薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示面板技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管，包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层，制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。本发明专利技术还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。在本发明专利技术中，光刻胶涂敷在辅助导电材料层上。由于形成辅助导电材料层的金属活泼性较高，因此，材料原子外层的电子非常容易失去，使得所述辅助导电材料层能够牢固地吸附光刻胶层。并且，在刻蚀的过程中，遮挡图形也不容易剥离，从而可以获得更加精确的导电图形，提高制造薄膜晶体管的良率。

Thin film transistor, array substrate, method for manufacturing the same, and display panel

The invention provides a thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, the gate electrode, the source electrode and the drain electrode in at least one including from top to bottom stacked auxiliary electrode layer, first electrode layer and the electrode layer of the main door, made of the auxiliary electrode the material of the layer is greater than the first active electrode layer made of protective material and. The invention also provides an array substrate, a method of manufacturing the array substrate, and a display panel including the array substrate. In the present invention, photoresist is applied on an auxiliary conductive material layer. Because the metal of the auxiliary conductive material layer is more active, the electrons in the outer layer of the material atoms are easy to lose, so that the auxiliary conductive material layer can firmly adsorb the photoresist layer. Moreover, in the process of etching, the shielding pattern is not easy to be stripped, so that more accurate conductive patterns can be obtained, and the yield of the thin film transistors can be improved.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示面板
本专利技术涉及显示设备领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。
技术介绍
显示面板的阵列基板上包括位于不同层的多个导电图形层，例如，栅线图形层、源漏图形层等。为了确保导电图形具有良好的导电性能，通常利用电阻率低的材料制成所述导电图形层。由于电阻率较高的导电材料通常具有较高的活泼性，为了避免导电材料被氧化，还会在电阻率较低的导电材料上方沉积一层防护层。具体地，制成导电图形层的步骤包括：沉积形成电阻率较低的金属材料层；沉积形成防护层；在防护层上设置光刻胶；对光刻胶进行曝光显影；刻蚀形成导电图形层；剥离光刻胶。但是，防护层与光刻胶的粘结性能不好，在刻蚀过程中会产生剥离，从而会导致刻蚀星辰的导电图形层形状不准确，产生不良。因此，如何防止刻蚀过程中光刻胶剥落成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。在制造所述阵列基板的过程中，光刻胶不容易剥落，从而可以在阵列基板中获得形状精确的导电图形层，提高产品良率。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层，制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。优选地，所述辅助电极层的材料与所述主电极层的材料相同。优选地，所述第一防护电极层的材料包括钼铌合金，所述主电极层的材料包括铜。优选地，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体材料制成的有源层，包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极图形为所述源电极和所述漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方。优选地，所述辅助电极层的厚度小于主电极层的厚度。优选地，包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极还包括第二防护电极层，所述第二防护电极层设置在所述主电极层下方。作为本专利技术的第二个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为本专利技术所提供的上述薄膜晶体管，所述阵列基板还包括多组电极线，多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线，至少一组所述电极线包括从上至下依次层叠的辅助电极线层、第一防护电极线层和主电极线层，制成所述辅助电极线层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极线层的材料的活泼性，所述第一防护电极线层与同层设置的第一防护电极层材料相同，所述主电极线层与同层设置的主电极层材料相同。作为本专利技术的第三个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本专利技术所提供的上述阵列基板。作为本专利技术的第四个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相交错将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有薄膜晶体管，其中，所述制造方法包括形成第一图形的步骤和形成第二图形的步骤，所述第一图形包括所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，所述第二图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，形成所述第一图形和所述第二图形中的至少一者包括：形成导电材料层，包括：依次形成主导电材料层、第一防护导电材料层和辅助导电材料层，其中，所述辅助导电材料层的材料的活泼性大于所述第一防护导电材料层的材料；在所述辅助导电材料层上涂敷光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，以在所述辅助导电材料层的上表面上形成遮挡图形；对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀。优选地，所述第二图形包括所述主导电图形层、防护导电图形层和辅助导电图形层，所述制造方法还包括在形成主导电材料层之前进行的：形成有源材料层，所述有源材料层由氧化物半导体材料制成；在光刻胶层进行曝光显影的步骤包括：利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影获得所述遮挡图形，所述遮挡图形包括中间遮挡图形，所述中间遮挡图形覆盖的区域与有源图形一致，且所述中间遮挡图形包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的间隔区，所述间隔区的厚度小于所述源极区和所述漏极区的厚度；对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀的步骤包括：对所述导电材料层和所述有源材料层进行湿刻，以获得中间功能图形，所述中间功能图形包括有源层和覆盖在所述有源层上的中间导电图形；对所述遮挡图形进行灰化，以刻蚀所述间隔区，并进一步刻蚀所述中间导电图形，使得中间导电图形在对应于所述间隔区的位置断开，以获得源电极和漏电极；向工艺腔内通入一氧化二氮工艺气体，并对所述一氧化二氮工艺气体进行等离子化；所述制造方法还包括：在所述第二图形上形成钝化层；在所述钝化层上形成过孔，所述过孔对应于所述漏电极，所述过孔贯穿所述钝化层和所述漏电极上由所述辅助导电材料形成的部分；形成包括像素电极的图形。在本专利技术中，光刻胶涂敷在辅助导电材料层上。由于形成辅助导电材料层的金属活泼性较高，因此，材料原子外层的电子非常容易失去，使得所述辅助导电材料层能够牢固地吸附光刻胶层。并且，在刻蚀的过程中，遮挡图形也不容易剥离，从而可以获得更加精确的电极图形，提高制造薄膜晶体管的良率。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术所提供的薄膜晶体管的结构示意图；图2a是导电材料层的示意图；图2b是形成有光刻胶层的导电材料层的示意图；图2c是导电材料层上形成有遮挡图形的示意图；图2d是展示像素电极与漏电极的连接关系的示意图。附图标记说明10：有源材料层20：第二防护导电材料层30：主导电材料层40：第一防护导电材料层50：辅助导电材料层60：光刻胶层61：遮挡图形70：像素电极80：钝化层110：漏电极111、121：第二防护电极层112、122：主电极层113、123：第一防护电极层114、124：辅助电极层120：源电极200：有源层300：栅电极具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，用到的方位词“上、下”是指附图中的“上、下”方向。作为本专利技术的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层，制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。在制造所述薄膜晶体管时，通过构图工艺形成导电图形包括以下步骤：依次形成主导电材料层、防护导电材料层和辅助导电材料层；在辅助导电材料层上涂敷光刻胶；对光刻胶进行曝光显影，获得遮挡图形；对设置有遮挡图形的主导电材料层、防护导电材料层和辅助导电材料层进行刻蚀，以获得所述导电图形；剥离所述遮挡图形。在本专利技术中，光刻胶涂敷在辅助导电材料层上。由于形成辅助导电材料层的金属活泼性较高，因此，材料原子外层的电子非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层，制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层，制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极层的材料与所述主电极层的材料相同。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一防护电极层的材料包括钼铌合金，所述主电极层的材料包括铜。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体材料制成的有源层，包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极图形为所述源电极和所述漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极层的厚度小于所述主电极层的厚度。6.根据权利要求1至4中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极还包括第二防护电极层，所述第二防护电极层设置在所述主电极层下方。7.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1至6中任意一项所述的薄膜晶体管，所述阵列基板还包括多组电极线，多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线，至少一组所述电极线包括从上至下依次层叠的辅助电极线层、第一防护电极线层和主电极线层，制成所述辅助电极线层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极线层的材料的活泼性，所述第一防护电极线层与同层设置的第一防护电极层材料相同，所述主电极线层与同层设置的主电极层材料相同。8.一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求7所述的阵列基板。9.一种权利要求7所述的阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相交错将...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11