去耦FINFET电容器制造技术

一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。该鳍式电容器还可以包括位于一个或多个导电体和下面的半导体材料之间的绝缘材料。本发明专利技术提供了去耦FinFET电容器。

【技术实现步骤摘要】

一般而言，本专利技术涉及半导体制造，更具体而言，涉及电容器的形成。
技术介绍
去耦电容器是用于去耦电网(电路)的一部分与另一部分的电容器。通过电容器分流其他电路元件造成的噪音，减少噪音对电路的其余部分的影响。去耦电容器经常在集成电路(IC)的模拟区域中被发现并且可以在IC中与晶体管同时形成。在IC的数字和模拟区域中都形成晶体管。通常通过在衬底中提供具有掺杂源极/漏极区的有源区、在衬底上方提供栅极绝缘层、以及在栅极绝缘层上方提供栅电极形成晶体管。接触件使用具有在多个金属间介电(IMD)层内形成的若干水平导电图案层和垂直通孔层的导电互连结构将源极/漏极区和栅电极连接起来。采用最少的额外步骤，使用晶体管的各个部分作为电容器的顶部电极、电容器电介质、以及电容器的阳极和阴极接触件，将电容器制造与晶体管制造工艺结合起来。随着晶体管设计转向具有多栅极的三维设计，金属-氧化物-金属(MOM)电容器设计是适合的。MOM电容器是被电介质分开的有指的多指电容器。这些电容器的电容取决于导电部分的尺寸，导电部分可以是金属层或者多晶硅层。随着IC尺寸的缩小，金属层或者多晶硅层变得更薄。得到的电容器的电容密度也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，具有多个鳍式场效应晶体管(FinFET)和多个鳍式电容器，其中，所述多个鳍式电容器中的每一个都包括：多个硅鳍片；导电体，位于两个邻近的硅鳍片之间并且与所述两个邻近的硅鳍片平行；以及第一绝缘材料，位于所述硅鳍片和所述导电体之间。

【技术特征摘要】
2012.01.31 US 13/362,7961.一种半导体器件,包括: 衬底，具有多个鳍式场效应晶体管(FinFET)和多个鳍式电容器，其中，所述多个鳍式电容器中的每一个都包括: 多个硅鳍片； 导电体，位于两个邻近的硅鳍片之间并且与所述两个邻近的硅鳍 片平行；以及 第一绝缘材料，位于所述硅鳍片和所述导电体之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电体包含金属或者多晶硅。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料包括位于所述两个邻近的硅鳍片的侧壁上的间隔件材料。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个鳍式电容器中的每一个电容器还包括第二绝缘材料，所述第二绝缘材料位于两个邻近的硅鳍片之间并且位于所述导电体下方。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电体的顶部和所述多个硅鳍片的顶部不齐平。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：