一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管（TFT）及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提供一种结构简单、性能较佳的TFT。本发明专利技术提供的薄膜晶体管包括：基板；形成在所述基板上的有源层；形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
在显示
，氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistor, Oxide TFT)相比较非晶硅TFT，因其具有较高的载流子迁移率(载流子迁移率约为非晶硅TFT的十倍)，以及较高的热学、化学稳定性，成为人们的研究热点。Oxide TFT驱动下的显示装置，能满足大尺寸、高分辨率显示器件的要求，特别是能够满足下一代有源矩阵式有机发光显示器件(Active Matrix Organic Light Emitting Device,AMOLED)的要求,在平板显不领域占据重要的位置。制作Oxide TFT的要求较高，在保证制作出高性能的Oxide TFT的前提下，简化器件结构和工艺流程是人们一直追求的目标。现有Oxide TFT—般采用顶栅型。参见图1，为现有顶栅型Oxide TFT，包括:基板101、基板101上的有源层102、有源层102上的栅极绝缘层103、栅极绝缘层103上的栅极104、栅极104上的刻蚀阻挡层105、刻蚀阻挡层105上的源漏极层106 (包括源极和漏极)、源漏极层106上的钝化保护层107，以及钝化保护层107上与源漏极层106中的漏极相连的像素电极108。制作图1所示的TFT采用如下6Mask工艺。下述的构图工艺为至少包括掩膜、曝光、显影、光刻和刻蚀过程。第一、通过第一次构图工艺形成有源层图形102 ；第二、通过第二次构图工艺形成栅极绝缘层103和栅极104图形，在此过程中，首先通过湿法刻蚀形成栅极图形104，然后通过干法刻蚀形成栅极绝缘层图形103。第三、通过第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形105。第四、通过第四次构图工艺形成源漏极层图形106。第五、通过第五次构图工艺形成钝化保护层图形107，其中钝化保护层107上形成有接触孔，该接触孔用于连接漏极和像素电极108。第六、通过第六次构图工艺形成像素电极图形108。因此，现有TFT结构不够简单，且制作高性能Oxide TFT采用6Mask工艺，工艺流程较复杂，且每增加一次构图工艺都可能会引起Oxide TFT的各功能膜层受到污染，降低Oxide TFT的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提供一种结构简单、性能较佳的TFT。为实现上述目的，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括: 基板；形成在所述基板上的有源层；形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。较佳地，所述第一接触层和第二接触层镜像对称设置。较佳地，所述栅极与所述第一接触层在垂直方向的投影面积等于所述栅极与所述第二接触层在垂直方向的投影面积。较佳地，所述第一接触层和第二接触层之间的距离为2_3μπι。较佳地，还包括位于所述有源层和所述基板之间用于隔离光线的隔离层。较佳地，还包括位于所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过保护层上的过孔与位于所述保护层下方的漏极电性相连。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。本专利技术实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括:通过一次镀 膜工艺和一次构图工艺在基板上形成包括有源层的图形，对所述有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上的第一接触层和第二接触层的图形；通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述第一接触层和第二接触层的基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形；通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成与所述第一接触层相连的源极图形，与所述第二接触层相连的漏极图形，以及位于所述源极和漏极之间的栅极图形；通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述栅极、源极和漏极的基板上形成覆盖整个基板的保护层图形。较佳地，通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在基板上形成包括有源层的图形，对所述有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上的第一接触层和第二接触层的图形，具体为:通过一次镀膜工艺在所述基板上形成一层金属氧化物半导体层；在所述金属氧化物半导体层上涂覆一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶进行掩膜、曝光和显影；采用湿法刻蚀形成所述有源层图形；对有源层上保留的光刻胶进行灰化处理，露出与待形成的第一接触层和第二接触层对应区域的有源层；对露出的有源层部分进行离子注入形成所述第一接触层和第二接触层的图形；剥离有源层上的光刻胶。较佳地，在形成所述有源层之前还包括:通过一次镀膜工艺在所述基板上形成一层可隔离光线的隔离层。较佳地，形成所述隔离层具体为:通过一次镀膜工艺在所述基板上形成一层氧化铝层、非晶硅层或者金属和氧化硅的混合层。较佳地，所述对露出的有源层部分进行离子注入形成所述第一接触层和第二接触层的图形，具体为:对露出的有源层部分进行氢的等离子处理形成所述第一接触层和第二接触层的图形。较佳地，形成所述保护层之后还包括在所述保护层上形成与所述漏极相连的像素电极。本专利技术实施例通过将TFT的源极、漏极和栅极制作在同一层，简化了 TFT结构，制作TFT的过程采用5Mask工艺，简化了 TFT制作工艺。有源层上设置有与源极相连的第一接触层，和与漏极相连的第二接触层，避免非沟道高阻区的产生，且避免栅极与源极或栅极与漏极之间寄生电容的形成，保证了 TFT良好的电学性能。附图说明 图1为现有顶栅型TFT结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的TFT结构示意图；图3为图2所示的TFT具有保护层和像素电极的结构示意图；图4为本专利技术实例施提供的阵列基板结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的TFT制作方法流程示意图；图6为本专利技术实施例提供的半色调或灰色调掩模板结构示意图；图7为图6所示的TFT俯视示意图；图8为所示的TFT形成有有源层和有源层上的光刻胶的结构示意图；图9为图8所示的TFT形成有源层上与第一接触层和第二接触层相应区域露出有源层的结构示意图；图10为图9所示的TFT形成有第一接触层和第二接触层的结构示意图；图11为图10所示的TFT形成有刻蚀阻挡层的结构示意图；图12为图11所示的TFT俯视示意图；图13为图11所示的TFT形成有源极、漏极和栅极的结构示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提供一种结构简单、性能较佳的TFT。本专利技术实施例通过将TFT的源极、漏极和栅极制作在同一层，简化了 TFT结构，制作TFT的过程采用5Mask工艺，简化了 TFT制作工艺。有源层上设置有与源极相连的第一接触层和与漏极相连的第二接触层，避免非沟道高阻区的产生，且避免栅极与源极或栅极与漏极之间寄生电容的形成，保证了 TFT良好的电学性能。下面通过附图具体说明本专利技术实施例提供的TFT。参见图2，本专利技术实施例提供的TFT，包括:基板I ;形成在基板I上的有源层2 ；形成在有源层2上可导电的第一接触层3和第二接触层4 ；形成在第一接触层3和第二接触层4上方覆盖整个基板的刻蚀阻挡层5 ；形成在刻蚀阻挡层5上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的有源层；形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括: 基板； 形成在所述基板上的有源层； 形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层； 形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层； 形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层镜像对称设置。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与所述第一接触层在垂直方向的投影面积等于所述栅极与所述第二接触层在垂直方向的投影面积。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层之间的距离为2-3 μm。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述有源层和所述基板之间用于隔离光线的隔离层。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过保护层上的过孔与位于所述保护层下方的漏极电性相连。7.—种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1 6任一所述的薄膜晶体管。8.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括: 通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在基板上形成包括有源层的图形，对所述有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上的第一接触层和第二接触层的图形； 通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述第一接触层和第二接触层的基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形； 通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在所述刻蚀阻挡层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立，姜春生，王东方，陈海晶，刘凤娟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：