本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，其包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，第一漏极与第一源极定义一第一U形沟道，第一U形沟道的开口朝第一方向设置，第二漏极和第二源极定义一第二U形沟道，第二U形沟道的开口朝不同于第一方向的第二方向设置，第二U形沟道的底部宽度大于第一U形沟道的底部宽度。本发明专利技术还公开了一种具有该薄膜晶体管的阵列基板和该阵列基板的制造方法。通过上述方式，本发明专利技术能够避免因薄膜晶体管U形沟道底部残留清洗液所导致的源极与漏极短路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种。
技术介绍
随着TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的迅速发展，薄膜晶体管的制造技术也日趋成熟。请参阅图1，图1是现有技术薄膜晶体管的结构示意图。现有技术的薄膜晶体管包括第一 U形漏极11、第二 U形漏极12、第一条状源极13以及第二条状源极14，其中第一 U形漏极11与第一条状源极13定义第一 U形沟道15，第二 U形漏极11与第二条状源极13定义第一 U形沟道16，第一 U形沟道15的底部宽度为D1，第二 U形沟道16的底部宽度为D2，且D1=D2。但是现有技术的薄膜晶体管在生产过程中，清洗完薄膜晶体管阵列基板后，第一U形沟道15和第二 U形沟道16的底部会残留清洗液，因此会采用吹风设备进行吹干处理，但是只有开口方向与吹风方向同向的第一 U形沟道15底部残留的清洗液才会被吹干，而开口方向与吹风方向反向的第二 U形沟道16的底部会残留清洗液。请进一步参阅图2，图2是图1中A-A ^方向的剖视图。第一 U形漏极11、第二 U形漏极12、第一条状源极13以及第二条状源极14下方还设置有欧姆接触层18。如图2所示，当第二 U形沟道16底部残留清洗液时，其对应下方的欧姆接触层17无法被蚀刻，导致第二 U形漏极12与第二条状源极14之间短路。 因此，需要提供一种，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种，能够避免因薄膜晶体管U形沟道底部残留清洗液导致的源极与漏极短路。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管，其包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，第一漏极与第一源极定义一第一 U形沟道，第一 U形沟道的开口朝第一方向设置，第二漏极和第二源极定义一第二 U形沟道，第二 U形沟道的开口朝不同于第一方向的第二方向设置，第二 U形沟道的底部宽度大于第一 U形沟道的底部宽度。其中，第二 U形沟道的底部宽度与第一 U形沟道的底部宽度的差值在0.25 μ m 1.25 μ m 之间。其中，第一漏极为第一 U形漏极,第二漏极为第二 U形漏极,第一源极为第一条状源极，第二源极为第二条状源极，第一条状源极从第一 U形漏极的开口延伸至第一 U形漏极的内部且与第一 U形漏极间隔设置，第二条状源极从第二 U形漏极的开口延伸至第二 U形漏极的内部且与第二 U形漏极间隔设置，第一 U形沟道的底部宽度为第一条状源极的端部与第一 U形漏极的底部之间的宽度，第二 U形沟道的底部宽度为第二条状源极的端部与第二U形漏极的底部之间的宽度。其中，第一 U形漏极的底部与第二 U形漏极的底部部分重叠设置。其中，第一方向为薄膜晶体管的清洗过程中用于吹干清洗液的吹风方向。其中，第一方向与第二方向互为反向。其中，第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极由同一漏源层制成，薄膜晶体管进一步包括设置于漏源层下方的欧姆接触层，欧姆接触层对应于第一 U形沟道和第二 U形沟道的区域被蚀刻，以避免第一漏极与第一源极之间以及第二漏极与第二源极之间通过欧姆接触层相互导通。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板包括基板以及设置于基板上的上述的薄膜晶体管。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括:于基板上形成漏源层；蚀刻漏源层，以形成第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，第一漏极与第一源极定义一第一 U形沟道，第一 U形沟道的开口朝第一方向设置，第二漏极和第二源极定义一第二 U形沟道，第二 U形沟道的开口朝不同于第一方向的第二方向设置，第二 U形沟道的底部宽度大于第一 U形沟道的底部宽度；利用清洗液清洗基板；沿第一方向吹干清洗液。其中，在于基板上形成漏源层的步骤之前，进一步包括:于漏源层下方形成一欧姆接触层；在沿第一方向吹干清洗液的步骤之后，进一步包括:蚀刻欧姆接触层对应于第一U形沟道和第二 U形沟道的区域，以避免第一漏极与第一源极之间以及第二漏极与第二源极之间通过欧姆接触层相互导通。 本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术通过将第二 U形沟道的底部宽度设置为大于第一 U形沟道的底部宽度，使得当第二 U形沟道的底部残留有清洗液时，其下方对应的欧姆接触层仍能够被蚀刻，从而能够避免第二漏极与第二源极之间通过欧姆接触层导通，进而能够防止薄膜晶体管源极与漏极之间的短路。附图说明图1是现有技术薄膜晶体管的结构示意图；图2是图1中A-A '方向的剖视图；图3是本专利技术的薄膜晶体管的第一优选实施例的结构示意图；图4是图3中B-B '方向的剖视图；图5是本专利技术的薄膜晶体管的第二优选实施例的结构示意图；图6是本专利技术薄膜晶体管阵列基板的优选实施例的结构示意图；图7是本专利技术薄膜晶体管阵列基板的制造方法第一优选实施例的流程示意图；图8是本专利技术薄膜晶体管阵列基板的制造方法第二优选实施例相对于薄膜晶体管阵列基板的制造方法第一优选实施例增加的流程示意图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。请一并参阅图3和图4，本专利技术的薄膜晶体管的第一优选实施例的结构示意图，图4是图3中B-B'方向的剖视图。在本实施例中，薄膜晶体管优选地包括:第一漏极21、第二漏极22、第一源极23、第二源极24、欧姆接触层28、半导体活性层29、钝化层30以及栅极层31。第一漏极21、第二漏极22、第一源极23以及第二源极24由同一漏源层27制成，欧姆接触层28设置在漏源层27的下方，半导体活性层29、钝化层30以及栅极层31依次设置在欧姆接触层28的下方，即栅极层31、钝化层30、半导体活性层29、欧姆接触层28、漏源层27依次层叠设置。在本实施例中，半导体活性层29优选为非晶硅层，钝化层30优选为氮化硅层，在其他实施例中，半导体活性层29和钝化层30也可是其他材料，且上述膜层也可以采用其他方式进行设置。第一漏极21与第一源极23定义第一 U形沟道25，第一 U形沟道25的开口朝第一方向设置，第二漏极22和第二源极24定义第二 U形沟道26，第二 U形沟道26的开口朝不同于第一方向的第二方向设置。具体地，在本实施例中，第一漏极21优选为第一 U形漏极21，第二漏极22优选为第二 U形漏极22，即第一漏极21与第二漏极22均为U形。第一源23极优选为第一条状源极23，第二源极24优选为第二条状源极23，即第一源极23和第二原极24均为条状。第一条状源极23从第一 U形漏极21的开口延伸至第一 U形漏极21的内部且与第一 U形漏极21间隔设置，以在间隔区域形成第一 U形沟道25。第二条状源极24从第二 U形漏极22的开口延伸至第二 U形漏极22的内部且与第二 U形漏极22间隔设置，以在间隔区域形成第二 U形沟道26。在本实施例中，第一 U形漏极21的底部与第二U形漏极22的底部部分重叠设置。在本实施例中，第一方向与第二方向互为反向，即第一 U形沟道25的开口方向与第二 U形沟道26的开口方向相反，也就是说第一 U形漏极21的开口方向与第二 U形漏极22的开口方向相反。在本实施例中，第一方向优选为薄本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一U形沟道，所述第一U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二U形沟道，所述第二U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一 U形沟道，所述第一 U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二 U形沟道，所述第二 U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二 U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二U形沟道的底部宽度与所述第一 U形沟道的底部宽度的差值在0.25 μ m 1.25 μ m之间。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一漏极为第一U形漏极，所述第二漏极为第二 U形漏极，所述第一源极为第一条状源极，所述第二源极为第二条状源极，所述第一条状源极从所述第一 U形漏极的开口延伸至所述第一 U形漏极的内部且与所述第一 U形漏极间隔设置，所述第二条状源极从所述第二 U形漏极的开口延伸至所述第二 U形漏极的内部且与所述第二 U形漏极间隔设置，所述第一 U形沟道的底部宽度为所述第一条状源极的端部与所述第一 U形漏极的底部之间的宽度，所述第二 U形沟道的底部宽度为所述第二条状源极的端部与所述第二 U形漏极的底部之间的宽度。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一U形漏极的底部与所述第二 U形漏极的底部部分重叠设置。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向为所述薄膜晶体管的清洗过程中用于吹干清洗液的吹风方向。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛景峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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