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本实用新型公开了一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，所述制作工序包括在玻璃基板上蒸镀氧化物缓冲层、非晶硅、Ni原子单位，结晶化a-Si及一次蒸镀绝缘膜、二次蒸镀绝缘膜等工序，所述一次蒸镀绝缘膜后，AMOLED低掺杂度漏极TF...
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