚀阻挡层，通过一次构图工艺在在所述栅极绝缘层与部分所述漏极层上形成包括复合层的图形。优选的是，所述步骤S4）具体为：在完成步骤S3）的基板上形成电极金属膜，通过一次构图工艺在所述复合层上对应着所述栅极层的区域形成包括源极层图形。一种阵列基板的制备方法，包括上述的薄膜晶体管的制备方法。优选的是，还包括如下步骤：步骤S5）：在所述源极层、未被所述源极层覆盖的部分复合层以及未被所述复合层覆盖的部分漏极层上形成包括钝化层的图形；步骤S6）：在所述钝化层中形成过孔，在所述钝化层上方形成包括像素电极层的图形，所述漏极层与所述像素电极层通过过孔连接。优选的是，所述步骤S5）具体为：在完成步骤S4）的基板上形成钝化层膜，通过一次构图工艺在所述源极层、未被所述源极层覆盖的部分复合层以及未被所述复合层覆盖的部分漏极层上形成包括钝化层以及过孔的图形。优选的是，所述步骤S6）具体为：在完成步骤S5）的基板上形成透明导电膜，通过一次构图工艺在所述钝化层上方形成包括像素电极层的图形，所述漏极层与所述像素电极层通过过孔连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术中的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极层、源极层、漏极层，其特征在于，所述源极层与所述漏极层设置在不同的层上且所述漏极层与所述栅极层同层设置。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极层、源极层、漏极层，其特征在于，所述源极层与所述漏极层设置在不同的层上且所述漏极层与所述栅极层同层设置，所述源极层与所述漏极层在竖直方向上不存在重叠，并且，所述漏极层与所述栅极层之间开有间隙或沟槽，所述源极层设置在所述栅极层的上方，所述源极层与所述栅极层之间设置有栅极绝缘层以及复合层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极层上方以及复合层的下方，所述复合层从所述栅极绝缘层覆盖所述间隙或沟槽并部分延伸至所述漏极层上方，在所述间隙或沟槽上依次设置所述栅极绝缘层以及所述复合层，所述复合层至少包括有源层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层、源极层和漏极层均采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成，所述栅极层、源极层和漏极层的厚度范围为3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述复合层包括有源层以及设置于所述有源层上方的欧姆接触层，所述有源层采用非晶硅材料形成，所述有源层的厚度范围为所述欧姆接触层采用掺杂磷元素的非晶硅材料形成，所述欧姆接触层的厚度范围为4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述复合层包括有源层以及设置于所述有源层上方的刻蚀阻挡层，所述有源层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成，所述有源层的厚度范围为所述刻蚀阻挡层采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、铝氧化物中的至少两种材料形成，所述刻蚀阻挡层的厚度范围为500～40005.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为单层或多层，采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物中的至少一种材料形成，所述栅极绝缘层的厚度范围为6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中还包括钝化层，所述钝化层设置在所述源极层与所述漏极层的上方，所述钝化层对应着漏极层的区域开设有过孔，所述钝化层采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、铝氧化物中的至少两种材料形成，所述钝化层的厚度范围为8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中还包括像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层上方，所述漏极层与所述像素电极层通过过孔连接，所述像素电极层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成，所述像素电极层的厚度范围为9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-8任一项所述的阵列基板。10.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1-5中任一种所述的薄膜晶体管，包括将所述源极层与所述漏极层形成在不同的层上且将栅极层与漏极层形成在同一层上的步骤，分别采用两次构图工艺在基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆超，罗强强，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：