薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，其包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，第一漏极与第一源极定义一第一U形沟道，第一U形沟道的开口朝第一方向设置，第二漏极和第二源极定义一第二U形沟道，第二U形沟道的开口朝不同于第一方向的第二方向设置，第二U形沟道的底部宽度大于第一U形沟道的底部宽度。本发明专利技术还公开了一种具有该薄膜晶体管的阵列基板和该阵列基板的制造方法。通过上述方式，本发明专利技术能够避免因薄膜晶体管U形沟道底部残留清洗液所导致的源极与漏极短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种。
技术介绍
随着TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的迅速发展，薄膜晶体管的制造技术也日趋成熟。请参阅图1，图1是现有技术薄膜晶体管的结构示意图。现有技术的薄膜晶体管包括第一 U形漏极11、第二 U形漏极12、第一条状源极13以及第二条状源极14，其中第一 U形漏极11与第一条状源极13定义第一 U形沟道15，第二 U形漏极11与第二条状源极13定义第一 U形沟道16，第一 U形沟道15的底部宽度为D1，第二 U形沟道16的底部宽度为D2，且D1=D2。但是现有技术的薄膜晶体管在生产过程中，清洗完薄膜晶体管阵列基板后，第一U形沟道15和第二 U形沟道16的底部会残留清洗液，因此会采用吹风设备进行吹干处理，但是只有开口方向与吹风方向同向的第一 U形沟道15底部残留的清洗液才会被吹干，而开口方向与吹风方向反向的第二 U形沟道16的底部会残留清洗液。请进一步参阅图2，图2是图1中A-A ^方向的剖视图。第一 U形漏极11、第二 U形漏极12、第一条状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一U形沟道，所述第一U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二U形沟道，所述第二U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一 U形沟道，所述第一 U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二 U形沟道，所述第二 U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二 U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二U形沟道的底部宽度与所述第一 U形沟道的底部宽度的差值在0.25 μ m 1.25 μ m之间。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一漏极为第一U形漏极，所述第二漏极为第二 U形漏极，所述第一源极为第一条状源极，所述第二源极为第二条状源极，所述第一条状源极从所述第一 U形漏极的开口延伸至所述第一 U形漏极的内部且与所述第一 U形漏极间隔设置，所述第二条状源极从所述第二 U形漏极的开口延伸至所述第二 U形漏极的内部且与所述第二 U形漏极间隔设置，所述第一 U形沟道的底部宽度为所述第一条状源极的端部与所述第一 U形漏极的底部之间的宽度，所述第二 U形沟道的底部宽度为所述第二条状源极的端部与所述第二 U形漏极的底部之间的宽度。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一U形漏极的底部与所述第二 U形漏极的底部部分重叠设置。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向为所述薄膜晶体管的清洗过程中用于吹干清洗液的吹风方向。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛景峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：