薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明专利技术，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管的半导体层用氧化物及用于使上述氧化物成膜的溅射靶材，以及薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管用于液晶显示器、有机EL显示器等显示装置中。
技术介绍
相比通用的无定形硅(a-Si)，因无定形(非晶质)氧化物半导体具有高载流子迁移率，光学带隙大，可在低温下成膜，故期待着其在要求大型.高分辨率.高速驱动的下一代显示器、耐热性低的树脂基板等中的应用。在氧化物半导体之中，尤其是包含铟、镓、锌及氧的无定形氧化物半导体(In-Ga-Zn-Ο，以下有称之为“IGZ0”的情况。)由于具有非常高的载流子迁移率，故被优选使用。例如在非专利文献I及2中，公开了将In: Ga: Zn = 1.1: 1.1: 0.9(原子％比)的氧化物半导体薄膜用于薄膜晶体管(TFT)的半导体层(活性层)。此外，在专利文献I中，公开了含有In、Zn、Sn、Ga等元素和Mo，相对于无定形氧化物中的全部金属原子数，Mo的原子组成比率为0.1 5原子％的无定形氧化物，在实施例中，公开了使用了活性层的TFT，所述活性层是在IGZO中添加Mo而成的。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-164393本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三木绫，森田晋也，钉宫敏洋，安野聪，朴在佑，李制勋，安秉斗，金建熙，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，三星显示有限公司，
类型：
国别省市：